4g晶元行業發展的政策環境分析

① 對晶元行業前景的看法

中國「芯」發展迅猛

在政策大力支持下，國內人工智慧晶元市場發展迅猛。艾媒數據顯示，2019年我國人工智慧晶元市場規模為115.5億元，未來5G商用的普及將催生AI晶元在軍用、民用等多個領域的應用需求，中國政府也有望趁5G的領先優勢，傾注大量資源發展AI晶元，搶占科技戰略制高點。

在政策、市場、技術等合力作用下，中國AI晶元行業將快速發展，在國際上的話語權也將持續加強，預計2023年市場規模將突破千億元。

——更多數據請參考前瞻產業研究院《中國人工智慧晶元行業市場需求分析與投資前景預測》。

② 國內集成電路行業，目前的情況怎麼樣前景如何

我這里有一份。要的話可以給你發一份。

2011 年 1月 2日
中國集成電路產業發展現狀 中國集成電路產業發展現狀 集成電路產業發展
關鍵詞：中國集成電路現狀
集成電路產業是知識密集、技術密集和資金密集型產業，世界集成電路產業發 展迅速，技術日新月異。2003年前中國集成電路產業無論從質還是從量來說都不 算發達， 但伴隨著全球產業東移的大潮， 中國的經濟穩定增長， 巨大的內需市場， 以及充裕的人才，中國集成電路產業已然崛起成為新的世界集成電路製造中心。 二十一世紀， 我國必須加強發展自己的電子信息產業。 它是推動我國經濟發展， 促進科技進步的支柱，是增強我國綜合實力的重要手段。作為電子信息產業基 礎的集成電路產業必須優先發展。只有擁有堅實的集成電路產業，才能有力地 支持我國經濟、軍事、科技及社會發展第三步發展戰略目標的實現。
一、我國集成電路產業發展迅速 1998 年我國集成電路產量為 22.2 億塊，銷售規模為 58.5 億元。 到 2009 年，我國集成電路產量為 411 億塊，銷售額為 1110 億元，12 年間產量 和銷售額分別擴大 18.5 倍與 20 倍之多，年均增速分別達到 38.1%與 40.2%，銷 售額增速遠遠高於同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中國集成電路產業重大變化 2008年是中國集成電路產業發展過程中出現重大變化的一年。 全球金融危機不 僅使世界半導體市場衰退，同時也使中國出口產品數量明顯減少，佔中國出口總 額1/3左右的電子信息產品增速回落，其核心部件的集成電路產品的需求量相應 減少。 人民幣升值也是影響產業發展的一個不可忽視的因素， 因為在目前國內集成電 路產品銷售額中直接出口佔到70%左右， 人民幣升值對於以美元為結算貨幣的出 口貿易有著重要影響，人民幣兌美元每升值1%，國內集成電路產業整體銷售額 增幅將減少1.2到1.4個百分點，在即將到來的2011年裡，人民幣加速升值值得關 注。 三、中國集成電路產品產銷概況 中國集成電路產品產銷概況 中國集 2008年中國集成電路產業在產業發展周期性低谷呈現出增速逐季遞減狀態， 全年 銷售總額僅有1246.82億元，比2007年減少了0.4%，出現了未曾有過的負增長局 面；全年集成電路產量為417.14億塊，較2007年僅增長了1.3%。近幾年我國集成 電路產品產量和銷售額的情況如圖1和圖2所示：
圖1 2003—2008年中國集成電路產品產量增長情況
圖2 2003—2008年中國集成電路產品銷售額增長情況 由上圖可知，最近幾年我國集成電路產品銷售額雖逐年上升，但上升的速度卻 緩慢，這是因為在國務院18號文件頒布後的五年中，中國集成電路產業的產品銷 售額一直以年均增長率30%以上的速度上升， 是這個時期世界集成電路增長速度 的3倍，是一種階段性的超高速發展的狀態；一般情況下，我國集成電路產業年 均增長率能保持在世界增長率的1.5倍左右已屬高速發展，因此，在2007年以後， 我國集成電路產業的年增長速度逐步減緩應屬正常勢態， 在世界集成電路產業周 期性低谷階段，20%左右的年增長率仍然是難得的高速度。世界經濟從美國次貸 危機開始逐步向全世界擴展，形成金融危機後又向經濟實體部門擴散，從2008
年開始對中國集成電路產業產生影響，到第三季度國際金融危機明顯爆發後，中 國集成電路產業銷售額就出現了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形態。圖3 是這個變化過程。
圖3 2006Q1－2008Q4中國集成電路產品銷售收入及同比(季期)增長率 中國集成電路產業的發展得益於產業環境的改善， 抵禦金融危機的影響政策 十分顯著。2008年1月，財政部和國家稅務總局發布了《關於企業所得稅若干優 惠政策的通知》(財稅〔2008〕1號)，對集成電路企業所享受的所得稅優惠十分 重視。日前通過的《電子信息產業調整和振興規劃》 ，又把「建立自主可控的集成 電路產業體系」作為未來國內信息產業發展的三大重點任務之一，在五大發展舉 措中明確提出「加大投入，集中力量實施集成電路升級」。2005年由國務院發布的 《國家中長期科學和技術發展規劃綱要 (2006━2020年)》(國發[2005]44號),確定 並安排了16個國家重大專項，其中把「核心電子器件、高端通用晶元及基礎軟體 產品」與「超大規模集成電路製造裝備及成套工藝」列在多個重大專項的前兩位； 2008年4月國務院常務會議已審議並原則通過了這兩個重大專項的實施方案，為 專項涉及的相關領域提供了良好的發展契機。 中國各級政府對集成電路產業發展 的積極支持和相關政策的不斷落實， 對我國集成電路產業的發展產生了積極的影 響。 四、中國集成電路產品需求市場 近些年來，隨著中國電子信息產品製造業的迅速發展，在中國市場上對集成 電路產品的需求呈現出飛速發展的勢態，並成為全球半導體行業的關注點，即使 中國集成電路產品的需 在國內外半導體產業陷入低迷並出現了負增長的2008年，
求市場仍保持著增長的勢頭， 這是由中國信息產品製造業的銷售額保持著10%以 上的正增長率所決定的。 中國最近幾年的集成電路產品市場需求額變化情況如圖 4所示。
圖4 2004-2008年中國集成電路市場需求額 五、我國集成電路產業結構 設計、製造和封裝測試業三業並舉，半導體設備和材料的研發水平和生產能 力不斷增強，產業鏈基本形成。隨著前幾年 IC 設計業和晶元製造業的加速發展， 設計業和晶元製造業所佔比重逐步上升，國內集成電路產業結構逐漸趨於合理。 2006年設計業的銷售額為186.2億元， 比2005年增長49.8%； 2007年銷售額為225.7 億元，比2006年增長21.2%。晶元製造業2006年銷售額為323.5億元，比2005年增 長了38.9%； 2007年銷售額為397.9億元， 比2006年增長又23.0%。 封裝測試業2006 年銷售額為496.6億元，比2005年增長43.9%；2007年銷售額為627.7億元，比2006 年增長26.4%。2001年我國設計業、晶元製造業、封測業的銷售額分別為11億元、 27.2億元、161.1億元，分別佔全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%，產業結構 不盡合理。 最近5年來， 在產業規模不斷擴大的同時，IC 產業結構逐步趨於合理， 設計業和晶元製造業在產業中的比重顯著提高。到2007年我國 IC 設計業、晶元 製造業、封測業的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元，分別佔全年 總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。 半導體設備材料的研發和生產能力不斷增強。 在設備方面， 65納米開始導入生產， 中芯國際與 IBM 在45納米技術上開展合作，FBP（平面凸點式封裝）和 MCP（多
晶元封裝）等先進封裝技術開發成功並投入生產，自主開發的8英寸100納米等離 子刻蝕機和大角度離子注入機、12英寸矽片已進入生產線使用。在材料方面，已 研發出8英寸和12英寸硅單晶，硅晶圓和光刻膠的國內生產能力和供應能力不斷 增強。
但是2008年，國內集成電路設計、晶元製造與封裝測試三業均不同程度的受 到市場低迷的影響，其中晶元製造業最明顯，全年晶元製造業規模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要晶元製造企業均出現了產能閑置、業績下滑的情 況；封裝測試業普遍訂單下降、開工率不足，全年增幅為-1.4%；集成電路設計 業也受到國內市場需求增長放緩的影響， 由於重點企業在技術升級與產品創新方 面所做的努力部份地抵禦了市場需求不振所帶來的影響， 全年增速仍保持在正增 長狀態，為4.2%，高於國內集成電路產業的整體增幅。如圖5所示。
圖5 2008年中國集成電路產業基本結構
六、集成電路技術發展 集成電路技術發展 我國技術創新能力不斷提高，與國外先進水平差距不斷縮小。從改革開放之初 的 3 英寸生產線，發展到目前的 12 英寸生產線，IC 製造工藝向深亞微米挺進， 封裝測試水平從低端邁向中 研發了不少工藝模塊， 先進加工工藝已達到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先進封裝形式的開發和生產
方面取得了顯著成績。IC 設計水平大大提升，設計能力小於等於 0.5 微米企業比 例已超過 60%，其中設計能力在 0.18 微米以下企業占相當比例，部分企業設計 水平已經達到 100nm 的先進水平。設計能力在百萬門規模以上的國內 IC 設計企 業比例已上升到 20%以上，最大設計規模已經超過 5000 萬門級。相當一批 IC 已投入量產，不僅滿足國內市場需求，有的還進入國際市場。 總之，集成電路產業是信息產業和現代製造業的核心戰略產業，其已成為一些 國家信息產業的重中之重。 2011年我國集成電路產業的發展將勉勵更好的發展環 境，國家政府的支持力度將進一步增加，新的扶植政策也會盡快出台，支持研發 的資金將會增多，國內市場空間更為廣闊，我國集成電路產業仍將保持較快的發 展速度，佔全球市場份額比重必會進一步增大！！ ！
附錄： 附錄： 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 1947 年，美國貝爾實驗室發明了晶體管。 1956 年，中國提出「向科學進軍」，把半導體技術列為國家四大緊急措施 之一。 1957 年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用 物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接 觸二極體和三極體（即晶體管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）單晶。 1962 年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs） ，為研究制備其他化合物半導體打 下了基礎。 1962 年，我國研究製成硅外延工藝，並開始研究採用照相製版，光刻工藝。 1963 年，河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。 1964 年，河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。 1965 年 12 月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，並 在國內首先鑒定了 DTL 型（二極體――晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966 年底， 在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了 TTL 電路產品。 這些小規模雙極型數字集成電 路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路 等。標志著中國已經製成了自己的小規模集成電路。 1968 年，組建國營東光電工廠（878 廠） 、上海無線電十九廠，至 1970 年建 成投產，形成中國 IC 產業中的「兩霸」。 1968 年，上海無線電十四廠首家製成 PMOS（P 型金屬－氧化物半導體）電 路（MOSIC） 。拉開了我國發展 MOS 電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研 究所（現電子第 24 所） 、上無十四廠和北京 878 廠相繼研製成功 NMOS 電路。之
後，又研製成 CMOS 電路。 七十年代初，全國掀起了建設 IC 生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路 工廠建成。 1972 年，中國第一塊 PMOS 型 LSI 電路在四川永川半導體研究所研製成功。 1973 年，我國 7 個單位分別從國外引進單台設備，期望建成七條 3 英寸工 藝線，最後只有北京 878 廠，航天部陝西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。 1976 年 11 月，中國科學院計算所研製成功 1000 萬次大型電子計算機，所 使用的電路為中國科學院 109 廠（現中科院微電子中心）研製的 ECL 型（發射極 耦合邏輯）電路。 1982 年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742 廠）IC 生產線建成驗收投產， 這是中國第一次從國外引進集成電路技術。 1982 年 10 月，國務院為了加強全國計算機和大規模集成電路的領導，成立 了以萬里副總理為組長的「電子計算機和大規模集成電路領導小組」， 制定了中 國 IC 發展規劃，提出「六五」期間要對半導體工業進行技術改造。 1983 年，針對當時多頭引進，重復布點的情況，國務院大規模集成電路領 導小組提出「治散治亂」， 集成電路要「建立南北兩個基地和一個點」的發展戰 略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽，一 個點指西安，主要為航天配套。 1986 年，電子部廈門集成電路發展戰略研討會，提出「七五」期間我國集 成電路技術「531」發展戰略，即普及推廣 5 微米技術，開發 3 微米技術，進行 1 微米技術科技攻關。 1989 年 2 月，機電部在無錫召開「八五」集成電路發展戰略研討會，提出 了「加快基地建設，形成規模生產，注重發展專用電路，加強科研和支持條件， 振興集成電路產業」的發展戰略。 1989 年 8 月 8 日， 廠和永川半導體研究所無錫分所合並成立了中國華晶 742 電子集團公司。 1990 年 10 月，國家計委和機電部在北京聯合召開了有關領導和專家參加的座談 會，並向黨中央進行了匯報，決定實施九 O 八工程。 1995 年，電子部提出「九五」集成電路發展戰略：以市場為導向，以 CAD 為突破口，產學研用相結合，以我為主，開展國際合作，強化投資，加強重點工 程和技術創新能力的建設，促進集成電路產業進入良性循環。 1995 年 10 月，電子部和國家外專局在北京聯合召開國內外專家座談會，獻 計獻策，加速我國集成電路產業發展。11 月，電子部向國務院做了專題匯報， 確定實施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海華虹集團與日本 NEC 公司合資組建的上海華虹 NEC 電子有限公司組建，總投資為 12 億美元，注冊資金 7 億美元，華虹 NEC 主要承 擔「九 0 九」工程超大規模集成電路晶元生產線項目建設。 1998 年 1 月 18 日，「九 0 八」 主體工程華晶項目通過對外合同驗收，這 條從朗訊科技公司引進的 0.9 微米的生產線已經具備了月投 6000 片 6 英寸圓片 的生產能力。 1998 年 1 月，中國華大集成電路設計中心向國內外用戶推出了熊貓 2000 系 統，這是我國自主開發的一套 EDA 系統，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要， 可處理規模達百萬門級，支持高層次設計。 1998 年 2 月 28 日，我國第一條 8 英寸硅單晶拋光片生產線建成投產，這個
項目是在北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心進行的。 1998 年 4 月，集成電路「九 0 八」工程九個產品設計開發中心項目驗收授 牌，這九個設計中心為信息產業部電子第十五研究所、信息產業部電子第五下四 研究所、上海集成電路設計公司、深圳先科設計中心、杭州東方設計中心、廣東 專用電路設計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業自動化研究所和航天工 業 771 研究所。這些設計中心是與華晶六英寸生產線項目配套建設的。 1998 年 3 月，由西安交通大學開元集團微電子科技有限公司自行設計開發 的我國第一個-CMOS 微型彩色攝像晶元開發成功，我國視覺晶元設計開發工作取 得的一項可喜的成績。 1999 年 2 月 23 日，上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片，工藝技術檔次 從計劃中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主導產品 64M 同步動態存儲器（S－ DRAM） 這條生產線的建-成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規模集 。 成電路晶元生產線。 2000 年 7 月 11 日，國務院頒布了《鼓勵軟體產業和集成電路產業發展的若 干政策》 隨後科技部依次批准了上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 個國家級 IC 設計產業化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直徑 8 英寸硅單晶拋光片國家高技術產業化示範工程項 目在北京有色金屬研究總院建成投產；3 月 28 日，國務院第 36 次常務會議通過 了《集成電路布圖設計保護條例》 。 2002 年 9 月 28 日，龍芯 1 號在中科院計算所誕生。同年 11 月，中國電子 科技集團公司第四十六研究所率先研製成功直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶， 實現 了我國直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶研製零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內 IC 設計 第一股。 2006 年中星微電子在美國納斯達克上市。隨即珠海炬力也成功上市。 2007 年展訊通信在美國納斯達克上市。 2008 年《集成電路產業「十一五」專項規劃》重點建設北京、天津、上海、 蘇州、寧波等國家集成電路產業園。

③ 電源管理晶元市場現狀及未來發展趨勢詳解

行業概況

1、行業定義

電源管理集成電路(IC)屬於模擬晶元，是電子設備的電能供應心臟，負責電子設備所需的電能變換、分配、檢測等管控功能。電源管理晶元是電子設備中的關鍵器件，其性能優劣對電子產品的性能和可靠性有著直接影響，廣泛應用於各類電子產品和設備中，是模擬晶元最大的細分市場之一。

電源管理晶元同步電子產品技術和應用領域升級，產品種類繁多。主要類型包括：電源管理、AD/DC、DCDC、鋰電池充電管理晶元、CPU電源監測電路、負載開關、LED驅動器等。廣泛應用於手機與通訊、消費類電子、工業控制、醫療儀器、汽車電子等應用領域，隨著物聯網、新能源、人工智慧、機器人等新興應用領域的發展，電源管理晶元下游市場持續發展。

—— 以上數據來源於前瞻產業研究院《中國晶元行業市場需求與投資規劃分析報告》

④ 晶元危機蔓延至小家電產業，這次晶元危機是因為什麼

晶元危機蔓延至小家電產業，這次晶元危機是因為什麼？晶元製造行業現在出現很多問題，首先來說缺少晶元已經蔓延到各個領域，這種情況是如何出現，實際上是一個綜合原因，造成下面給大傢具體說明，朋友們可以參考下面分析：

第三，由於壟斷技術，從而導致全球出現晶元危機：

對於目前世界晶元技術發展走勢來看，壟斷已經成為一個巨大危機，現在在晶元生產鏈方面，只有某些企業具備全面生產能力，可是他們在整體的布局上都是使用了壟斷性的技術，從而讓全球很多企業沒有這樣的生產能力，這就導致晶元供應出現了很多的缺口，這樣的情況下，自然會造成晶元危機，所以打破技術壟斷是未來晶元解除危機的唯一方法，也是未來晶元行業一個繁榮向上的基礎。晶元技術被壟斷，對於世界來講是一個災難，特別是一些企業，對於晶元技術的控制，已經造成了全球技術方面的危機，從而晶元危機也會爆發。

⑤ 國產晶元訂單量井噴，國產晶元有哪些競爭優勢呢

國產晶元訂單量井噴，國產晶元有哪些競爭優勢呢？我國現在晶元產業發展越來越快速，人才也開始越來越集中，現在隨著晶元供應鏈比較緊張，中國晶元確實具有非常強大競爭力，下面給大傢具體分析一下，朋友們參考：

第三，中國經濟蓬勃發展，為晶元行業競爭優勢提供了最大可能性：

每一個行業想要發展，必須有一個良好的經濟土壤，作為中國晶元企業，他們已經具備了非常好的市場經濟模式，在中國目前經濟發展來看，已經成為世界上有吸引力的國家。由於中國經濟良好，市場龐大，所以能夠讓中國晶元企業具備巨大的競爭力，從而讓整個企業沒有後顧之憂，畢竟守著這樣大的經濟市場，根本不愁沒有銷路，所以從這一點上來講，中國企業具備先天競爭優勢，因為中國經濟發展勢頭越來越好，這個競爭優勢是其他國家企業不具備的。

⑥ 四部委為推進晶元行業的發展，出台了什麼政策

科學技術是第一生產力！科學技術雖然沒有國界，但是肯學家有國界。我們只有自己掌握最核心的科學技術，才可以更好的發展。不能在核心領域獲得相應的自主知識產權，我們的經濟命脈別人說掐斷，就會毫不留情的掐斷。

在這樣的情況下，我們國家也是鼓勵高新技術的不斷創新。晶元行業作為，高新技術的代錶行業，也是獲得了很大的優惠政策。12月17日，四部委也是重新明確了集成電路產業和軟體產業，在企業所得稅方面可以享受的相關優惠政策。具體來看，稅收優惠政策主要體現在以下兩個方面。

在企業所得稅方面，除了稅收減免和減半的優惠以後。在彌補虧損年限方面也是給予很大的優惠力度。屬於符合規定的企業，以前5個納稅年度尚未彌補完的虧損，可以享受最長10年的補虧年限。

各位，對於晶元行業可以享受的稅收優惠，您有什麼想說的，可以在評論區暢所欲言。

⑦ 股票，晶元行業前景如何

總的來看，當前我國晶元產業，一方面具備比較優勢的中游製造環節已出現了較好的發展態勢;另一方面國內晶元產業依然還是處於發展初期，關鍵領域晶元的自給率仍然較低。分析人士表示，以晶元產業為代表的新興產業，其涌現具有劃時代的意義，它不僅是中國及世界經濟轉型發展的風向標，也是新興產業崛起的一次契機。隨著我國晶元產業的持續發展及利好政策的陸續出台，該領域已開始受到資本市場的關注。

數據顯示，目前已上市的集成電路設計公司超過20家，有70家半導體和元器件行業的A股上市公司，多家上市公司借力A股市場實行海外並購。機構投資者在半導體公司的股權佔比已超過35%，有的甚至更高。而根據三季報披露顯示，共有18隻晶元概念股的前十大流通股股東名單中出現社保基金、險資、券商、QFII等四大機構身影。其中，長電科技、士蘭微、東軟載波、納思達、晶方科技、通富微電等6隻個股均為上述機構在今年三季度新進或增持的品種。

此外，當前晶元國產化政策的支持也在不斷加碼。根據《中國製造2025》中提出,到2020年,我國晶元自給率將達到40%,2025年將達到50%。以目前的7%自產率為基點,年復合增長率將超20%。未來10年我國將是全球半導體行業發展最快的地區,也將有望成為以晶元製造為首的半導體產業領域全球引領者,產業鏈上有望將形成數萬億元的「大藍海」市場。至2030年左右,隨著全球集成電路廠商在中國建廠，我國成為全球半導體生產和應用中心將是大概率事件。

晶元設計位於半導體產業的最上游，是半導體產業最核心的基礎，擁有極高的技術壁壘，需要大量的人力、物力投入，需要較長時間的技術積累和經驗沉澱。目前，國內企業在 CPU 等關鍵領域與國外企業仍有較大的技術差距，短時間內實現趕超具有很大難度。但從近幾年的產業發展來看，技術差距正在逐步縮小。同時，在國家大力倡導發展半導體的背景下，逐步實現晶元國產化可期。以上就是給您分析的中國晶元行業發展前景了。
1、看歷史收益和去年收益以及近期年報收益，收益和增長率是最能體現一個上市公司是否賺錢的最直接的要素，如果收益和增長率較高，那麼自然這個上市公司具有股票投資價值。
2、看歷史分紅，一般說來好的公司都會經常性的進行股票分紅和配股，如果一個公司自上市以來就很少分紅或者從不分紅的話，那麼自然就不具備長期投資的價值了。
3、看所處行業，當前部分傳統行業處於發展的瓶頸期，在經濟社會發展轉型的關鍵時期，如果不選准行業，會讓投資變得盲目，所以我們應該選擇一些諸如高科技行業、新能源行業、互聯網行業、環保行業和傳媒行業等等的優質個股。
4、看上市公司的核心技術，如果一個公司在所處的領域或產業鏈內具有核心的技術和明顯的核心競爭力的話，那麼這個企業必然具有長期的投資價值。
5、在選擇長期投資的時候，也可以考慮並購和重組股，如果企業能夠通過並購和重組，能夠鞏固在行業內的核心地位的股票，我們應該予以重視，因為這種票具有很好的發展前景。
6、我們在選擇的時候還要注意國家在一段時期內的大戰略。如果我們的想法和上層的思維和戰略一致的話，那麼一定能夠賺錢的。
很多公司從持久來看，盈利與股票價錢上漲之間存在著一個近乎逐一對應的關系。若是盈利每年增添15%，那麼股票價錢也很可能按照接近15%年增添率上漲。 （制訂15%的方針主若是為了戰勝通貨膨脹+無風險利率，以抵償你持有股票而不是固定收益的額外風險）
我們在炒股的時候不能夠只看眼前，需要把眼光放長遠一些，有的股票和公司現在看起來不太好，可能長遠下來價值會上漲也是說不定的。

⑧ 台積電總裁鼓勵員工休假，股價跌超4%，晶元行業未來的前景怎麼樣

我覺得晶元行業未來前景並不是非常好，畢竟當前晶元行業已經開始陷入了亂局，全世界各地區的晶元行業都遭受到了嚴重的影響。

晶元是當前世界非常重要的科技產品，但是要想真正獨立自主建造高性能晶元，對一個國家的基礎設施以及科學技術要求有著很高的標准。因此一直以來，我國在晶元方面的研究都受到了很大程度的影響。一方面是起步時間晚，另一方面是因為相關技術步驟受到了歐美國家的限制而導致的。

台積電總裁鼓勵員工休假，股價跌超4%。

台積電是全球非常著名的晶元製造公司，每年都能夠向全世界各個地區提供大量的獨立自主建造的晶元。但是隨著全球晶元格局的改變，我們也可以發現台積電的情況並不是很好。所以近期曝光了一則新聞，台積電的總裁鼓勵員工進行休假，此消息一經流出之後，直接導致了台積電的股價下跌幅度超過了4%。可以說台積電此次遭受到了無妄之災，因為一句話卻損失了大量的資金。

⑨ 對晶元行業前景的看法

光模塊行業行業主要上市公司：新易盛(300502)、中際旭創(300308)、特發信息(000070)、博創科技(300548)、光迅科技(002281)、九聯科技(688609)、華工科技(000988)、亨通光電(600487)、中天科技(600522)、劍橋科技(603083)。

本文核心數據：光通信器件成本結構、高端光晶元產品研發情況等。

光晶元是光器件的核心零部件

光晶元主要用於光電信號轉換，，遵循「Chip-OSA-Transceiver」的封裝順序，激光器晶元(Chip)通過傳統的TO封裝或新興的多模COB封裝形式製成光模塊(Transceiver)。在光通信系統中，常用的核心光晶元主要包括DFB、EML、VCSEL 三種類型，分別應用於不同傳輸距離和成本敏感度的應用場景。

光通信器件根據其物理形態的不同，一般可以分為：晶元、光有源器件、光無源器件、光模塊與子系統這四大類，其中，光晶元為光器件(光有源器件和光無源器件)的重要組成部分，而光器件是光模塊的重要組成部分。

光晶元的生產流程基本可以分為晶元設計、基板製造、磊晶成長和晶粒製造四個流程，可見其技術壁壘較高，其生產流程具體如下：

國內高速光晶元國產化率低

根據我國光晶元研發能力和出貨能力，目前我國光晶元供應商共分為三個梯隊。第一梯隊主要為華為海思、光迅科技和敏芯半導體等，具有一定研發高端光晶元的能力;第二梯隊中，海信寬頻、中科光芯和陝西源傑等企業對中低端光晶元有較好的出貨能力;第三梯隊則為其他低速光晶元廠商。

目前，高速光晶元核心技術主要掌握在美日廠商手中。2018年1月，工信部頒布《光器件產業發展路線圖(2018-2022年)》，將光晶元國產化上升為國家戰略。而中美貿易摩擦與中興禁售事件或將促使中國加大力度扶持高速光晶元，國產化進程有望進一步提速。

目前中國核心光晶元及電晶元國內外產品化能力對比如下：

國內高端光晶元多在研發階段

目前，我國高端光模塊上游光晶元仍然受限於海外領先企業，以100Gb/s 10/40km光模塊核心光晶元53G Baud為例，目前我國大部分頭部企業仍在研發階段，而以SEDI等為代表的國際領先廠家已經基本度過樣品階段實現了規模化量產。

光晶元發展趨勢

從中國光晶元的發展趨勢以及歷年光晶元市場規模變化情況來看，未來五年中國光晶元產業仍將快速發展。盡管低端光晶元市場競爭較為激烈，但行業前景較好，政策支持力度強，未來仍將有大量企業入局，隨著光模塊行業龍頭效應愈加明顯，我國高端光晶元國產替代率也將穩步提升。

以上數據參考前瞻產業研究院《中國光模塊行業市場前瞻與投資戰略規劃分析報告》