貼片電阻貴金屬

㈠ 電阻有幾種 好像還有電感電阻。又有什麼不同

一般可分為以下幾種：有定值電阻、可變電阻和特種電阻。按材料和性質分類：1、實芯碳質電阻2、繞線電阻3、薄膜電阻：細分為碳膜電阻、金屬膜電阻、氧化金屬膜電阻、合成膜電阻（漆膜電阻）4、水泥電阻5、金屬玻璃軸電阻：包括貼片電阻等6、敏感電阻：主要包括熱敏電阻、壓敏電阻、濕敏電阻、光敏電阻、氣敏電阻、磁敏電阻和力敏電阻等。

㈡ 電阻的分類

電阻分類
按阻值特性
固定電阻、可調電阻、特種電阻(敏感電阻) . 不能調節的，我們稱之為定值電阻或固定電阻，而可以調節的，我們稱之為可調電阻。常見的可調電阻是滑動變阻器,例如收音機音量調節的裝置是個圓形的滑動變阻器，主要應用於電壓分配的，我們稱之為電位器.
按製造材料
碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻，無感電阻，薄膜電阻等。 薄膜電阻 用蒸發的方法將一定電阻率材料蒸鍍於絕緣材料表面製成。主要如下： 碳膜電阻器 碳膜電阻
碳膜電阻（碳薄膜電阻），常用符號RT作為標志；為最早期也最普遍使用的電阻器，利用真空噴塗技術在瓷棒上面噴塗一層碳膜，再將碳膜外層加工切割成螺旋紋狀，依照螺旋紋的多寡來定其電阻值，螺旋紋愈多時表示電阻值愈大。最後在外層塗上環氧樹脂密封保護而成。其阻值誤差雖然較金屬皮膜電阻高，但由於價錢便宜。碳膜電阻器仍廣泛應用在各類產品上，是目前電子，電器，設備，資訊產品之最基本零組件。 金屬膜電阻器 金屬膜電阻(metal film resistor)，常用符號RJ作為標志；其同樣利用真空噴塗技術在瓷棒上面噴塗，只是將炭膜換成金屬膜（如鎳鉻），並在金屬膜車上螺旋紋做出不同阻值，並且於瓷棒兩端鍍上貴金屬。雖然它較碳膜電阻器貴，但低雜音，穩定，受溫度影響小，精確度高成了它的優 金屬膜電阻
勢。因此被廣泛應用於高級音響器材，電腦，儀表，國防及太空設備等方面。 金屬氧化膜電阻器 某些儀器或裝置需要長期在高溫的環境下操作，使用一般的電阻會未能保持其安定性。在這種情況下可使用金屬氧化膜電阻（金屬氧 化物薄膜電阻器） ，它是利用高溫燃燒技術於高熱傳導的瓷棒上面燒附一層金屬氧化薄膜（用錫和錫的化合物噴製成溶液，經噴霧送入500~500℃的恆溫爐，塗覆在旋轉的陶瓷基體上而形成的。材料也可以氧化鋅等），並在金屬氧化薄膜車上螺旋紋做出不同阻值，然後於外層噴塗不燃性塗料。其性能與金屬膜電阻器類似，但電阻值范圍窄。它能夠在高溫下仍保持其安定性，其典型的特點是金屬氧化膜與陶瓷基體結合的更牢，電阻皮膜負載之電力亦較高。耐酸鹼能力強，抗鹽霧，因而適用於在惡劣的環境下工作。它還兼備低雜音，穩定，高頻特性好的優點。常用符號RY作為標志。 合成膜電阻 金屬氧化膜電阻
將導電合成物懸浮液塗敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。 由於其導電層呈現顆粒狀結構，所以其雜訊大，精度低，主要用他製造高壓，高阻， 小型電阻器。 繞線電阻 用高阻合金線繞在絕緣骨架上製成，外面塗有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。 繞線電阻具有較低的溫度系數，阻值精度高， 穩定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點是高頻性能差，時間常數大。 方形線繞電阻 方形線繞電阻
方形線繞電阻（鋼絲纏繞電阻）又俗稱為水泥電組，採用鎳，鉻，鐵等電阻較大的合金電阻線繞在無鹼性耐熱瓷件上，外面加上耐熱，耐濕，無腐蝕之材料保護而成，再把繞線電阻體放入瓷器框內，用特殊不燃性耐熱水泥充填密封而成。而不燃性塗裝線繞電阻的差別只是外層塗裝改由矽利康樹脂或不燃性塗料。它們的優點是阻值精確，低雜音，有良好散熱及可以承受甚大的功率消耗，大多使用於放大器功率級部份。缺點是阻值不大，成本較高，亦因存在電感不適宜在高頻的電路中使用。 實芯碳質電阻 碳質電阻
用碳質顆粒狀導電物質、填料和粘合劑混合製成一個實體的電阻器。並在製造時植入導線。電阻值的大小是根據碳粉的比例及碳棒的粗細長短而定。 特點：價格低廉，但其阻值誤差、雜訊電壓都大，穩定性差，目前較少用。 金屬玻璃鈾電阻 將金屬粉和玻璃鈾粉混合，採用絲網印刷法印在基板上。 耐潮濕，高溫， 溫度系數小，主要應用於厚膜電路。 貼片電阻SMT 貼片電阻
貼片電阻（片式電阻）是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，它的電阻體是高可靠的釕系列玻璃鈾材料經過高溫燒結而成，特點是體積小，精度高，穩定性和高頻性能好，適用於高精密電子產品的基板中。而貼片排阻則是將多個相同阻值的貼片電阻製作成一顆貼片電阻，目的是可有效地限制元件數量，減少製造成本和縮小電路板的面積。 無感電阻 無感電阻常用於做負載，用於吸收產品使用過程中產生的不需要的電量,或起到緩沖，制動的作用，此類電阻常稱為JEPSUN制動電阻或捷比信負載電阻。
按安裝方式
插件電阻、貼片電阻。 貼片電阻
按功能分
負載電阻，采樣電阻，分流電阻，保護電阻等。

㈢ 電阻的種類 及作用

電阻分壓 限流 ....碳膜 金屬膜等

㈣ 貼片電阻含金嗎

貼片電阻並不含金的，並不需要鍍金。貼片式電阻一般由以下材料製作而成：
基材是氧化鋁，電阻材料是氧化釕
1.基板（陶瓷基板）
2.電阻漿（R膏）
3.背導材料
4.正導材料及側導材料（Ag漿）
5.一次保護玻璃G16.二次保護玻璃G27.Mark標記材料。

㈤ 474J 400V電容

橘紅色的，電容上標著474J 400V的電容一般都是聚丙烯膜（無感）電容器（CBB13）是無感結構，用聚丙烯薄膜作為電介質和鋁箔為電極繞制而成，導線採用鍍錫銅包鋼線，使用環氧樹脂包封。474J400V的·電容在北京海淀區中發電子大廈批發價格都在一元以下。

㈥ 炭條電阻是什麼材質

按製造材料

碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻，無感電阻，薄膜電阻等.
薄膜電阻
用蒸發的方法將一定電阻率材料蒸鍍於絕緣材料表面製成。主要如下：
碳膜電阻器
碳膜電阻（碳薄膜電阻）為最早期也最普遍使用的電阻器，利用真空噴塗技術在瓷棒上面噴塗一層碳膜，再將碳膜外層加工切割成螺旋紋狀，依照螺旋紋的多寡來定其電阻值，螺旋紋愈多時表示電阻值愈大。最後在外層塗上環氧樹脂密封保護而成。其阻值誤差雖然較金屬皮膜電阻高，但由於價錢便宜。碳膜電阻器仍廣泛應用在各類產品上，是目前電子，電器，設備，資訊產品之最基本零組件。
金屬膜電阻器
金屬膜電阻（金屬拍攝電阻）同樣利用真空噴塗技術在瓷棒上面噴塗，只是將炭膜換成金屬膜（如鎳鉻） ，並在金屬膜車上螺旋紋做出不同阻值，並且於瓷棒兩端鍍上貴金屬。雖然它較碳膜電阻器貴，但低雜音，穩定，受溫度影響小，精確度高成了它的優勢。因此被廣泛應用於高級音響器材，電腦，儀表，國防及太空設備等方面。
金屬氧化膜電阻器
某些儀器或裝置需要長期在高溫的環境下操作，使用一般的電阻會未能保持其安定性。在這種情況下可使用金屬氧化膜電阻（金屬氧
化物薄膜電阻器） ，它是利用高溫燃燒技術於高熱傳導的瓷棒上面燒附一層金屬氧化薄膜（用錫和錫的化合物噴製成溶液，經噴霧送入500~500℃的恆溫爐，塗覆在旋轉的陶瓷基體上而形成的。材料也可以氧化鋅等） ，並在金屬氧化薄膜車上螺旋紋做出不同阻值，然後於外層噴塗不燃性塗料。其性能與金屬膜電阻器類似，但電阻值范圍窄。它能夠在高溫下仍保持其安定性，其典型的特點是金屬氧化膜與陶瓷基體結合的更牢，電阻皮膜負載之電力亦較高。耐酸鹼能力強，抗鹽霧，因而適用於在惡劣的環境下工作。它還兼備低雜音，穩定，高頻特性好的優點。
合成膜電阻
將導電合成物懸浮液塗敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。
由於其導電層呈現顆粒狀結構，所以其雜訊大，精度低，主要用他製造高壓， 高阻， 小型電阻器。
繞線電阻
用高阻合金線繞在絕緣骨架上製成，外面塗有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。
繞線電阻具有較低的溫度系數，阻值精度高， 穩定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點是高頻性能差，時間常數大。 方形線繞電阻
方形線繞電阻（鋼絲纏繞電阻）又俗稱為水泥電組，採用鎳，鉻，鐵等電阻較大的合金電阻線繞在無鹼性耐熱瓷件上，外面加上耐熱，耐濕，無腐蝕之材料保護而成，再把繞線電阻體放入瓷器框內，用特殊不燃性耐熱水泥充填密封而成。而不燃性塗裝線繞電阻的差別只是外層塗裝改由矽利康樹脂或不燃性塗料。它們的優點是阻值精確，低雜音，有良好散熱及可以承受甚大的功率消耗，大多使用於放大器功率級部份。缺點是阻值不大，成本較高，亦因存在電感不適宜在高頻的電路中使用。
實芯碳質電阻
用碳質顆粒壯導電物質、填料和粘合劑混合製成一個實體的電阻器。 並在製造時植入導線。電阻值的大小是根據碳粉的比例及碳棒的粗細長短而定。
特點：價格低廉，但其阻值誤差、雜訊電壓都大，穩定性差，目前較少用。
金屬玻璃鈾電阻
將金屬粉和玻璃鈾粉混合，採用絲網印刷法印在基板上。
耐潮濕， 高溫， 溫度系數小，主要應用於厚膜電路。
貼片電阻SMT
貼片電阻（片式電阻）是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，它的電阻體是高可靠的釕系列玻璃鈾材料經過高溫燒結而成，特點是體積小，精度高，穩定性和高頻性能好，適用於高精密電子產品的基板中。而貼片排阻則是將多個相同阻值的貼片電阻製作成一顆貼片電阻，目的是可有效地限制元件數量，減少製造成本和縮小電路板的面積。
無感電阻
無感電阻常用於做負載,用於吸收產品使用過程中產生的不需要的電量,或起到緩沖,制動的作用,此類電阻常稱為JEPSUN制動電阻或捷比信負載電阻。
插件電阻、貼片電阻。
負載電阻，采樣電阻，分流電阻，保護電阻等。

㈦ 電阻的用途是什麼如何進行分類

主要用於控制和調節電路中的電流和電壓，或用作消耗電能的負載。
A.按阻值特性：固定電阻、可調電阻、特種電阻(敏感電阻) 。
不能調節的,我們稱之為定值電阻或固定電阻,而可以調節的,我們稱之為可調電阻.常見的可調電阻是滑動變阻器,例如收音機音量調節的裝置是個圓形的滑動變阻器,主要應用於電壓分配的,我們稱之為電位器.
B.按製造材料碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻，無感電阻，薄膜電阻等.
薄膜電阻
用蒸發的方法將一定電阻率材料蒸鍍於絕緣材料表面製成。主要如下：
1 碳膜電阻器
碳膜電阻（碳薄膜電阻）為最早期也最普遍使用的電阻器，利用真空噴塗技術在瓷棒上面噴塗一層碳膜，再將碳膜外層加工切割成螺旋紋狀，依照螺旋紋的多寡來定其電阻值，螺旋紋愈多時表示電阻值愈大。最後在外層塗上環氧樹脂密封保護而成。其阻值誤差雖然較金屬皮膜電阻高，但由於價錢便宜。碳膜電阻器仍廣泛應用在各類產品上，是目前電子，電器，設備，資訊產品之最基本零組件。
2 金屬膜電阻器。
金屬膜電阻（金屬拍攝電阻）同樣利用真空噴塗技術在瓷棒上面噴塗，只是將炭膜換成金屬膜（如鎳鉻） ，並在金屬膜車上螺旋紋做出不同阻值，並且於瓷棒兩端度上貴金屬。雖然它較碳膜電阻器貴，但低雜音，穩定，受溫度影響小，精確度高成了它的優 勢。因此被廣泛應用於高級音響器材，電腦，儀表，國防及太空設備等方面。
3 金屬氧化膜電阻器
某些儀器或裝置需要長期在高溫的環境下操作，使用一般的電阻會未能保持其安定性。在這種情況下可使用金屬氧化膜電阻（金屬氧
化物薄膜電阻器） ，它是利用高溫燃燒技術於高熱傳導的瓷棒上面燒附一層金屬氧化薄膜（用錫和錫的化合物噴製成溶液，經噴霧送入500~500℃的恆溫爐，塗覆在旋轉的陶瓷基體上而形成的。材料也可以氧化鋅等） ，並在金屬氧化薄膜車上螺旋紋做出不同阻值，然後於外層噴塗不燃性塗料。其性能與金屬膜電阻器類似，但電阻值范圍窄。它能夠在高溫下仍保持其安定性，其典型的特點是金屬氧化膜與陶瓷基體結合的更牢，電阻皮膜負載之電力亦較高。耐酸鹼能力強，抗鹽霧，因而適用於在惡劣的環境下工作。它還兼備低雜音，穩定，高頻特性好的優點。
4 合成膜電阻 將導電合成物懸浮液塗敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。
由於其導電層呈現顆粒狀結構，所以其雜訊大，精度低，主要用他製造高壓， 高阻， 小型電阻器。
繞線電阻
用高阻合金線繞在絕緣骨架上製成，外面塗有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。
繞線電阻具有較低的溫度系數，阻值精度高， 穩定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點是高頻性能差，時間常數大。
方形線繞電阻
方形線繞電阻（鋼絲纏繞電阻）又俗稱為水泥電組，採用鎳，鉻，鐵等電阻較大的合金電阻線繞在無鹼性耐熱瓷件上，外面加上耐熱，耐濕，無腐蝕之材料保護而成，再把繞線電阻體放入瓷器框內，用特殊不燃性耐熱水泥充填密封而成。而不燃性塗裝線繞電阻的差別只是外層塗裝改由矽利康樹脂或不燃性塗料。它們的優點是阻值精確，低雜音，有良好散熱及可以承受甚大的功率消耗，大多使用於放大器功率級部份。缺點是阻值不大，成本較高，亦因存在電感不適宜在高頻的電路中使用。
實芯碳質電阻
用碳質顆粒壯導電物質、填料和粘合劑混合製成一個實體的電阻器。 並在製造時植入導線。電阻值的大小是根據碳粉的比例及碳棒的粗細長短而定。
特點：價格低廉，但其阻值誤差、雜訊電壓都大，穩定性差，目前較少用。
金屬玻璃鈾電阻
將金屬粉和玻璃鈾粉混合，採用絲網印刷法印在基板上。
耐潮濕， 高溫， 溫度系數小，主要應用於厚膜電路。
貼片電阻SMT
貼片電阻（片式電阻）是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，它的電阻體是高可靠的釕系列玻璃鈾材料經過高溫燒結而成，特點是體積小，精度高，穩定性和高頻性能好，適用於高精密電子產品的基板中。而貼片排阻則是將多個相同阻值的貼片電阻製作成一顆貼片電阻，目的是可有效地限制元件數量，減少製造成本和縮小電路板的面積。
無感電阻
無感電阻常用於做負載,用於吸收產品使用過程中產生的不需要的電量,或起到緩沖,制動的作用,此類電阻常稱為JEPSUN制動電阻或捷比信負載電阻。
C.按安裝方式插件電阻、貼片電阻

D.按功能分負載電阻，采樣電阻，分流電阻，保護電阻等

㈧ 貼片二極體的選擇

想必是給充電用的吧!最好選用肖特基二極體。
肖特基勢壘二極體SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極體）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。這些優良特性是快恢復二極體所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極體大多採用封裝形式。

基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型矽片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間特別地短。因此，能製作開關二極和低壓大電流整流二極體。

肖特基二極體（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的「金屬半導體結」的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外，還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用硅或砷化鎵，多為型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。

肖特基二極體利用金屬與半導體接觸所形成的勢壘對電流進行控制。它的主要特點是具有較低的正向壓降（0.3V至0.6V）；另外它是多子參與導電，這就比少子器件有更快的反應速度。肖特基二極體常用在門電路中作為三極體集電極的箝位二極體，以防止三極體因進入飽和狀態而降低開關速度。

1．肖特基二極體原理
肖特基二極體是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度表面逐漸降輕工業部，表面電中性被破壞，於是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而削弱了由於擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極（阻檔層）金屬材料是鉬。二氧化硅（SiO2）用來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，可在基片與陽極金屬之間形成合適的肖特基勢壘，當加上正偏壓E時，金屬A和N型基片B分別接電源的正、負極，此時勢壘寬度W0變窄。加負偏壓-E時，勢壘寬度就增加。

綜上所述，肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別通常將PN結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫做肖特基整流管，近年來，採用硅平面工藝製造的鋁硅肖特基二極體也已問世，這不僅可節省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數的一致性。

肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢壘外側無過剩少數載流子的積累，因此，不存在電荷儲存問題（Qrr→0），使開關特性獲得時顯改善。其反向恢復時間已能縮短到10ns以內。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流（或續流）電路的效率 。

2．肖特基二極體的結構
肖特基二極體在結構原理上與PN結二極體有很大區別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料製成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構成，如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

肖特基二極體分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。採用有引線式封裝的肖特基二極體通常作為高頻大電流整流二極體、續流二極體或保護二極體使用。它有單管式和對管（雙二極體）式兩種封裝形式，如圖4-45所示。

肖特基對管又有共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯（一隻二極體的正極接另一隻二極體的負極）三種管腳引出方式，見圖4-46。

採用表面封裝的肖特基二極體有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。

3．肖特基二極體的檢測
肖特基（Schottky）二極體也稱肖特基勢壘二極體（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用於開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體使用，或在微波通信等電路中作整流二極體、小信號檢波二極體使用。

（1）性能比較

肖特基二極體現超快恢復二極體、快恢復二極體、硅高頻整流二極體、硅高速開關二極體的性能比較。由表可見，硅高速開關二極體的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。

（2）檢測方法

下面通過一個實例來介紹檢測肖特基二極體的方法。檢測內容包括：①識別電極；②檢查管子的單向導電性；③測正向導壓降VF；④測量反向擊穿電壓VBR。被測管為B82-004型肖特基管，共有三個管腳，外形如圖4所示，將管腳按照從左至右順序編上序號①、②、③。選擇500型萬用表的R×1檔進行測量。

測試結論：

第一，根據①②、③④間均可測出正向電阻，判定被測管為共陰對管，①、③腳為兩個陽極，②腳為公共陰極。

第二，因①②、③②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向導電性。

第三，內部兩只肖特基二極體的正向導通壓降分別為0.315V、0.33V，均低於手冊中給定的最大允許值VFM(0.55V)。

另外使用ZC 25-3型兆歐表和500型萬用表的250VDC檔測出，內部兩管的反向擊穿電壓VBR依次為140V、135V。查手冊，B82-004的最高反向工作電壓（即反向峰值電壓）VBR=40V。表明留有較高的安全系數。

4.常用的肖特基二極體主要參數
常用的有引線式肖特基二極體有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型號，各管的主要參數見表4-43。

常用的表面封裝肖特基二極體有FB系列，其主要參數見表4-44。

系統分類: 模擬技術
用戶分類: 電子基礎
標簽: 肖特基 二極體
來源: 整理

㈨ 硬體失效的主要機理

硬體失效的主要原因是什麼

你是否長時間糾纏於線路板的失效分析？你是否花費大量精力在樣板調試過程中？你是否懷疑過自己的原本正確的設計？也許許多硬體工程師都有過類似的心理對話。有數據顯示，78%的硬體失效原因是由於不良的焊接和錯誤的物料貼片造成的。

導致工程師花費大量時間和精力在樣板調試和分析中，耽誤了項目進度。如果一時間找不出不良原因，工程師會懷疑自己的原本正確的設計，致使自己誤入不正確的思維方向。

在真正做硬體調試的時候，工程師往往會考慮很多高深的潛在誘因，但都不願意去懷疑焊接是否足夠可靠，但是往往「最安全的地方，就是最危險的地方」。

工程師們會習慣性的認為焊接這樣簡單的事情不會造成許多貌似復雜的問題，一旦這樣的問題發生了，他們也會習慣性的去考慮軟體的健壯性，硬體電路的設計的合理性。比如：

1案例一

由於DDR高速信號部分某一信號的虛焊，系統作普通小數據量傳輸時看似都工作正常，然而在做大數據量的burst操作時，比如高清電影播放，操作系統載入，就會常常報錯。而往往被誤以為是軟體原因，軟體工程師長時間查看代碼無果。

2案例二

由於焊接時時間和溫度控制不當，導致LCD和USB這樣的連接器內部的塑料結構部分因為高溫而融化變形，導致某一信號意外斷開，從而LCD無顯示，USB無通訊，被誤以為是軟體驅動問題。

3案例三

在CPU電源旁，密集的分布著大量去偶電容，由於焊接過程中多餘的焊錫導致某一電容短路，結果導致硬體工程師花費大量時間去逐個排查短路原因。

4案例四

高速信號介面連接器，由於某一信號虛焊，導致系統可以工作在較低的匯流排頻率，一旦提升匯流排速度，系統立即報錯。這樣問題的原因基本很難被定位。

5案例五

由於電感部分的焊接不良，導致LED的PWM調光功能失效，工程師花大量時間確認是否是軟體或者硬體的問題。

焊接，看似簡單，但是也是有許多的工作細節和步驟拼湊而成，而這些環節彼此間也是環環相扣的，任何一個環節的錯誤都會導致最終的問題。所以，在硬體調試過程中，建議工程師們先觀察你的樣機的焊接質量。

物料是否正確？

腳位是否正確？

是否有連錫，空焊，虛焊的情況？

錫膏過爐後是否飽滿，反光？

PCB板是否有焦黃情況？

連接器的結構部分是否在高溫下熔化？

晶元位置是否與絲印對應？

檢查完以上「淺顯」項目後，再把精力放到那些「高深」的問題上！

㈩ ss310二極體可以用什麼型號代替

可以用SS315，SS320，SS510型號代替。

SS310屬於肖特基二極體，肖特基二極體是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的。

SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。

因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極體或表面勢壘二極體，它是一種熱載流子二極體。

(10)貼片電阻貴金屬擴展閱讀：

SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高於60V，最高僅約100V，以致於限制了其應用范圍。

像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PFC）電路中功率開關器件的續流二極體、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極體、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極體以及PFC升壓用600V二極體等，只有使用快速恢復外延二極體（FRED）和超快速恢復二極體（UFRD）。

UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。

即使是硬開關為100kHz的SMPS，由於UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。

因此，發展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關注的熱點。

近幾年，SBD已取得了突破性的進展，150V和
200V的高壓SBD已經上市，使用新型材料製作的超過1kV的SBD也研製成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。