半導體材料砷化鎵哪個上市公司

① 身懷絕技的半導體材料講了什麼科學知識

在可預見的將來，單晶硅仍是電子工業的首選材料，但砷化鎵這位半導體家族新秀已迅速成長為僅次於硅的重要半導體電子材料。砷化鎵在當代光電子產業中發揮著重要的作用，其產品的50％應用在軍事、航天方面，30％用於通信方面，其餘的用於計算機和測試儀器。

砷化鎵材料的特殊結構使其具備吸引人的優良特性。根據量子力學原理，電子的有效質量越小，它的運動速度就越快，而砷化鎵中電子的有效質量是自由電子質量的1／15，只有硅電子的1／3。用砷化鎵製成的晶體管的開關速度，比硅晶體管快1～4倍，用這樣的晶體管可以製造出速度更快、功能更強的計算機。因為砷化鎵的電子運動速度很高，用它可以制備工作頻率高達1010赫茲的微波器件，在衛星數據傳輸、通信、軍用電子等方面具有關鍵性作用。實際上，以砷化鎵為代表的Ⅲ一Ⅳ族半導體，其最大特點是其光電特性，即在光照或外加電場的情況下，電子激發釋放出光能。它的光發射效率比其他半導體材料高，用它不僅可以製作發光二極體、光探測器，還能製作半導體激光器，廣泛應用於光通信、光計算機和空間技術，開發前景令人鼓舞。

與任何半導體材料一樣，砷化鎵材料對於雜質元素十分敏感，必須精細純化。和硅、鍺等元素半導體不同的是它還要確保准確的化學配比，否則將影響材料的電學性質。

基於以上原因，砷化鎵單晶的制備工藝復雜，成本高昂。我國曾在人造衛星上利用微重力條件進行砷化鎵單晶的生長，取得了成功。此外。薄膜外延生長技術，可以精確控制單晶薄膜的厚度和電阻率，在制備半導體材料和器件中越來越受到重視。

短短十幾年，僅美國研究和開發的砷化鎵產品已逾千種。根據90年代末國際砷化鎵集成電路會議的預測，砷化鎵集成電路的市場銷售額將每年翻一番，形成數十億美元的規模。砷化鎵及其代表的Ⅲ一Ⅳ族化合物半導體家族均身懷絕技，有待於進一步開發。

② 砷化鎵的介紹

砷化鎵（gallium arsenide），化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵於1964年進入實用階段。砷化鎵可以製成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,用來製作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由於其電子遷移率比硅大5～6倍，故在製作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、雜訊小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用於製作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中,兼具多方面優點的材料,但用它製作的晶體三極體的放大倍數小，導熱性差，不適宜製作大功率器件。雖然砷化鎵具有優越的性能，但由於它在高溫下分解，故要生產理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。

③ 半導體概念股龍頭有哪些

④ 砷化鎵集成電路主要用於什麼領域

砷化鎵集成電路是以砷化鎵（GaAs）半導體材料為基片製作的集成電路，其有源器件主要是金屬基場效應晶體管和結型場效應晶體管，同時還包含了用高電子遷移率晶體管和異質結雙極晶體管等器件所制的集成電路。

GaAs集成電路包括超高速集成電路、微波單片集成電路和光電集成電路。GaAs是一種重要的化合物半導體材料。GaAs集成電路與硅集成電路相比的優點是：電子遷移率比硅大5倍；GaAs工作溫度范圍寬，可以擴展到-70℃～300℃；抗輻照性能比硅高1～3個數量級。

GaAs集成電路主要應用於通信衛星、電視衛星接收機、移動通信、高清晰度電視、微波毫米波數字頻率源、光通信、超高速率信號處理、微型超級計算機、高性能儀器、微波感測器以及國防軍用電子裝備等。

⑤ 氮化鎵材料一般會用在什麼地方呢哪家企業有在做

氮化鎵材料主要是用在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面的，目前市場上專門做這種材料的不多，利亞德參股的Saphlux公司算是實力比較強的一個了。

⑥ 第一代半導體材料和第二代半導體材料

第一代半導體材料主要是指硅、鍺元素半導體材料，第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵(GaAs)、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導體(又稱非晶態半導體），如非晶硅、玻璃態氧化物半導體；有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

⑦ 硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵及砷化鎵半導體材料有何差異性

銷售藍寶石、硅襯底 碳化硅襯底 PSS圖形化襯底 氮化鎵復合襯底 氮化鎵自支撐襯底 氮化鎵外延片 金剛石外延片

⑧ 下列不屬於半導體材料的是（） A．硅 B．鍺 C．砷化鎵 D．

⑨ 半導體材料有哪些

在可預見的將來，單晶硅仍是電子工業的首選材料，但砷化鎵這位半導體家族新秀已迅速成長為僅次於硅的重要半導體電子材料。砷化鎵在當代光電子產業中發揮著重要的作用，其產品的50%應用在軍事、航天方面，30%用於通信方面，其餘的用於計算機和測試儀器。

砷化鎵材料的特殊結構使其具備吸引人的優良特性。根據量子力學原理，電子的有效質量越小，它的運動速度就越快，而砷化鎵中電子的有效質量是自由電子質量的1/15，只有硅電子的1/3。用砷化鎵製成的晶體管的開關速度，比硅晶體管快1～4倍，用這樣的晶體管可以製造出速度更快、功能更強的計算機。因為砷化鎵的電子運動速度很高，用它可以制備工作頻率高達1010赫茲的微波器件，在衛星數據傳輸、通信、軍用電子等方面具有關鍵性作用。實際上，以砷化鎵為代表的Ⅲ—Ⅳ族半導體，其最大特點是其光電特性，即在光照或外加電場的情況下，電子激發釋放出光能。它的光發射效率比其他半導體材料高，用它不僅可以製作發光二極體、光探測器，還能製作半導體激光器，廣泛應用於光通信、光計算機和空間技術，開發前景令人鼓舞。

與任何半導體材料一樣，砷化鎵材料對於雜質元素十分敏感，必須精細純化。和硅、鍺等元素半導體不同的是它還要確保准確的化學配比，否則將影響材料的電學性質。

基於以上原因，砷化鎵單晶的制備工藝復雜，成本高昂。我國曾在人造衛星上利用微重力條件進行砷化鎵單晶的生長，取得了成功。此外，薄膜外延生長技術，可以精確控制單晶薄膜的厚度和電阻率，在制備半導體材料和器件中越來越受到重視。

短短十幾年，僅美國研究和開發的砷化鎵產品已逾千種。根據90年代末國際砷化鎵集成電路會議的預測，砷化鎵集成電路的市場銷售額將每年翻一番，形成數十億美元的規模。砷化鎵及其代表的Ⅲ—Ⅳ族化合物半導體家族均身懷絕技，有待於進一步開發。

⑩ 請問哪裡有砷化鎵晶片生產商急，急 ，急。。。。。

砷化鎵晶片加工商：中科鎵英、天津晶明電子、住友電工（常州）半導體材料有限公司。
砷化鎵晶體晶片製造商：AXT、有研光電、CCT、大慶佳昌。