應流股份單晶爐

Ⅰ 單晶爐的產能如何計算

月產能就是一台單晶爐一個月能拉出單晶硅棒的重量。主要和收率、運行時間、投料量有關。

融料量就是每一爐的投料量，

例如85單晶爐最大能裝20寸熱場，20寸熱場的主流裝料量就是90KG

95爐能裝22寸熱場，主流的投料量是120KG。

我見過國內最大的有內徑1100的爐子，裝28寸熱場，可投料200-260KG。

如果還有問題可以給我發消息。

Ⅱ 誰知道現在有幾種單晶爐

基本上國內的爐子可以按派系來分類，有歐系，日系。歐系的話以上虞晶盛和溫州永泰，這兩家控制系統應說同出師門，日系以上海漢宏為例，目前永泰單晶爐爐子用起來覺得很不錯，控制系統個人認為能和晶盛比拼！晶盛以前也是從凱科斯系統解剖出來，獨創改造了一個系統。永泰控制系統其研發功能有的比原裝凱科斯系統更實用。再個就是漢宏的爐子，其控制系統是日本人做的，用起來也不錯，這三家自動化程度都很高，看大家喜歡了。。
國內其他的爐子就多了 理工大，創聯，江南電力，天龍，七星華創，晶龍，晶陽，京運通等等，爐子一般一般，很多都仿造理工大，漢宏的。

Ⅲ TDR--80單晶爐

隨著國內大直徑直拉單晶技術的發展，一些原先在小直徑單晶中並未引起重視的問題，對大直徑單晶生長的負面影響日漸顯現。大直徑單晶對其生長環境有很高的穩定性要求。本文就其中真空度的穩定和氣流控制的優化兩個方面，提出了改進方案，以提高大直徑單晶生長的成晶率和內在品質。
關鍵字：直拉法；大直徑單晶；真空穩定性；氣流控制

1 引言
半導體技術的日新月異促使了硅單晶生長技術向大直徑方向發展。目前，國內大直徑直拉單晶製造的規模化生產剛剛起步，許多技術尚處在摸索階段。生長無位錯的大直徑單晶，要求其生長環境有很高的穩定性。這使得一些破壞單晶生長穩定性的因素，在原先小直徑單晶生長中影響不大，但是對大直徑單晶生長的負面影響卻日漸顯現。

在直拉單晶生長過程中，爐體內的氣體氣流由上至下貫穿單晶生長的區域，及時地帶走由於高溫而產生出來的硅氧化物和雜質揮發物。因此，維持單晶爐體內真空值的穩定性，不受外界因素的影響，同時使保護氣體有合理的氣流走向，迅速帶走雜質，已經成為目前半導體材料製造行業領域改進設備，提高成晶率的重要課題。

2 真空度的穩定性控制

高純氬氣從單晶爐頂部注入，底部由真空泵將氣體抽出，爐內的真空值保持動態平衡（一般在20Torr左右）。但由於種種外界因素的影響，這個平衡往往會受到破壞，使真空值在較大幅度內變化，特別在大直徑單晶生長中的影響尤為明顯。

2.1 影響真空度不穩定的因素
其一，一般設備中，氬氣的進氣流量是由轉子流量計控制的。轉子流量計是通過改變通氣孔徑的大小來控制氣體的流量。它的缺點就是氣流量勢必隨著進氣口壓力的改變而改變。實際生產中，氣源壓力不可避免地會受到環境溫度和貯罐內氬氣存量的影響。

其二，真空泵是抽真空的動力設備。在拉晶過程中，由於爐內高溫而揮發出來的雜質和硅氧化物會被吸收到真空泵油中，與泵油混合在一起。隨著工作時間的增長，真空泵油的粘稠度會不斷增大，導致抽真空的效率降低。到一定程度，真空泵必須定期更換泵油。另外，真空泵油的溫度也是影響抽真空效率的因素。

2.2 改進方案

針對上面提出的兩個問題，首先從氬氣進氣系統入手，為了保證進氣速度恆定，我們用質量流量控制器（MFC）代替轉子流量計。質量流量控制器能精確地測量和控制氣體的流量，它的測量技術是基於美國一個專利（美國專利號NOS.4464932、4679585）。質量流量控制器檢測的是氣體的「質量流」，它只受氣體自身三個特性的影響（熱容量、密度、分子結構），對於某種確定的氣體，上面三個參數都是確定的。因此，MFC的測量精度不受氣體的溫度、壓力等外在因素的影響，能在20～200SLPM的范圍內達到高於1.0%的控制精度，響應時間小於2s。

其次，考慮真空抽速的控制。我們在單晶爐與真空泵的管道上增加了步進蝶閥。採用步進蝶閥目的是通過改變抽氣通道的孔徑來調節真空抽速。這是一個閉環的控制系統，由數字真空表實時檢出爐內的真空壓力，把該真空值與設定真空值比較，當爐內真空值偏高，就逐漸開大步進蝶閥，提高抽氣速度，降低真空值至設定點。反之，若爐內真空值偏低，則關小步進蝶閥，減小抽氣速度。採用這樣閉環系統，可以使單晶爐內真空值相當穩定，避免外界因素的干擾。

3 氣流的優化控制

在單晶生長過程中，硅熔液和石英坩堝等爐內物件會由於高溫產生大量硅氧化物（主要成分是SiO，也有少量SiO 2，呈黃色煙塵狀）、雜質揮發物以及揮發性氣體。這些氣塵粒子飄浮在單晶生長界面周圍。當減小氬氣流量時，能明顯看到硅熔液上方有煙塵翻騰，俗稱「冒煙」。氬氣由上至下穿過單晶生長區域，帶走氣塵雜質。有時，SiO粒子可能會被吸附到單晶生長界面上，造成正在生長的單晶的原子晶向發生位錯，使單晶生長失敗，俗稱「斷苞」，降低了成晶率。

由於單晶的大直徑化，需要更大的硅多晶投料量，使用更大直徑的石英坩堝。自然而然，大直徑單晶生長時，產生的氣塵雜質會更多，增加了位錯發生的機率。所以，大直徑單晶需要更迅速地排除氣塵雜質。

3.1 進氣口改造

為了盡可能快地帶走揮發氣塵，氬氣流量必須足夠大。大直徑單晶的氬氣流量一般在60-100SLPM。特別是對於成晶較困難的重摻單晶，由於摻雜量大，揮發物多，需要更大的氬氣流量。值得注意是，大氣流量會在爐頂進氣口處產生高速氣流，並在氣流周圍形成不規則的氣流旋渦。拉晶過程中，單晶以軟軸方式懸掛在鋼纜上，高速氣流就一陣陣旋風，吹得鋼纜和單晶來回晃動，無法穩定，像極大的增加了單晶生長錯位斷苞的可能性。
為了避免這樣的情況發生，我們對氬氣進氣口形狀作了改進。改進後的進氣口像一個環狀的蓮蓬頭。由原來的一個進氣口，改為多個的微孔進氣，並且氣流方向向外發散。這樣進氣口的總孔徑不變，保證了大進氣量，又使氣流相對緩和、分散。

3.2 合理的氣流流向

氣流量大並不意味帶走顆粒氣塵的效果好，合理的氣流流向是一個更加重要的因素。當氬氣穿過單晶生長的區域時，由於硅熔液面低於石英坩鍋口上沿，熔液表面凹入坩鍋內部，大部分氣流會直接從坩鍋壁外側流向爐體下部，只有少量的氣流進入石英坩堝內部，帶走氣塵雜質的效率自然降低了。這種情況在坩鍋內熔液越淺時，問題越嚴重。為了避免這種情況的發生，在大直徑、高品質單晶的拉制中，使用了導氣罩技術，使氣體在爐體內有合理的流向，能更有效帶走雜質氣塵。

使用導氣罩對於大直徑單晶的生長是十分重要的。導氣罩可以為氣流導向，不同的作用有不同的形狀設計。這里介紹一種基本的導氣罩。首先，氬氣向下進入單晶生長的區域，由一個圓筒形的導氣罩直接把氣流引導至坩鍋內，導氣罩下口沿深入坩堝內，直接作用於單晶生長面附近的氣塵雜質。然後由於坩鍋內壁的導向作用，氣體在熔液面上鋪開後，又隨坩鍋內壁上升，最後從坩鍋外側流向爐體下部。

4 結語

在上面介紹的改進措施中，導氣罩的使用和設計對大直徑單晶生長是至關重要的，能極大地提高單晶生長的成晶率。國內由於大直徑單晶生產剛剛起步，在導氣罩方面的研究還處於起步階段。在國外，導氣罩在大直徑單晶生長中已經普遍使用。一套導氣罩的成熟定型需要半導體材料製造公司付出大量的時間和資金進行反復的試驗和改進。所以，對於導氣罩技術的發展各大半導體公司都有自己的專利技術，互相保密，一般拒絕參觀和交流。本文也正是因為這個原因只對導氣罩技術作了原理性的分析。

關於導氣罩的設計要考慮很多因素，譬如導氣罩對單晶氧含量、碳含量和其他品質指標的影響；導氣罩與爐內各物件合適的間隙；如何固定安裝；安裝後對主觀察窗和側觀察窗直徑檢測設備的視野的影響；還有與加熱器上方安裝導氣圈配合使用，以達到更理想的效果等等。隨著國內大直徑單晶生長技術的進步，在這些方面的研究和探索十分有意義。

Ⅳ 單晶爐 操作工

我已經做拉單晶工作三年了，上班時間長，一般12小時兩倒，白天和晚上都有，熟練工工資工資都差不多2000到3000之間，技術談不上，但是要是把整個單晶生產，工藝搞懂了那也可以，前提是要有人帶你，不然自己學的就只是皮毛，會操作而已。 這是我真實的體會。

Ⅳ 目前，國內生產單晶爐的廠家有哪些

1、北方華創科技集團股份有限公司

北方華創主營半導體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備及精密元器件業務，為半導體、新能源、新材料等領域提供解決方案。

公司現有四大產業製造基地，營銷服務體系覆蓋歐、美、亞等全球主要國家和地區。

2、平頂山市信瑞達石墨製造有限公司

平頂山市信瑞達石墨製造有限公司是一家集研發、加工、銷售、售後於一體的綜合性企業。產品現已廣泛用於太陽能光伏、電子半導體、工業爐高溫處理、太陽能光伏、核工業和石英等行業。

3、湖北晶星科技股份有限公司

湖北晶星科技股份有限公司是從事多晶硅、單晶硅及矽片生產、加工、銷售的專業生產廠家。公司坐落於中國歷史文化名城—湖北隨州。

公司由湖北省百強企業、隨州市第一納稅大戶湖北省齊星汽車車身股份有限公司投資成立，公司董事長徐德先生為全國人大代表。

4、寧夏日晶電子科技有限公司

寧夏日晶新能源裝備股份有限公司是專業的直拉式硅單晶生長爐生產廠家，目前主要產品有單晶爐、鑄錠爐、石英坩堝、其他半導體相關設備。

5、西安創聯新能源設備有限公司

西安創聯新能源設備有限公司，是一家從事太陽能相關設備及電子專用設備的新型股份制企業，專業生產單晶爐並集設計開發、生產、銷售服務為一體的高新技術企業。

Ⅵ 關於光伏單晶爐的幾大生產廠商和2011年的銷售情況

2011年是光伏行業的低谷，應受國外政策影響，全國乃至全球都不景氣，光伏行業前景是好的，希望各位同仁能堅持下去。

Ⅶ 單晶爐的操作流程

利用區熔單晶爐進行以下操作：1.清爐、裝爐；2.抽空、充氣、預熱；3.化料、引晶；4.生長細頸；5.擴肩及氮氣的充入；6. 轉肩、保持及夾持器釋放；7.收尾、停爐
清爐、裝爐：清洗整個爐室內壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸，調整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對中；將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處，然後將其安裝到上軸末端，進行多晶料的對中；將籽晶裝入籽晶夾頭上，然後將其安裝到下軸頂端；關閉各個爐門，擰緊各緊固螺栓； (2)抽空、充氣，預熱：打開真空泵及抽氣管道閥門，對爐室進行抽真空，真空度達到所要求值時，關閉抽氣管道閥門及真空泵，向爐膛內快速充入氬氣；當充氣壓力達到相對壓力 1bar-6bar時，停止快速充氣，改用慢速充氣，同時打開排氣閥門進行流氬；充氣完畢後，對多晶硅棒料進行預熱，預熱使用石墨預熱環，使用電流檔，預熱設定點25-40％，預熱時間為10-20分鍾； (3)化料、引晶：預熱結束後，進行化料，化料時轉入電壓檔，發生器設定點在40-60％；多晶料熔化後，將籽晶與熔硅進行熔接，熔接後對熔區進行整形，引晶； (4)生長細頸：引晶結束後，進行細頸的生長，細頸的直徑在2-6mm，長度在30-60mm； (5)擴肩及氮氣的充入：細頸生長結束後，進行擴肩，緩慢減少下速至3±2mm/min，同時隨著擴肩直徑的增大不斷減少下轉至8±4rpm，另外還要緩慢減小上轉至1±0.5rpm；為了防止高壓電離，在氬氣保護氣氛中充入一定比例的氮氣，氮氣的摻入比例相對於氬氣的 0.01％-5％； (6)轉肩、保持及夾持器釋放：在擴肩直徑與單晶保持直徑相差3-20mm時，擴肩的速度要放慢一些，進行轉肩，直至達到所需直徑，單晶保持，等徑保持直徑在75mm-220mm，單晶生長速度1mm/分-5mm/分，在擴肩過程中，當單晶的肩部單晶夾持器的銷子的距離小於2mm時釋放夾持器，將單晶夾住； (7)收尾、停爐：當單晶拉至尾部，開始進行收尾，收尾到單晶的直徑達到Φ10-80mm，將熔區拉開，這時使下軸繼續向下運動，上軸改向上運動，同時功率保持在40±10％，對晶體進行緩慢降溫。一種直拉單晶生長裝置，屬於半導體生長設備技術領域。它包括液壓伺服系統調節坩堝桿；在加熱控制單元中，三相平衡變壓器、濾波電容器、電抗器和電阻器組合連接而成，與諧波源並聯；它還具有變頻充氣裝置。本發明克服現有的坩堝軸升降驅動裝置不能有效的保證生產操控穩定性及精確度不夠精確不足，克服現有的加熱控制單元不能消除諧波的不足，同時也克服現有的坩堝軸升降驅動裝置不能有效的保證生產操控穩定性及精確度不夠精確不足。1、 目的
為正確、規范地操作單晶爐，確保生產作業正常，特製訂本規范。
2、 適用范圍
適用於TDR-70A/B和JRDL-800型單晶爐的操作。
3、 單晶爐操作工藝流程
作業准備→熱態檢漏→取單晶和籽晶→石墨件取出冷卻→真空過濾器清洗→真空泵油檢查更換→石墨件清洗→單晶爐室清洗→石墨件安裝→石英坩堝安裝→硅料安裝→籽晶安裝→抽空、檢漏→充氬氣、升功率、熔料→引晶、縮頸、放肩、轉肩→等徑生長→收尾→降功率、停爐冷卻
4、 主要內容
A. 作業准備
a. 進入單晶車間須穿戴好潔凈工作服、鞋。
b. 開爐前，按工藝要求檢查水、電、氣，確認無誤後方能開爐。
c. 准備好一次性潔凈手套、耐高溫手套、毛巾、紙巾、研磨布、酒精、吸塵刷、吸塵管、防塵口罩。
d. 准備好鉗子、扳手和各類裝拆爐專用工具。
e. 取單晶的架子、裝石墨件的不銹鋼小車、裝堝底料的不銹鋼筒和裝硅料的不銹鋼小車，並處理干凈。
f. 用毛巾將爐體從上到下一遍，擦洗時注意不要將所有控制接線及開關碰斷或碰壞，並把爐子周圍清掃干凈。
B. 熱態檢漏
a. 檢查上一爐功率關閉時間，在單晶冷卻4.0小時（TDR-70A/B型單晶爐）、5.0小時（JRDL-800型單晶爐）後，關閉氬氣（只關閉氬氣閥門，主、付室流量計調節閥打開並分別調節到30L/Min），開始抽高真空，並作時間記錄。
b. 待爐內壓力到達極限（要求達到3Pa以下）後，先關閉主室球閥而後關閉真空泵電源進行檢漏，並作相應時間記錄，若0.5小時內抽不到3Pa以下時，交有關維修人員處理，在此期間須配合有關維修人員進行裝拆爐，並作相關記錄。
c. 檢漏要求3分鍾以上，漏氣率<0.34Pa/min為正常，同時作好漏氣率記錄，若漏氣率＞0.34Pa/min時，交有關維修人員處理，在此期間須配合有關維修人員進行裝拆爐，並作相關記錄。
C. 取單晶和籽晶
a. 熱態檢漏後，旋松付室小門4個螺絲，打開氬氣閥門充氬氣至常壓，關閉氬氣，旋開付室小門4個螺絲，打開付室小門。
b. 提升單晶至付室，從付室小門內確認單晶升至所需高度，若無異常，蓋住翻板閥，打開液壓泵，升起付室。
c. 把安全接盤移到爐筒口處，緩慢轉動付室至側面。
d. 把取單晶的架子放在付室爐筒正下方，准備接單晶。
e. 穩定單晶，移開安全接盤，按下籽晶快降，將單晶降入架子內。
f. 確認單晶完全入架子內後，按住籽晶，用鉗子將籽晶從細徑處鉗斷，鉗斷籽晶後，應穩定重錘，防止重錘快速轉動，損壞鋼絲繩。
g. 將籽晶從重錘上取下，放在指定場所，再將重錘升至付室內適當位置。
h. 將單晶移到中轉區，及時、准確的將單晶編號寫在單晶上，待自然冷卻後對單晶進行各項參數檢測並作好記錄。
D. 石墨件取出冷卻
a. 石墨小件取出
1) 打開液壓泵電源，按爐蓋升按鈕上升爐蓋。爐蓋上升到位後，再旋轉爐蓋到側面。
2) 戴好耐高溫手套按順序取出導流筒及保溫蓋放在裝石墨件的不銹鋼小車上，注意要拿穩並輕放。
3) 戴好耐高溫手套用鉗子夾住石英坩堝的上端部分提起，使其松動，將石英坩堝取出。若石英坩堝能將堝底料全部帶出直接放入不銹鋼筒；若不能則將先取出石英坩堝，剩下的堝底料隨三瓣堝一並取出後，再將堝底料放入不銹鋼筒內。若出現悶爐等意外情況則用鉗子像裝料一樣一塊塊取出，直至徹底取出。最後將不銹鋼筒移到指定地方，並寫上單晶編號，自然冷卻。冷卻後對堝底料進行重量檢測並作好記錄。
4) 戴好耐高溫手套依次取出三瓣堝、堝底放在裝石墨件的不銹鋼小車上，錯誤！鏈接無效。放上後要注意放穩當。
5) 用堝桿板手從堝桿中央孔的位置擰下不銹鋼螺絲，取出堝桿板手，再將堝桿連不銹鋼螺絲放在不銹鋼小車上，注意堆放穩當。
6) 取出的石墨件一並放在不銹鋼小車上，在不銹鋼小車邊掛上石墨件所屬爐號牌，移到指定的位置，自然冷卻，移動過程中注意石墨件放置，防止墜落。
b. 石墨大件的取出（一般5爐做一次，須作好大清記錄）
1) 取出上保溫罩放在不銹鋼小車上。
2) 取下熱電錐，將其及對應的密封及玻璃放到適當的位置以放損壞丟失。
3) 打開油泵開關，按住爐筒升按紐，升起爐筒至限位，旋轉爐筒，並降至適當位置。
4) 取出中保溫罩放在不銹鋼小車上。
5) 先取下加熱器螺絲蓋，再用專用工具取下加熱器螺絲後，取下加熱器螺絲和加熱器放在不銹鋼小車上。
6) 依次取出電極護套、電極石英環、堝桿護套、爐底上壓片、爐底上壓片下小石墨碳氈、排氣套管、下保溫罩、爐底壓片、爐底碳氈、石墨電極等放在不銹鋼小車上。在不銹鋼小車邊掛上石墨件爐號牌，移到指定的位置，自然冷卻，移動過程中注意石墨件放置，防止墜落。
E. 真空過濾器清洗
a. 准備好吸塵刷、吸塵管、酒精、紙巾、扳手，帶好手套、防塵口罩。
b. 用扳手打開真空過濾器蓋螺絲，取出過濾網。
c. 用吸塵刷仔細清洗過濾網及過濾器內的揮發物。
d. 將清洗後的過濾網緩慢放進過濾器內。
e. 用吸塵刷清洗過濾器蓋，用沾酒精的紙巾擦凈密封圈，並檢查密封圈是否完全就位，防止出現脫落或出槽影響抽空。
f. 蓋好過濾器蓋並用扳手上好過濾器蓋螺絲。
F. 真空泵油檢查更換
a. 確認關閉主泵球閥和真空泵，在放油單晶爐上掛檢修牌，將廢油桶置於真空泵放油口下方，打開上下腔放油開關，放完油後關閉上下腔放油閥，廢油倒入指定油桶。
b. 清洗真空泵（每5爐清洗一次），用扳手打開真空泵側蓋，置於適當位置，用毛巾徹底清理真空泵腔、側蓋和下腔濾油網的油污，清洗完畢後，安裝好濾網，安裝好側蓋。側蓋在打開、安裝時小心操作，防止損壞側蓋及油封而漏油。泵腔內禁止遺留紙屑或其它異物，不然會造成油路的堵塞導致真空泵卡死。清理真空泵的廢棄物放入指定垃圾桶。
c. 打開真空泵注油口，將真空泵油注入真空泵注油孔，觀察真空泵油位至油位觀察窗1/2位置，停止注油，打開泵側的油路管道閥門向下腔放油，關閉油口。
d. 啟動真空泵工作5min後關閉泵側的油路管道閥門，察看油位是否處於油位觀察窗1/3----1/2位置，關閉真空泵，在放油單晶爐上移去檢修牌。若低於下限重復c、d操作。
G. 石墨件清洗
a. 石墨件清洗
1) 石墨件必須在指定的清洗室進行清洗，准備好清洗用品(吸塵刷、紙巾、吸塵管、研磨布、除硅粒的專有工具、放石墨件的潔凈小車等)戴好手套、防塵口罩。清洗好清洗台及周圍環境。
2) 依次用吸塵刷清洗各類石墨件直至確認無污物，溝槽及介面等吸附揮發物較多的部位要用研磨布認真打磨後再吸塵清洗。
3) 清洗時注意檢查各石墨件是否有損壞及粘硅，有損壞及粘硅要及時更換和處理。
4) 操作時要輕拿輕放以免造成石墨件的損壞。
5) 清理完畢的石墨件放到事先准備好的潔凈不銹鋼小車上。禁止疊加，移動不銹鋼小車要穩當。
6) 清洗後垃圾放入垃圾指定處，清洗好清洗台及周圍環境。
b. 石墨大件爐內清洗（適用於每爐小清，石墨大件未取出時在爐內清洗）。
1) 用吸塵刷吸凈爐筒、保溫罩和加熱器上沿拆爐時掉落的殘渣。
2) 用吸塵刷仔細用力清洗保溫罩，加熱器所能觸及到的部位。
3) 取出加熱器螺絲蓋，檢查電極螺絲是否松動、膠落或粘硅。有松動須擰緊，有膠落或粘硅須更換。再蓋好加熱器螺絲蓋。
4) 如果在拆爐時不小心引起熱場移動或轉動一定要檢查熱場是否對稱，測溫孔要重新校正。如果側溫孔有偏離會影響測光信號，導致歐陸表數值過小，無法對爐內溫度進行自動控制無法成晶。
5) 用吸塵刷吸凈爐底上壓片、爐底波紋管、排氣孔內的附塵及殘渣。
6) 用帶有酒精的紙巾清理爐壁上部。
H. 單晶爐室清洗
a. 付室的清洗安裝
1) 准備好清洗棒、紙巾、酒精。
2) 在清洗棒上纏上沾有酒精的紙巾，清洗付室內部至上部，直至確認無污物。
3) 快速降下籽晶夾頭，用沾有酒精的紙巾認真擦洗重錘及鉬夾頭。需要時要將重錘摘下用研磨布認真打磨，並清洗干凈。摘下重錘時要慎重作業，防止鋼絲繩上彈造成鋼絲繩出槽。清洗鋼絲繩時要檢查其接頭部位是否老化或損壞，若有應截去一截鋼絲繩，防止在拉晶過程中單晶掉下。清洗好上升重錘到一定位置，升重錘時，不要使重錘晃動，防止重錘掛住付室下沿，拉斷鋼絲繩。
b. 小付室的清洗
1) 打開付室小門，用沾有酒精的紙巾擦洗小付室內的附著物。揮發物附著較多時，先用吸塵刷處理。
2) 用沾有酒精的紙巾認真擦洗付室抽氣口、其它小孔及翻板閥四周及轉軸。翻板閥的溝槽部位及焊縫處先用紙巾捲成利於操作的形狀再認真擦洗。
3) 清洗過的小付室將翻板閥蓋住閥口，並關閉付室小門。
4) 用潔凈的紙巾將小付室上口蓋住。
c. 爐蓋清洗
1) 先用紙巾擦洗內壁(氧化物過多先用吸塵刷清理)。
2) 小孔部位、觀察窗部位、伊爾根部位、閥口部位等各處的介面及焊介面等不易清洗的部位要用沾有酒精的紙巾認真擦洗，直至確認無污物。
3) 硅粉強力附著時或爐蓋局部發黑、發白時要用研磨布認真研磨直至爐蓋整個內壁出現光亮無污物。
4) 觀察窗、伊爾根窗口要認真清理，所有小孔的位置要把紙巾捲成卷以便伸進氣孔內部更容易清理直至沒有污物。
d. 爐筒清洗
1) 先用紙巾擦洗內壁(氧化物過多先用吸塵刷清理)。
2) 取光孔部位要用沾有酒精的紙巾認真擦洗，直至確認無污染。
3) 硅粉強力附著時或爐筒局部發黑、發白時要用研磨布認真研磨直至爐筒整個內壁出現光亮無污物。
e. 抽氣管道清洗。
1) 用扳手打開抽氣管道上的封蓋螺絲，取下封蓋和密封圈。
2) 用一頭纏鋼絲球的長棒伸入管道抽動，另一頭用吸塵刷吸除抽氣管道內的揮發物。
3) 用沾有酒精的紙巾認真擦洗封蓋和密封圈，再安裝好。
I. 石墨件安裝
a. 清洗後的石墨大件安裝（一般5爐做一次）。
1) 清理完畢的石墨大件不銹鋼小車移到單晶爐旁邊，移動過程要穩當。
2) 依次裝好石墨電極、爐底碳氈、爐底壓片、下保溫罩，兩側排氣管、爐底上壓片下小石墨碳氈，爐底上壓片、堝桿護套、電極護套、石英電極環。安裝電極時檢查接觸面是否平整，上下接觸面要放一層石墨紙，防止熱場打火。
3) 將清洗後的加熱器裝好，擰上石墨螺絲，要擰緊，不然要引起熱場打火，並蓋上石墨螺絲蓋。
4) 將清洗後的中保溫罩裝好，卡口接到位。並校正與加熱器的間距，要均勻一致，否則需調整好。
5) 爐筒復位，打開液壓泵，升起爐筒至上限，用沾有酒精的紙巾擦洗下爐筒上部的結合部和爐筒下部的結合部，同時轉動爐筒到適當位置。
6) 按爐筒降，爐筒降到位後，校對測溫孔，防止測光信號過小無法溫度自控。
7) 安裝熱電錐，將其及對應的密封及玻璃按原次序裝好。
8) 將清洗後的上保溫罩裝好，並卡口接到位。
b. 清洗後石墨小件安裝。
1) 用專用工具裝好堝桿。一定要擰緊堝桿螺絲，防止因松動造成液面晃動
2) 依次裝好堝底、三瓣堝。安裝時要確認堝桿、堝底、三瓣堝是否吻合，要認真、細心，防止碰壞保溫材料或加熱器。
3) 裝好後要打開堝轉旋轉一下，以檢驗三瓣堝與加熱器間距上否一致。若不一致，需及時調整。
J. 石英坩堝安裝
a. 爐筒、爐蓋的外側及周遍，用沾有酒精的紙巾擦洗平干凈，爐體周圍地面認真打掃。
b. 從指定的場所將指定石英坩堝取來。帶好防塵口罩、裝料用的潔凈手套。
c. 檢查石英坩堝包裝上標識與配料單上否一致，打開石英坩堝包裝，對光確認有無裂紋、污物、氣泡。若有異常及時處理並報告班長或主任。
d. 在爐內的石墨三瓣堝內裝好石英坩堝，注意四周間隙一致。
e. 在操作記錄上記好所用石英坩堝編號，生產廠家，同時保管好石英坩堝標簽號，放入指定地方。
K. 硅料安裝
a. 取來裝料不銹鋼車和硅料，仔細核對配料單的各項內容是否與單晶爐號、配料實物一致，若有異常及時處理並報告班長或主任。
b. 更換裝料用的手套，如有母合金先放入石英坩堝。再將碎料、小料平鋪在堝底。
c. 將大塊料放置中央，用中型料放於大料四周上方左右予以固定，間隙中放入小硅料。裝料時要慎重作業，輕拿輕放，防止碰撞石英坩堝，不要使料掉在保溫罩的縫隙，以免造成打火。
d. 裝料時注意不要使料探出石英坩堝，否則會在熔料過程中引起硅液流下，損壞石墨件，甚至燜爐。
e. 裝料完成後打開堝轉旋轉一下，確認四周間隙一致，再快速將堝降至下限。停止旋轉。
f. 堝上部、加熱器上部、保溫罩上部再用干凈吸塵刷吸凈浮塵及硅渣。
g. 依次裝好保溫蓋、導流筒。安裝保溫罩、導流時要相互吻合，安裝導流筒時要慎重作業，如果與硅料發生接觸時要調整硅料的擺放，防止在化料過程中發生沾硅。
L. 籽晶安裝
a. 用沾有酒精的紙巾擦洗爐蓋和爐筒接合部的密封圈，再將爐蓋旋轉至爐筒上部。
b. 打開液壓泵電源，按爐蓋降按鈕降下爐蓋。爐蓋降到位後確認爐蓋是否合好，防止漏氣。
c. 用沾有酒精的紙巾擦洗付室下部的接合部和爐蓋上部的接合部，轉動付室，降下與爐蓋合爐。要緩慢轉動付室，防止重錘與付室內壁碰撞。
d. 從指定的場所將腐蝕好的籽晶取來，用沾有酒精的紙巾認真擦洗籽晶。注意不要直接用手接觸籽晶，防止汗漬污染籽晶。
e. 下降籽晶夾頭到一定位置，從付室小門中把籽晶裝在夾頭上，裝好鉬銷。用力向下拉一下籽晶使其牢固，穩定好籽晶後按晶快升使其上升至適當位置。
f. 用沾有酒精的紙巾擦洗付室小門的密封圈和接合部，關閉付室小門，擰上付室小門螺絲，打開翻板閥。
M. 抽空、檢漏
a. 打開真空泵電源。
b. 緩慢打開主室球閥。
c. 抽空後爐內壓力達到<20Pa 時，進行反復充氬氣使爐內壓力<5Pa。
d. 待爐內壓力<5Pa後，關閉主室球閥而後關閉真空泵電源之後進行測漏，要求爐子漏氣速率<0.67Pa/min，檢漏時間3分鍾。檢漏合格進入加熱熔料工序。
e. 若爐子漏氣速率>0.67Pa/min，則需重復a、b、c、d步進行抽空檢漏，若仍不合格報告維修人員處理。並進行相應記錄。
N. 充氬氣、升功率、熔料
a. 抽空檢漏合格後，再打開真空泵電源。
b. 緩慢打開球閥。
c. 打開氬氣充氣系統，調節付室氬氣流量在20~30L/Min，使爐內壓力穩定在1000~1500Pa。
d. 打開加熱開關。
e. 根據下表通過歐陸表分步增加功率。每次加溫均作相應記錄。對歐陸表的使用應小心操作，防止功率迅速增大，瞬時造成變壓器負荷過大，或對整個加熱迴路造成瞬間電流過大而打火或損壞。應嚴格按照加熱順序進行加熱，否則可能會溫度突然上升造成石英坩堝破裂、漏硅。
時間 功率
0min 50KW
30min 70KW
60min <100KW
f. 熔料過程中時刻注意觀察爐內的情況,若無異常塌料後給定堝轉2r/min，上升適當堝位。並進行相應記錄。升堝時注意不要使硅液面觸到導流筒下沿。升完堝後通過對堝位標尺的確認堝無動作，方可完成，否則會使導流筒粘硅，發生跳硅。
g. 料熔完時，降低加熱功率至引晶溫度(與上爐對應)。給定堝轉到5~7r/min，並進行相應記錄。
h. 歐陸表值降至引晶溫度對應的數值時切入自動，將堝升至引晶堝位穩定即導流筒至液面距離為15mm左右。引晶堝位也可在上爐裝料基礎上根據投料量增加/減少量，來確定本次引晶堝位，具體可參照附錄A引晶位置變化參考表。並進行相應記錄。
O. 引晶、縮頸、放肩、轉肩
a. 測電阻率取樣
1) 溫度切入自動後，按籽晶快降，將籽晶降至從主觀察窗剛能看到的位置，並打開晶轉電源，給定晶轉10~12r/min。
2) 20分鍾後，降籽晶使之與液面接觸，通過歐陸表調整溫度開始放肩。
3) 將肩放至直徑50~60mm提離液面上升到至付室，打開付室氬氣後蓋住翻板閥，打開主爐室氬氣，調節流量到爐壓和原來一致。
4) 增大付室氬氣流量。擰松付室小門螺絲，等付爐室爐壓表指示到0時，打開付室小門，關閉氬氣。
5) 緩慢調節晶轉為0 r/min，關晶轉。
6) 用鉗子取出籽晶下放肩部位，取籽晶時要慎重作業，不可用手直接接觸籽晶，防止燙傷。等冷卻後去測電阻率。
7) 等籽晶冷卻後用紙巾擦洗干凈，關閉付室小門。
b. 付泵抽空作業
1) 合好付室爐筒或關閉付室小門後打開付泵電源。
2) 慢慢打開後面的付室抽氣球閥，直至全開。
3) 付室壓力表抽至－0.05～-0.1Mpa時打開付室氬氣閥，同時關閉付泵球閥。
4) 付室壓力表充至0～-0.05Mpa時關閉付室氬氣閥，同時打開付泵球閥。
5) 步驟3和步驟4反復操作三次.
6) 最後根據壓力表指針確認付室與主室氣壓達到一致，關閉付室球閥，然後關閉付泵電源。
7) 緩慢打開翻板閥。打開翻板閥時要緩慢操作，防止損壞或擠出閥口密封圈。
8) 打開付室氬氣閥至正常流量，關閉主室氬氣閥。
c. 補摻母合金
1) 若電阻率測試結果在目標范圍時，可進行下一步預熱接觸引晶；若有偏離，須補摻母合金，由組長根據電阻率測試結果和投料量計算出補摻母合金的類型和數量，並去取出稱量，進行補摻，作好相應記錄。
2) 補摻過程同a測電阻率取樣一樣，只是放肩放到100~150mm，盡量放平肩。
3) 打開付爐室門後，不取下籽晶，而將已稱量的母合金放在平肩上。放母合金時要慎重作業，不可用手直接接觸籽晶，防止燙傷。
4) 再按b付泵抽空作業後，適當調節熔硅溫度，把籽晶和母合金降到液面中，使其熔化摻入。
5) 再重復a測電阻率取樣，b付泵抽空作業， c補摻母合金，直到電阻率測試合格進入下一工序。
d. 預熱接觸
1) 電阻率合格後按籽晶快降，將籽晶降至從主觀察窗剛能看到的位置，並打開晶轉電源，給定晶轉10~12r/min。
2) 20分鍾後，按籽晶快降按鈕將籽晶降至距硅液面10mm處預熱20分鍾。作好相應記錄。必須預熱，不然會由於籽晶由低溫區到高溫區、由固定到液態轉變時，溫差太大造成籽晶產生位錯。
3) 籽晶快速上升或下降的位置必須給予確定，升降操作方可完成，否則會溶掉籽晶甚至重錘，升至上限時會導致重錘掉下進入溶硅內，造成漏硅或整爐料徹底報廢，無法再次利用。
4) 降籽晶使之與硅液面接觸，浸潤20分鍾，熔去籽晶較細的部分，根據接觸光圈的形狀，確定引晶溫度是否合適，若合適開始引晶；若不合適，通過歐陸表調整溫度20分鍾後開始引晶，溫度不宜偏低。

Ⅷ 請問一下單晶爐的價格

我了解的是100000元 ,忘了是什麼牌子

Ⅸ 單晶爐在國內發展多久了

40多年了，最早是西安理工大學的理工晶科。現在生產8大系列.40多個品種，浙江大學與美國HAMCO公司合作生產CG-6000型單晶爐實現的從抽真空開始全部自動化。2005年開始生產的後起之秀上海漢虹由於其性能穩定、操作簡便、成晶率高等優點受到業內好評。希望採納。
歡迎到鶴壁職業技術學院就讀光伏專業

Ⅹ 天重硅晶公司的單晶爐是怎麼命名的

天重硅晶科技有限公司的單晶爐型號由四部分組成：
第一部分為SCP，是指天重硅晶科技有限公司。
第二部分為一組數字，指單晶爐一次性最大裝料量，單位公斤。
第三部分為分類型號，無字母代表基本型，P代表專業型，Z代表全自動型。
第四部分為改進型或特殊功能型，詳細說明如下。
1 （無字母） 標准型
2 m 磁場型 專用
3 w 網路型 專用
4 a 第一次改型
5 b 第二次改型
6 （字母排序） 第n次改型

舉例說明：
SCP90 代表規格為90公斤裝料量的標准基本型單晶爐；
SCP90a 代表規格為90公斤裝料量的標准基本型第一次改型單晶爐；
SCP90Pw 代表規格為90公斤裝料量的網路專業型單晶爐；
SCP120Pmb代表規格為120公斤裝料量的磁場專業型第二次改型單晶爐；