CVD技術貴金屬制備

① CVD法制備碳納米管的生長機理

主要是VLS機理
即碳源氣體分解產生自由基，以碳原子的形式溶解在催化劑顆回粒中，再析出產答生碳納米管。
對於沒有金屬催化劑的體系，也有自由基直接生長機理，即開口生長機理。
lz，這么專業的問題你還指望著等其他人回答不？

② 如何採用pvd或cvd方法制備納米級多層和多相復合膜

納米（英語：nanometre）是長度單位，國際單位制符號為nm。原稱毫微米，就是10-9米（10億分之一回米），即10-6毫米答（1000000分之一毫米）。如同厘米、分米和米一樣，是長度的度量單位。相當於4倍原子大小，比單個細菌的長度還要小。國際通用名稱為nanometer，簡寫nm，字首nano在希臘文中的原意是「侏儒」的意思。

③ PVD和CVD分別是什麼

PVD(Physical Vapor Deposition)---物理氣相沉積：指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。

CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

PVD技術出現於，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學穩定性等優點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國製造業的高度重視，人們在開發高性能、高可靠性塗層設備的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的塗層應用研究。

與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適於對硬質合金精密復雜刀具的塗層；PVD工藝對環境無不利影響，符合現代綠色製造的發展方向。

當前PVD塗層技術已普遍應用於硬質合金立銑刀、鑽頭、階梯鑽、油孔鑽、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、車刀片、異形刀具、焊接刀具等的塗層處理。

(3)CVD技術貴金屬制備擴展閱讀

CVD例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。

其技術特徵在於：

⑴高熔點物質能夠在低溫下合成；

⑵析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；

⑶不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。

④ CVD法制備碳納米管的生長機理是什麼 分為哪兩個階段

主要是VLS機理
即碳抄源氣體分解產生襲自由基，以碳原子的形式溶解在催化劑顆粒中，再析出產生碳納米管。
對於沒有金屬催化劑的體系，也有自由基直接生長機理，即開口生長機理。
lz，這么專業的問題你還指望著等其他人回答不？

⑤ CVD技術是什麼

• CVD技術是原料氣或蒸汽通過氣相反應沉積出固態物質，因此把CVD技術用於無機合成和材料制備時具有以下特點：

• •（1）沉積反應如在氣固界面上發生則沉積物將按照原有固態基底（又稱襯底）的形狀包覆一層薄膜。

• •（2）塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而改變從而獲得梯度沉積物或得到混合鍍層。

• •（3）採用某種基底材料，沉積物達到一定厚度以後又容易與基底分離，這樣就可以得到各種特定形狀的游離沉積物器具。

• •（4）在CVD技術中也可以沉積生成晶體或細粉狀物質，或者使沉積反應發生在氣相中而不是在基底表面上，這樣得到的無機合成物質可以是很細的粉末，甚至是納米尺度的微粒稱為納米超細粉末。

• •（5）CVD工藝是在較低壓力和溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能是在較低壓力和溫度下進行的。



• •CVD技術根據反應類型或者壓力可分為低壓CVD(LPCVD)、常壓CVD(APCVD)、亞常壓CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等離子體增強CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、快熱CVD(RTCVD)、金屬有機物CVD(MOCVD)

⑥ 昆明貴金屬研究所的院所簡介

貴研所長期承擔國家重大科技攻關項目、省部級自然科學基金項目、軍工配套科研任務及國家自然科學基金課題等重大項目課題，是我國貴金屬領域內國家任務的主要承擔者。2003年經國家科技部認定為「國家863計劃成果產業化基地」，2008年經雲南省科技廳審定列入「雲南省貴金屬材料重點實驗室」培育計劃，2010年「多品種、小批量軍用貴金屬新材料科研生產基地」得到國防科工局立項同意，2011年「稀貴金屬綜合利用新技術國家重點實驗室」獲科技部批准，擁有2個省級技術創新人才團隊：「貴金屬催化技術省創新團隊」、「稀貴金屬低維新材料省創新團隊」。
貴研所早在上個世紀六十年代初即開始招收碩士研究生，1981年國家恢復研究生制度以後，經批准先後建立了「有色金屬冶金」、「材料學」、「工業催化」3個碩士點和「材料科學與工程」一級學科博士學位點。2002年11月經全國博士後管委會批准設立博士後科研工作站，並於2005年開始招收博士後科研人員。從80年代至今，我所已培養統招碩士研究生百餘人，多年來為研發一線培養了一支基礎扎實、素質較高的研究人員隊伍，為貴金屬事業的發展奠定了堅實的基礎。 新材料研究室
研發領域：稀貴金屬復合材料、航天新材料及特種塗層材料。主要研發方向試制產品：
（1）貴金屬電接觸復合材料；
（2）貴金屬彌散強化復合材料；
（3）航天發動機噴管新材料；
（4）航天發動機連接材料與技術；
（5）貴金屬功能塗層材料；
（6）稀貴金屬CVD、PVD成型技術研究。 二、粉體材料研究室
研究領域：有色金屬、貴金屬粉體材料和粉末冶金材料。主要產品有：
（1）表面噴塗用特種合金粉末；
（2）新型銀基、銅基電工合金；
（3）現代粉末冶金技術和設備；
（4）多功能、多用途高純超細氧化鋁、氧化鋯等粉體材料。 三、化學材料與葯物研究室
主要從事貴金屬葯物和化合物的研究、開發和生產。研發領域和方向：
（1）貴金屬葯物
A．新型親脂性鉑類抗癌葯物的設計和合成；
B．能抵抗順鉑耐葯性的鉑類抗癌葯物的設計和合成；
C．機體NO的清除劑—Ru配合物的研究。
（2）貴金屬有機配合物
A．新型的MOCVD貴金屬前驅體的設計和合成；
B．新型的載體催化劑貴金屬前驅體的設計和合成；
C．由於均相催化反應的鉑族有機配合物的合成技術研究。
（3）貴金屬納米材料
A．金納米的制備技術研究；
B．金納米的應用研究。 四、冶金研究室
研究領域：稀貴金屬和有色金屬冶金。
稀貴金屬提取冶金覆蓋了從礦物及二次資源中提取貴金屬，包括冶煉富集、貴賤金屬分離，貴金屬相互分離，貴金屬精練。主要技術方向如下：
●貴金屬資源提取冶金研究；
●貴金屬資源綜合利用研究；
●貴金屬冶金過程的物理化學研究；
●二次資源再生回收利用技術；
●銅、鉛、錫、鎳陽極泥回收貴金屬工藝；
●汽車尾氣廢催化劑回收貴金屬工藝；
●石油重整催化劑提取貴金屬工藝；
●高砷鉛陽極泥處理工藝；
●感光膠片廢料和廢水中銀回收技術；
●玻纖工業用廢漏板坩堝，硝酸工業用廢觸媒網及其它廢貴金屬器皿和材料的回收工藝 ；
●貴金屬分離提純新技術 。
●有色金屬冶金技術：
●紅土鎳礦冶金研究；
●釩鈦鐵精礦綜合利用；
●粉末冶金研究。 昆明貴金屬研究所設有專利業務部門，進行專利的申請、審查、撤消、復審等業務，對專利申請權、專利權、專利侵權、專利實施等法律糾紛提出處理建議和措施。現有包括專利代理、依託昆明貴金屬研究所圖書館館藏文獻和DIALOG國際聯機檢索終端的專利文獻服務等專利工作服務支撐體系，有專利代理人2名。
昆明貴金屬研究所還建立了DIALOG國際聯機檢索終端，可進行世界專利和多國專利等專利檢索、進行社會與自然科學文獻情報信息服務，為科技、商業情報提供檢索服務。業務員具有國家一級檢索查新資格，為從事科研、生產、管理的廣大科技工作者提供良好的文獻檢索和查新服務。

⑦ 請問CVD（化學氣相沉積）的原理及應用

化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。
原理
化學氣相沉積技術是應用氣態物質在固體上闡述化學反應並產生固態沉積物的一種工藝，它大致包含三步：
（1）形成揮發性物質 ；
（2）把上述物質轉移至沉積區域 ；
（3）在固體上產生化學反應並產生固態物質 。
最基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中。 [1]

特點
1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。
2）可以在常壓或者真空條件下(負壓「進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好）。
3）採用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。
4）塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5）可以控制塗層的密度和塗層純度。
6）繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合塗覆各種復雜形狀的工件。由於它的繞鍍性能好，所以可塗覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動，以改善其結構。
8）可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物塗層。

⑧ 在CVD法制備石墨烯時，最後為什麼需要快速冷卻如果沒有會如何

快速降溫可形成單層石墨（石墨烯），降溫速度慢的話縱向形成石墨。就不是石墨烯了。

⑨ 氣相沉積分為那幾類方法CVD法包括那幾個過程PVD法有哪些方法,它們各自的原理是咋樣的

這個問題越來越難了，哈哈，還是 我回答，不知道你到底要做什麼產品，問看真有回答你的，你這樣問，說了這個行業廣，沒有辦法回答，手打沒有辦法，可以復制點給你。CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法制備。經過CVD處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。 其技術特徵在於：（1）高熔點物質能夠在低溫下合成；（2）析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；（3）不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。 例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低溫度發展。 CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。 CVD的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。目前，正在開發批量生產的新裝置。 CVD是在含有原料氣體、通過反應產生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的，因而，當被覆塗層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層，該層的存在，對於塗層的緻密度有很大影響。圖2所示是這種擴散層的示意圖。這樣，由許多化學分子形成的擴散層雖然存在，但其析出過程是復雜的。粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。 作為新的CVD技術，有以下幾種： （1）採用流動層的CVD； （2）流體床； （3）熱解射流； （4）等離子體CVD； （5）真空CVD，等。 應用流動層的CVD如圖3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），應用等離子體的CVD同樣也有可能在低溫下析出，而且這種可能性正在進一步擴大

⑩ CVD（化學氣相沉積）的原理及應用是什麼

CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法制備。經過CVD處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。 其技術特徵在於：（1）高熔點物質能夠在低溫下合成；（2）析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；（3）不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。 例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低溫度發展。 CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。 CVD的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。目前，正在開發批量生產的新裝置。 CVD是在含有原料氣體、通過反應產生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的，因而，當被覆塗層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層，該層的存在，對於塗層的緻密度有很大影響。圖2所示是這種擴散層的示意圖。這樣，由許多化學分子形成的擴散層雖然存在，但其析出過程是復雜的。粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。 作為新的CVD技術，有以下幾種： （1）採用流動層的CVD； （2）流體床； （3）熱解射流； （4）等離子體CVD； （5）真空CVD，等。 應用流動層的CVD如圖3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），應用等離子體的CVD同樣也有可能在低溫下析出，而且這種可能性正在進一步擴大