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日亚化工股价

发布时间:2022-04-24 19:10:36

1. 现在人类最高精尖的技术是什么

1,首先是最新式的涡轮发动机叶片的五代单晶材料。

因为涡轮叶片工作环境极为恶劣,并且要在极度高温高压下保持数万转的高转速,所以对于高温高压下的抗蠕变性能的要求是非常高的。这个目前科技最好的解决方法就是让晶体约束朝一个方向伸展,使其材料相比于常规材料来说无晶界,这可以大大提升高温高压下的强度和抗蠕变性能。

目前人类科技的单晶材料共有五代。我们可以发现,越到后面一代,已经没有美国和英国的影子了,老毛子那更是不知道甩到猴年马月去了。如果说四代单晶还有法国作为西方的希望苦苦支撑的话,那么第五代单晶就是东瀛的独舞——人类最顶级的单晶材料,就是日本的第五代单晶TMS-162/192,日本是目前世界上唯一一个能制造第五代单晶材料的国家。有些人可能不知道这意味着什么,我们贴出美国F-22和F-35使用的F119/135发动机的涡轮叶片材料CMSX-10三代高性能单晶作为对比。我们可以看到,三代单晶的典型代表CMSX-10的抗蠕变性能如下:1100度,137Mpa,220小时。这是西方的顶级水平了.日本的第五代TMS-162呢?同样条件,寿命高达959小时,接近1000小时寿命,相比于美国材料寿命足足达到4倍有余。事实上,在这个伟大的技术革新面前,传统的材料学和发动机技术的欧洲顶尖水平公司RR已经选择了屈服。英国罗罗大批进口日本的单晶材料用于制造自己的Trent系列发动机。

2,再看碳纤维材料。

众所周知,碳纤维因为质量轻巧,强度极高而被视为理想的导弹,特别是最顶尖的洲际弹道导弹材料。包括美国侏儒以及三叉戟D5还有法国M51的新式洲际弹道导弹都用碳-碳和碳-树脂复合材料用于制造洲际导弹的壳体和喷管。在这项技术上日本同样领先于世界水平。碳纤维分为两种——高强度和高拉伸模量。

3,再看看雷达。

大家知道,主动相控阵雷达的最关键技术就在于一个个T/R收发组件。事实上,AESA雷达就是数千个收发组件单元组建成一台整的雷达。而T/R组件就是由少则一个,多则4个MMIC半导体晶片材料封装而成。这个芯片是将雷达的电磁波收发组件集成起来的一个微型电路,既负责电磁波的发出,也负责接收。而这个芯片就是在整个半导体晶元上蚀刻出电路来的。所以,这个半导体晶圆的晶体生长是整个AESA雷达最关键的技术部分。这就是F-35的诺斯罗普.格鲁曼公司的APG81雷达的MMIC芯片,APG81雷达由数千个一模一样的这样的MMIC芯片组成。这个芯片是以GaAs为基体蚀刻构筑的。但是事实上,GaAs材料因为其禁带过窄,其击穿电压过低,其发射功率是上不去的。所以,迫切需要新一代宽禁带的半导体材料。而这个材料目前已经找到了,就是GaN材料。而GaN材料的晶体生长是非常困难的,目前也是东瀛率先攻克了GaN薄膜的大规模制造工艺。1994年日本日亚化工突破了GaN材料成核生长的关键技术,不久P型GaN采用退火技术得以实现,随后GaN Led研制成功。近几年,通过外延技术的提升,GaN LED的内量子效率大大提升,结合粗化、倒装、PSS衬底等提高光输出效率的技术,GaN基LED已广泛应用于全彩显示、交通信号灯、汽车灯具、液晶背光、室内照明和路灯照明等领域,半导体照明已经日臻成熟,走进千家万户。 目前,绝大部分GaN基LED均采用价格相对低廉的蓝宝石为衬底材料制备。然而,蓝宝石衬底与GaN材料有高达17%的晶格失配度,如此大的晶格失配造成了很高的位错密度,导致GaN LED中的非辐射复合中心增多,限制了其内量子效率的进一步提升。SiC衬底与GaN材料的晶格适配度只有3%,远小于蓝宝石衬底与GaN材料间的晶格适配度,因此在SiC衬底上外延生长的GaN材料的位错密度会更少,晶体质量会更高,同时SiC的热导率(4.2W/cm.K)远大于蓝宝石,有利于器件在大电流下工作。 但是SiC衬底的制备难度较高,外延生长GaN的成核也具有一定难度。因此,SiC衬底上制备GaN LED的技术仅限于以美国CREE为代表的少数掌握SiC衬底囗制备技术的公司手中。目前,美国Cree公司生产的GaN LED封装成白光后,流明效率已经超过200lm/W,远远超过其他同行厂家。 美国由于无法大规模制造SiC基体的GaN材料,所以求助于日本。可以预见,下一代美国的雷达的材料都将是Made in Japan。日前LED上游大厂美国Cree表示,该公司已与三菱化学签订独家授权合约。根据双方协议,三菱化学将可制造、贩卖独立的氮化镓(GaN)基板,并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicenses)。据了解,三菱化学光电事业部门总经理Yasuji Kobashi在声明中指出,上述授权合约可望帮助该公司在光电产品领域中拓展氮化镓基板业务。事实上,美国F-22的雷达用日本技术从来就不是什么秘密。早在90年代初,也是日本率先攻克GaAs晶圆的生长工艺,逼着美国购买日亚化工的GaAs晶圆技术用以制造F-22的 APG77雷达。正是日本日亚化工向美国的半导体材料制造的技术许可和转让,美国才得以在90年代后半期发力,利用军用雷达的AESA**甩开其他国家。

2. led灯为什么节能是什么原理

LED是利用半导体材料制作成发光二极管直接把电能转换成光能,它的电光效率很高.
而节能灯的基本工作原理和日光灯是一样的,只是把镇流器改成电子的并且和灯管作成一体的,虽然比白炽灯要省电,但是比LED的电光转换效率要低,灯管的使用寿命也不如LED.
顺便补充一句,节能灯管的外接电压虽然是220V交流,但是实际上它的工作电压要低得多,在整流器内部要先进行整流降压变为较低的直流,然后再变换成驱动灯管的高频交流电,之所以外接220V交流电,完全是为了人们日常使用的方便,因为在我国,家庭供电都是220V交流电.

3. LED发展前景

中国LED产业发展前景分析

随着全球LED市场需求的进一步加大,未来我国LED产业发展面临巨大机遇。然而,目前LED核心技术和专利基本被国外垄断,国内企业在"快乐"中"痛苦"前行--

2008年,北京奥运会开幕式上,神奇的“画卷”彩屏出自中国金立翔科技有限公司;

2009年,国庆60周年阅兵式,天安门广场上的巨幅彩屏出自中国利亚德电子科技有限公司;

2010年,上海世博会开幕式上,1万平米的半导体发光二极管(LightEmittingDiode,下称LED)大屏幕出自中国锐拓显示技术有限公司……

在这一个个看似风光无限的企业背后,隐藏着中国LED产业发展的巨大隐患。记者采访发现,目前,全球LED领域的技术和专利,一半以上被美、日、德等发达国家的少数大公司所占有。这些专利多为核心技术专利,国内企业尤其是中小企业很难寻找到突破口。此外,这些国外企业已在全球,尤其是中国,精心部署了专利网,犹如头悬一柄达摩克利斯之剑。我国LED产业要想取得长远发展,必须突破这些专利的层层包围。

现状

发展迅速,但企业规模偏小,产业链不完整

作为目前全球最受瞩目的新一代光源,LED因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点,被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。我国的LED产业起步于20世纪70年代,经过近40年的发展,现已形成上海、大连、南昌、厦门、深圳、扬州和石家庄7个国家半导体照明工程产业化基地,产品广泛应用于景观照明和普通照明领域,我国已成为世界第一大照明电器生产国和第二大照明电器出口国。

然而,LED产业研究机构--集邦LED中国在线(LEDinside)的一份统计数据显示,截至2009年底,我国共有LED企业3000余家,其中,年产值上亿的只有140家。然而,在这140家企业中,没有一家企业的产品年销售额超过10亿元,超过5亿元的也只有少数几家,大部分在1亿元至2亿元之间。可见,虽然我国LED企业数量较多,但规模普遍偏小。

记者在国内随机选择了一家LED企业进行采访。广东东莞勤上光电股份有限公司(下称勤上光电)创建于1993年,是国内较早从事LED产品生产的企业,并与清华大学共同组建了LED照明技术研究院,国内许多项目如国家大剧院照明、北京绿色奥运道路照明、上海F1赛车场照明、清华大学奥运场馆照明等都出自该企业。然而,就是这样一家国内LED产业发展的“探路者”,在遭遇日本、美国、德国的专利“围堵”时,也不得不绕道以避之。

“勤上光电的研发主要集中在下游的应用领域,在上、中游的研发投入相对较少。这主要是因为,国外大公司和我国台湾的一些企业已经垄断了大部分LED核心技术,国内企业只能把目光转向技术含量较低的下游应用市场。”勤上光电知识产权专员万伟在中国知识产权报记者采访时,对国内LED企业的现状直言不讳。

据记者了解,目前全球已初步形成以亚洲、北美、欧洲三大区域为中心的产业格局,以日本的日亚化工、丰田合成,美国的克里、通用电器和德国的欧司朗为专利核心的技术竞争格局。美、日企业在外延片、芯片技术、设备方面具有垄断优势,欧洲企业在应用技术领域优势突出,而我国的LED还处于较低端的水平,80%左右的产品集中在景观照明、交通信号灯等应用市场,在汽车照明、大屏幕等高端产品方面涉及的比较少。

症结

缺乏核心专利,产学研合作松散

“来自日、美、欧的五大国际厂商代表了当今LED的最高水平,对产业发展具有重大影响。这种影响不仅体现在产品和收入上,更重要的是对技术的垄断,50%以上的核心专利都掌握在这五大厂商手中。”一位业内分析师向本报记者介绍。

随着国内LED市场的蓬勃发展,越来越多的国外企业把目光转向中国,尤其近几年,我国受理的LED领域的专利申请数量逐年显著增加。记者在国家知识产权局发展研究中心提供的一份《半导体照明专利风险分析研究报告》中看到,截至2008年底,全球已有22个国家和地区在我国申请了专利,技术优势明显的国家在我国的专利申请比例较高,排名前五位的国家分别是日本、韩国、美国、德国和荷兰。其中,日本以1306件专利申请的数量遥遥领先,占申请总量的24%,其余四国分别占申请总量的7%、5%、4%、和3%。

在有效专利方面,国内专利申请与国外来华专利申请的比例约为4比5。但在这些国内专利申请中,台湾地区占据了大量的份额,其有效发明专利占到了53%。换句话说,如果除去台湾地区,大陆与国外在专利数量、专利含金量方面的差距将会更大。

此外,从产业链的分布来看,国外公司主要在芯片、封装领域的专利布局较多,有一半的LED核心发明在我国提出了专利申请,日亚化工、欧司朗、拉米尔德、克里、通用电气等公司掌握了绝大多数的核心专利技术。其中,日亚化工的核心专利最多,涉及除封装外的所有产业链。

与上述外国公司相比,我国LED专利申请明显处于劣势。据高工LED产业研究所调查,截至2008年底,中国的LED相关专利申请共2.6071万件,其中处于产业中游和下游的封装与应用方面的专利接近50%。尽管我国在电极、微结构、反射层、衬底剥离/健合等方面具有一定优势,但大多属于外围专利,发明专利只占60%,且通过《专利合作条约》(PCT)途径提交的国际专利申请和向国外申请的专利不多。

据了解,我国LED行业除了核心技术竞争力不强之外,产学研结合比较松散也是制约其发展的主要因素。我国的LED专利有很大一部分集中在科研院所,例如,在外延领域,专利拥有量排前三名的分别是中科院半导体所、中科院物理所和北京工业大学;在芯片领域,排前三位的分别是中科院半导体所、北京工业大学和北京大学。与科研院校相比,国内企业申请的实用新型专利较多。

缺乏核心专利、产学研合作松散,已成为悬在中国企业头上的一把达摩克利斯之剑,随之而来的是企业随时面临的专利侵权风险。

“2008年2月,一名美国老妇以专利侵权为由,向美国国际贸易委员会提出申请,要求对日立、三星、东芝等34家企业进行337调查,其中包括广州鸿利光电子有限公司、深圳洲磊电子有限公司等6家中国企业。这一案件为我国LED产业敲响了警钟。”一位业内专家向记者介绍,随着LED市场的进一步扩大,中国企业面临的专利风险将越来越高。

对策

加强自主研发,重视专利的重要作用

北京奥运会、上海世博会等重大赛事活动对LED照明的集中展示让人们对其有了全新的认识,有力推动了中国LED产业的发展。但对国内企业而言,加强自主研发、壮大规模、提高产品质量与技术水平是现阶段的首要任务。

TCL集团股份有限公司知识产权中心专利开发和授权许可部部长王华钧向记者表示:“面对国外公司的‘虎视眈眈’,国内企业更应苦练‘内功’,加大自主创新力度,重点研发能够被市场广泛接受和认可的新技术,并以此为基础,与国外公司展开许可、合作。”

另外,“可以在消化、吸收国外先进技术的基础上,加强模仿创新,通过对竞争对手的核心专利进行改进,提高其技术效果,申请改进型专利,这是规避专利侵权风险的一条有效途径。”国家知识产权局发展研究中心主任毛金生指出。

对此,北京市立方律师事务所律师谢冠斌也表达了相同的看法。他认为,企业要学会合法利用先进技术,跟踪即将到期的专利,签订专利实施许可合同、反垄断许可、交叉许可、授权生产,还可以到专利未覆盖的国家开拓市场。

对于国内企业面临越来越多的知识产权纠纷,尤其是涉外专利诉讼,王华钧建议:“企业在接到跨国公司的专利侵权诉讼时,选择积极应诉才是上策,要学会巧妙运用各国不同的专利制度和法律诉讼程序。”他进一步解释说,以美国为例,利用美国民事诉讼中的证据交换程序,国内企业可以要求原告提供与涉案专利有关的所有技术资料,包括技术秘密。

此外,加强企业与研究机构的产学研合作也是促进我国LED产业快速发展的有效途径。毛金生表示,国内有些研究机构具有一定的研发能力,而有些企业则具有较强的加工制造能力,企业之间、企业与科研机构之间要强化合作意识,促进科研机构的创新成果向企业转移,努力培育一批具有自主知识产权的创新型“龙头”企业。

记者在采访过程中了解到,尽管我国LED产业发展中存在一些问题,但不可否认的是,这一情况目前已有逐渐好转的趋势,而且,我国在衬底、外延、封装以及芯片的部分领域内的优势是不容忽视的,一些科研院所拥有的专利技术世界领先,已经具备了与跨国公司抗衡的能力和实力。

国务院发展研究中心国际技术经济研究所产业安全研究中心主任滕飞向记者表示,我国LED企业的观念在逐渐转变,越来越多的中小企业开始了战略性部署,逐渐重视在知识产权方面的前期积累,学习运用科学技术武装自己,运用专利开拓国内外市场,把一个个“陷阱”变成了良好的市场前景,“有了好的试验田和突破方向,企业应该多总结经验教训,这样才能飞得更高、更远。”

背景链接

什么叫LED?

LED(LightEmittingDiode),中文含义是发光二极管,是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件,可以直接把电转化为光,具有体积小、耗电量低、使用寿命长、亮度高、热量低、环保、耐用等特点。主要应用于各种室内、户外显示屏,汽车内部的仪表板、刹车灯、尾灯,电子手表,手机等。

LED产业链包括哪几部分?

LED产业链主要包括4个部分:LED外延片、LED芯片制造、LED器件封装和产品应用,此外,还包括相关配套产业。

一般来说,外延属于LED产业链的上游,芯片属于中游,封装和应用属于下游。上游属于资本、技术密集型的领域,而中游和下游的进入门槛则相对较低。

什么叫LED外延片?

LED外延片生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片主要有蓝宝石和、SiC、Si上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。

当前,能用于商品化的衬底只有两种,即蓝宝石和碳化硅,其他诸如GaN、Si、ZnO衬底,还处于研发阶段,离产业化仍有一段距离。

什么是LED芯片?

LED芯片也称为LED发光芯片,是一种固态的半导体器件,其主要功能是:把电能转化为光能,芯片的主要材料为单晶硅。

半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。

什么叫LED封装?

LED封装是指发光芯片的封装,与集成电路封装有较大不同,不仅要求能够保护灯芯,而且还要能够透光。所以,LED封装对封装材料有特殊要求。

LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展演变而来的,但却有很大的特殊性。一般情况下,分立器件的管芯被密封在封装体内,封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号,保护管芯正常工作,输出可见光的功能,既有电参数,又有光参数的设计及技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于LED。

LED封装包括引脚式封装、表面贴装封装、功率型封装等多种形式。

LED应用产品包括哪些?

信息显示。电子仪器、设备、家用电器等的信息显示、数码显示和各种显示器以及LED显示屏信息显示、广告、记分牌等。

交通信号灯。城市交通、高速公路、铁路、机场、航海和江河航运用的信号灯等。

汽车用灯。汽车内外灯、转向灯、刹车灯、雾灯、前照灯、车内仪表显示及照明等。

LED背光源。小尺寸背光源:小于10英寸,主要用于手机、MP3、MP4、PDA、数码相机、摄像机和健身器材等;中等尺寸背光源:10英寸至20英寸之间,主要用于手提电脑、计算机显示器和各种监视器;大尺寸背光源:大于20英寸,主要用于彩色电视的显示屏。

(信息来源:中研网)
2010-08-20

4. LED灯具公司简介怎么写

GaN系的开拓者,在LED和激光领域居世界首位。在蓝色、白色LED市场遥遥领先于其他同类企业。它以蓝色LED的开发而闻名于全球,与此同时,它又是以荧光粉为主要产品的规模最大的精细化工厂商。它的荧光粉生产在日本国内市场占据70%的比例,在全球则占据36%的市场份额。荧光粉除了灯具专用的以外,还有CRT专用、PDP专用、X光专用等类型,这成为日亚化工扩大LED事业的坚实基矗除此以外,日亚化工还生产磁性材料、电池材料以及薄膜材料等精细化工制品,广泛地涉足于光的各个领域。

在该公司LED的生产当中,70%是白色LED,主要有单色芯片型和RGB三色型两大类型。此外,该公司是世界上唯一一家可以同时量产蓝色LED和紫外线LED两种产品的厂商。以此为基础,日亚化工不断开发出新产品,特别是在SMD(表面封装)型的高能LED方面,新品层出不穷。

2004年10月,日亚化工开发出了发光效率为50lm/W的高能白色LED。该产品成功地将之前量产产品约20lm/W的发光效率提高了2.5倍。同月底,日亚化工开始向特定客户提供这种产品的样品,并计划在2005年夏季之前使其月产量达到100万个。新LED主要针对车载专用前灯和照明市常它的光亮度胜过HID光源,因此对目前占据15%车前灯市场的HID光源(High Intensity Cischarge)构成了很大的威胁。日亚化工计划于2006年上半年正式批量生产该产品,并计划于2007年,以与HID同样的价格正式销售这种更明亮的产品。

以蓝色、白色LED市场的扩大为起爆剂,日亚化工的总销售额也呈现出逐年上升的势头,由1996年的290亿日元增长到2003年的1810亿日元。这期间,荧光粉的销售额每年基本稳定在300亿日元左右。到2003年,LED相关产品的销售额已经占了总销售额的85.1%,为1540亿日元。2003年全球LED市场约为6000亿日元,因此,日亚化工占据了约25%的全球市场份额。

目前日亚化学的紫外460nmLED,外部量子效率达到36%,白色发光效率达到60 lm/W。

5. LED照明的未来发展趋势

目前,我国半导体LED作为节能、环保的主要技术,已被纳入国家中长期科技发展规划与“十一五”国家“863”高新技术产业化重大项目,并得到了大力支持。然而,我国目前LED产品开发应用领域依然存在许多不足。我国自主的LED芯片、外延片产量仍有限,产品以中、低档为主,与国外差距很大。产业化规模偏小,只能满足国内封装企业需求量的20%-30%,大部分高性能的LED和大功率LED产品均要依赖进口。此外,在LED的应用市场方面,也存在着由于产品种类、品种参差不齐问题而引起的制约,尤其是在通用照明领域,由于存在的技术不足,使其无法进行规模化普及应用。因此,推广对LED封装技术的发展力度,提升自身核心技术并实现规模量产是LED产业发展的最关键一步。 一、LED照明产业发展趋势与分析 1.大功率的高亮LED增势迅猛,逐渐成为主流产品 2008年,全球LED市场规模达到80亿美元,所占整个LED产品的市场比例由2001年的40%增长到2005年的70%以上,其中高亮度LED在1995-2004年间的年均增长率达到46%。美国市场研究公司Communications In-stry Researchers(CIR)预测,全球LED的市场规模年均增长率超过30%,2009年市场规模将超过100亿美元。近年来,随着LED在照明、小尺寸面板背光源以及室内照明等新应用领域逐渐扩展,高亮度LED过去数年一直处于高速增长阶段,在LED中的比重将逐步加大,已成为LED主流产品。 2.通用照明实现技术突破,照明升级工程产业机会巨大 通用照明占照明领域的90%的市场份额。半导体照明作为继白炽灯、荧光灯、节能灯后,具有革命性意义的第四代新型高效固体光源,具有寿命长、节能、绿色环保等显著优点。但目前LED的应用领域主要在特种照明,目前美国、日、韩、欧洲、中国及台湾在LED科技攻关方面都已启动专项国家规划,如果用于通用照明的技术一旦成熟,将面临一个对500亿美元照明市场份额的重新瓜分,因此照明升级工程产业机会巨大。 3.中国LED照明产业应该向封装高档产品和光源产品升级方向努力 在LED领域,主要有三个环节,即发光半导体外延片的生长、芯片和封装。目前国内三个环节都有,在中低端的应用领域还有一定基础。但是在关键环节,尤其是外延片的生长环节,与世界一流水平还有较大的差距。 目前我国的产业优势主要在封装,从封装产值区域分布来看,我国在2008年封装产值约25亿美元,已经超越日本、台湾成为全球最大的封装地区,并具备市场与技术核心竞争能力。但是国家和政府对此的重视却不多,如果台湾和日本等国家地区从经济危机中缓解或走出,随时可能会形成日本独大、台湾地区与美国齐进、欧韩中“平分秋色”的分布格局,我们将再一次失去主导权和先机。因此我们应在已有的产业优势上升级,向封装的高档产品努力,同时在通用照明技术方向上多下功夫,突破LED产业的技术专利壁垒,培育新兴市场的竞争优势。 (1)目前国家对于整个LED产业链的重点工作放在上游外延、芯片及下游灯具应用这两部分。上游投资陆续资金已经很大,但是收效甚微,反而与国际上游龙头的差距越来越大。下游产品又因为产品质量问题,参差不齐,难以保证稳定的长寿命使用效果。这样会造成使用者对我国LED产品产生怀疑并多持保守和负面的态度。这样各方面的意见反馈到政府领导,然后国家才重视整顿LED市场,最后的结果又是一次“叫停”,导致需要国家花费大量的人力和资源,引进国外龙头企业的先进封装技术来指导国内的下游产品,这样我们将又一次失去与对整个LED行业的话语权,国内的市场渠道也会以OEM等形式被占领。 (2)到现在为止,因为四大龙头企业(CREE、PHILPS、OSRAM、日亚化工)各有不同的技术路线和专利垄断保护,以及其封装技术的不成熟等原因,所以目前整个行业内尚未有一个关于LED光源的标准。如果我们先进的LED光源企业和单位,尤其是具有核心技术先进性的大功率LED光源企业和单位,在政府的支持和推动下,组织科研人员,对此进行全新的技术标准的设计与制定,坚持科学实践和创新发展的基本原则,将会在全球LED行业至少是中上游这一块取得实质性的突破。如果能在国际上参与和指导最后国际标准的制定,将会是中国科学技术力量继航天科学技术之后又一次的科学创举,从而直接使我国在LED行业的国际影响力得到根本认识的改观,达到一个新的高度。 二、大功率LED光源的核心技术与优势 LED一般上来说是由外延片-芯片-光源-灯具的四个环节组成,在LED产业中下游应用上关键点是怎么解决热阻和结温等关键问题的前提条件下,保持芯片稳定的有效光输出。 一直以来,LED光源的一般照明应用中存在着光源的高导热金属材质问题、应用的热平衡问题、长效荧光粉问题和配光问题等四个核心技术瓶颈: 核心技术1:高导热金属材质 目前上游龙企业,比如CREE已经可以做到的芯片光效可以达到130-150lm/W。但是LED结温高低直接影响到LED出光效率、器件寿命、可靠性、发射波长等。保持LED结温在允许的范围内,是大功率LED芯片制备、器件封装和器件应用等每个环节都必须重点研究的关键因素,尤其是LED器件封装和器件应用设计必须着重解决的核心问题。 现在主流的应用技术材质是用铝基板来封装,但是铝基板封装的芯片散热和光转换效率都存在技术核心瓶颈,不能有效地控制结温和稳定地维持高功率的光输出,并且应用会因为芯片光效越高,所需的铝基板面积就越大,会加大成本和应用体积,极为不便。所以如何走出此误区另辟新路是新的技术核心特点。 核心技术2:热平衡技术 LED器件采用专利热平衡散热结构关键技术,在保持低成本和被动散热方式的前提下,利用高导热介质,通过崭新的器件/灯具整体结构,成功降低热阻,有效降低PN结结温,使PN结工作在允许工作温度内,保持最大量光子输出。其特点如下: (1)超低热阻材料,快速散热整体结构技术; (2)高导热、抗UV封装技术; (3)应用低环境应力结构技术; (4)整体热阻<20K/W,结温<80度; (5)LED光源照明模组工作温度控制在65℃以下。 核心技术3:高效荧光粉的应用 目前市场上所常用的白光LED发光荧光粉应用技术是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG)封装在一起做成,该技术是日本日亚化工在上世纪90年代末发明,并形成专利技术垄断。GaN芯片发蓝光(λp=465nm,Wd=30nm),高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉,受此蓝光激发后发出黄色光发射,峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中,覆盖以混有YAG的树脂薄层,约200-500nm。LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收,另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合,可以得到得白光。理论上对于In-GaN/YAG白色LED,通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度,可以获得色温3500-10000K的各色白光。但是这种传统的白光LED工艺基础上采用的还是蓝光LED,所以当色温偏高时,色彩会向蓝色偏移,而产生色飘,形成一定的光污染。必须采用在降低光效、降低整体热阻的情况下,方可实现相对的稳定,但是衰减情况还是不容乐观。 目前已商品化的第一种产品为蓝光单晶片加上YAG黄色荧光粉,其最好的发光效率约为35流明/瓦,YAG多为日本日亚公司的进口,价格在2000元/公斤;第二种是日本住友电工亦开发出以ZnSe为材料的白光LED,不过发光效率较差。 核心技术4:LED一次配光学的应用 目前全球LED行业内的主流做法是在封装LED芯片形成光源或光源模组以后,在做成灯具的时候再进行配光,这样采用的是原有传统光源的做法,因为传统光源是360°发光。如果要把光导到应用端,目前飞利浦的传统灯具做到最好的一款,光损失也达到40%。而我们国内众多的LED下游厂家应用的灯具光学参数其实都是芯片或者光源的光学参数,而不是整体灯具的的光学指标参数。 现在最先进的科学方法是在芯片封装上就做配光,一次把芯片的光导出来,维持最大的光输出,这样光损率只有5%-10%。随着技术的不断改进,光损率将会越来越低,光源的光效会越来越高。同样配有这样的光源灯具无需再做配光,相对的灯具效率将会大大提高,使之更为广泛地使用到功能性照明之中,形成相当规模的市场渠道。

6. 大家帮个忙

一、LED的结构及发光原理
50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。
LED结构图如下图所示

发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片,在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为p-n结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。 当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。

二、LED光源的特点
1. 电压:LED使用低压电源,供电电压在6-24V之间,根据产品不同而异,所以它是一个比使用高压电源更安全的电源,特别适用于公共场所。
2. 效能:消耗能量较同光效的白炽灯减少80%
3. 适用性:很小,每个单元LED小片是3-5mm的正方形,所以可以制备成各种形状的器件,并且适合于易变的环境
4. 稳定性:10万小时,光衰为初始的50%
5. 响应时间:其白炽灯的响应时间为毫秒级,LED灯的响应时间为纳秒级
6. 对环境污染:无有害金属汞
7. 颜色:改变电流可以变色,发光二极管方便地通过化学修饰方法,调整材料的能带结构和带隙,实现红黄绿兰橙多色发光。如小电流时为红色的LED,随着电流的增加,可以依次变为橙色,黄色,最后为绿色
8. 价格:LED的价格比较昂贵,较之于白炽灯,几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当,而通常每组信号灯需由上300~500只二极管构成。
三、单色光LED的种类及其发展历史
最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP,发红光(λp=650nm),在驱动电流为20毫安时,光通量只有千分之几个流明,相应的发光效率约0.1流明/瓦。
70年代中期,引入元素In和N,使LED产生绿光(λp=555nm),黄光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。
到了80年代初,出现了GaAlAs的LED光源,使得红色LED的光效达到10流明/瓦。
90年代初,发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在红、橙区(λp=615nm)的光效达到100流明/瓦,而后者制成的LED在绿色区域(λp=530nm)的光效可以达到50流明/瓦。
四、单色光LED的应用
最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例,在美国本来是采用长寿命,低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流明的白光。经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中,Lumileds公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。
汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。1987年,我国开始在汽车上安装高位刹车灯,由于LED响应速度快(纳秒级),可以及早让尾随车辆的司机知道行驶状况,减少汽车追尾事故的发生。
另外,LED灯在室外红、绿、蓝全彩显示屏,匙扣式微型电筒等领域都得到了应用。
五、白光LED的开发
对于一般照明而言,人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm,Wd=30nm),高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射,峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中,覆盖以混有YAG的树脂薄层,约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收,另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合,可以得到得白光。现在,对于InGaN/YAG白色LED,通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度,可以获得色温3500-10000K的各色白光。(如下图所示)

表一列出了目前白色LED的种类及其发光原理。目前已商品化的第一种产品为蓝光单晶片加上YAG黄色荧光粉,其最好的发光效率约为25流明/瓦,YAG多为日本日亚公司的进口,价格在2000元/公斤;第二种是日本住友电工亦开发出以ZnSe为材料的白光LED,不过发光效率较差。
从表中也可以看出某些种类的白色LED光源离不开四种荧光粉:即三基色稀土红、绿、蓝粉和石榴石结构的黄色粉,在未来较被看好的是三波长光,即以无机紫外光晶片加R.G.B三颜色荧光粉,用于封装LED白光,预计三波长白光LED今年有商品化的机机会。但此处三基色荧光粉的粒度要求比较小,稳定性要求也高,具体应用方面还在探索之中。
表 一 白 色 LED 的 种 类 和 原 理
芯片数 激发源 发光材料 发光原理
1 蓝色LED InGaN/YAG InGaN的蓝光与YAG的黄光混合成白光
蓝色LED InGaN/荧光粉 InGaN的蓝光激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光
蓝色LED ZnSe 由薄膜层发出的蓝光和在基板上激发出的黄光混色成白光
紫外LED InGaN/荧光粉 InGaN的紫外激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光
2 蓝色LED
黄绿LED InGaN、GaP 将具有补色关系的两种芯片封装在一起,构成白色LED
3 蓝色LED
绿色LED
红色LED InGaN
AlInGaP 将发三原色的三种小片封装在一起,构成白色LED
多个 多种光色的LED InGaN、GaP
AlInGaP 将遍布可见光区的多种光芯片封装在一起,构成白色LED

采用LED光源进行照明,首先取代耗电的白炽灯,然后逐步向整个照明市场进军,将会节约大量的电能。近期,白色LED已达到单颗用电超过1瓦,光输出25流明,也增大了它的实用性。表二和表三列出了白色LED的效能进展。
表 二 单 颗 白 色L ED 的 效 能 进展
年份 发光效能(流明/瓦) 备注
1998 5
199 15 相若白炽灯
2001 25 相若卤钨灯
2005 50 估计

表三 长远发展目标
单颗白色LED
输入功率 10瓦
发光效能 100流明/瓦
输出光能 1000流明/瓦

六、业界概况
在LED业者中,日亚化学是最早运用上述技术工艺研发出不同波长的高亮度LED,以及蓝紫光半导体激光(Laser Diode;LD),是业界握有蓝光LED专利权的重量级业者。在日亚化学取得兰色LED生产及电极构造等众多基本专利后,坚持不对外提供授权,仅采自行生产策略,意图独占市场,使得蓝光LED价格高昂。但其他已具备生产能力的业者相当不以为然,部分日系LED业者认为,日亚化工的策略,将使日本在蓝光及白光LED竞争中,逐步被欧美及其他国家的LED业者抢得先机,届时将对整体日本LED产业造成严重伤害。因此许多业者便千方百计进行蓝光LED的研发生产。目前除日亚化学和住友电工外,还有丰田合成、罗沐、东芝和夏普,美商Cree,全球3大照明厂奇异、飞利浦、欧司朗以及HP、Siemens、 Research、EMCORE等都投入了该产品的研发生产,对促进白光LED产品的产业化、市场化方面起到了积极的促进作用。

7. 有关LED全彩屏的生产公司常识

发光二极管 (Light-emitting diode, LED) 是一种半导体组件。初时多用作为指示灯、显示板等;随着白光发光二极管的出现,也被用作照明。它是21世纪的新型光源,具有效率高、寿命长、不易破损等传统光源无法与之比较的优点。加正向电压时,发光二极管能发出单色、不连续的光,这是电致发光效应的一种。改变所采用的半导体材料的化学组成成分,可使发光二极管发出在近紫外线、可见光或红外线的光。
1、发光(能量转换)效率高 - 也即省电。远远高于白炽灯,也高于荧光灯,目前量产的最高效能已经达到150lumen/W。
2、反应(开关)时间快 - 可以达到很高的闪烁频率。
3、使用寿命长 - 达35,000 ~ 100,000小时,相对荧光灯为10,000 ~ 15,000小时,白炽灯为1,000 ~ 2,000小时。
4、耐震荡等机械冲击 - 由于是固态组件,相对荧光灯、白炽灯等能承受更大震荡。
5、体积小 - 其本身体积可以造得非常细小(小于2mm)。
6、便于聚焦 - 因发光体积细小,易于而以透镜等方式达致所需集散程度,藉改变其封装外形,方向性从大角度的散射以至集中于细角度都可以达到。
7、多种颜色 - 能在不加滤光器下提供多种不同颜色,而且单色性强。
8、色域丰富 - 白色LED覆盖色域较其它白色光源广
材料与颜色
铝镓砷化物( AlGaAs) -红色和红外
铝磷化镓( AlGaP ) -绿色
磷化铟镓铝( AlGaInP ) -高亮度橙红色,橙色,黄色和绿色
磷化铟砷化镓( GaAsP ) -红,橙,红,橙,黄
磷化镓(Gap) -红,黄,绿
氮化镓( GaN ) -绿色,纯绿色(或绿色) ,蓝
铟镓氮化物( InGaN ) -近紫外线,蓝色,绿色和蓝色
碳化硅(Sic)为底物-蓝
硅(si)为底物-蓝色(开发中)
蓝宝石(Al2O3)为底物-蓝
硒化锌( ZnSe) -蓝
钻石( c )-紫外线
氮化铝(AIN) ,铝镓氮化物(AlGaN ) -近到远紫外线

LED发光二极管原理
发光二极管是一种特殊的二极管。和普通的二极管一样,发光二极管由半导体芯片组成,这些半导体材料会预先透过注入或搀杂等工艺以产生p、n 架构。与其它二极管一样,发光二极管中电流可以轻易地从p极(阳极)流向n极(负极),而相反方向则不能。两种不同的载流子:电洞和电子在不同的电极电压作用下从电极流向p、n 架构。当电洞和电子相遇而产生复合,电子会跌落到较低的能阶,同时以光子的模式释放出能量。
它所发出的光的波长(决定颜色),是由组成p、n 架构的半导体物料的禁带能量决定。由于硅和锗是间接带隙材料,在这些材料在常温下电子与电洞的复合是非辐射跃迁,此类跃迁没有释出光子,所以硅和锗二极管不能发光。但在极低温的特定温度下则会发光,必须在特殊角度下才可发现,而该发光的亮度不明显。发光二极管所用的材料都是直接带隙型的,这些禁带能量对应着近红外线、可见光、或近紫外线波段的光能量。
发展初期,采用砷化镓(GaAs)的发光二极管只能发出红外线或红光。随着材料科学的进步,各种颜色的发光二极管,现今皆可制造。
蓝光LED
1993年,当时在日本日亚化工(Nichia Corporation)工作的中村修二(Shuji Nakamura)发明了基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化镓(InGaN)的具有商业应用价值的蓝光LED,这类LED在1990年代后期得到广泛应用。

白光LED
红绿蓝系统(RGB system)
有了蓝光LED之后,结合原有的红光LED和绿光LED便可产生白光,这样产生的白光LED有很广的色域,但由于成本相当高,大部份白光LED很少采用这方法,现在只有只有在高档次、有高要求的产品中使用。
磷光剂白光LED
现在大部份的白光LED都采用单一发光单元发出较短波长的光,再用磷光剂把部份或全部光转化成一或多种其它颜色的光(波长较长的光),当所有光混合起来后,看起来便像白光。 这种光波波长转化作用称为荧光,原理是短波长的光子(如蓝光或紫外光)被荧光物质(如磷光剂)中的电子吸收后,电子被激发(跳)至较高能量、不稳定的激发状态,之后电子在返回原位时,一部份能量散失成热能,一部份以光子形式放出,由于放出的光子能量比之前的小,所以波长较长。由于转化过程中有部份能量化成热能,造成能量损耗,因此这类白光LED的效率型都较低。
发光单元有采用蓝光LED的,也有采用紫外光LED的。日亚化工开发并从1996年开始生产的白光LED采用蓝光LED作发光单元,波长 450 nm 至 470 nm,磷光剂通常是掺杂了铈的钇-铝-镓(Ce3+:YAG)(实际上单晶的掺铈(Ce)的YAG被视为闪烁器多于磷光体。)。LED发出的部份蓝光由荧光剂转换成黄光为主的较宽光谱(光谱中心约为580nm),由于黄光能刺激人眼中的红光和绿光受体,加上原有余下的蓝光刺激人眼中的蓝光受体,看起看起来就像白色光,而其所呈现的色泽常被称作「月光的白色」。
若要调校淡黄色光的颜色,可以把掺杂在Ce3+:YAG 中的铈(Ce)换作其它稀释金属,例如铽或钆,甚至可以以取代YAG中的部份或全部铝的模式做到。而基于其光谱的特性,红色和绿色的对象在这种LED照射下看起来会不及阔谱光源照射时那么鲜明。另外由于生产工艺的波动,这种LED的成品的色温并不统一,从暖黄色的到冷的蓝色都有,所以在生产过程中会以其出来的特性作出区分。
而这种LED的结构是把蓝光LED封进混入了磷光剂的环氧树脂中而造成,但也有较复杂的方法,由Philips Lumileds取得专利的方法便是把磷光剂涂在LED上,值由控制磷光剂的厚度增加效率。
另一种白光LED的发光原理跟荧光灯是一样的。发光单元是紫外光LED,外面包着两种磷光剂混合物,一种是发红光和蓝光的铕,另一种磷光剂是发绿光的铜和铝掺杂了硫化锌(ZnS)。
内里的紫外光LED发出的紫外光被外层的磷光剂转换成红、蓝、绿三色光,混合后就成了白光。
但由于紫外线会使黏合剂中的环氧树脂裂化变质,所以生产难度较高,而寿命亦较短。与第一种方法比较,因为Stokes Shift前者较大,光波在转化过程中有较多被化成热能,因此效率较低,但好处是光谱的特性较佳,产生的光比较好看。而由于紫外光的LED功率较高,所以其效率虽比较第一种方法低,但出来的亮度却相若。
最新一种制造白光LED的方法没再用上磷光体。新的做法是在硒化锌(ZnSe)基板上生长硒化锌的磊晶层。通电时其活跃地带会发出蓝光而基板会发黄光,混合起来便是白色光。
工作参数和效率
一般最常见的LED工作功率都是设定于30至60毫瓦电能以下。在1999年开始引入了可以在1瓦电力输入下连续使用的商业品级LED。这些LED都以特大的半导体芯片来处理高电能输入的问题,而那半导体芯片都是固定在金属铁片上,以助散热。在2002年,在市场上开始有5瓦的LED的出现 ,而其效率大约是每瓦18至22流明。
2003年九月,Cree, Inc.公司展示了其新款的蓝光LED,在20毫安下达到35%的照明效率。他们亦制造了一款达65流明每瓦的白光LED商品,这是当时市场上最亮的白光LED。在2005年他们展示了一款白光LED原型,在350毫安工作环境下,创下了每瓦70流明的记录性效率。
2009年2月, 日本LED厂商日亚化工 (Nichia)发表了高达每瓦249流明发光效率的LED,不过虽然是实验室数据,但也已经是目前最高发光效率的LED了。
发光二极管的极性
在穿孔式封装LED,一般长脚是正极,短脚是负极,但由于一些制造商没有遵守关于极性的规范,不论是看内部架构还是看外观,都不能百分之百准确确定发光二极管的极性。确定LED的极性的方法有:
·查找生产商资料,
·用模拟式万用表的电阻档测试,
·或者先用一个低压电源串连一个电阻。

LED驱动
一般生产商数据都有在不同电流下光度变化的相关资料,全因LED的光度与电流有较值接关系;同时,因为电压与电流成对数相关,所以在发光二极管的整个工作区电压基本不变,功率大致与电流成正比。因此,在推动LED时有下列事项要注意:
·为了稳定地控制光度及功耗,应该以电流源推动LED,使流经LED的电流保持稳定不变。为了简化,在不需要高效率的场合,可以用一个电压源串连一个限流电阻,来作为电流源为发光二极管供电。多个LED可以与单个限流电阻串连起来。
·若以电压源为发光二极管供电,LED的电压-电流特性成对数的关系将使得很小的电压变化会造成巨大的电流变化,加上发光二极管生产工艺的离散性,用电压源推动的话不但很难控制光度,而且很容易因为电流超过最大定额定值而使器件烧毁。
· 并联的应用一般会有问题,由于并联时所有的LED都受同一电压,同一电压下各LED的电流却因生产制程的离散性并不一样,导致各LED光度不一。若LED是同一型号会拥有较相近的光度,即便如此,生产工艺的波动也会让这种并联应用无法令人满意。相反,串联下所有的LED都有相同电流,光度会非常相近。
为提升效率(或者允许无须数模转换的集成控制),可以使用脉冲宽度调制(Pulse width molation - PWM)推动LED,控制导通时段的长度,也就是占空比,可以改变流经LED的平均电流,从而控制LED的光度,由于控组件没有半导通的状态,电压降较少,因而效率较高,只要闪烁频率高于人眼的视觉暂留,LED看起来就象连续发光一样。
脉冲宽度调制控制LED光度的方法在白色LED有另一好处,因为白色LED的色温随电流强弱而转变,在脉冲宽度调制控制下,导通电流在不同光度下都不变,因此可以在不同光度保持色温不变,这在视频播放设备中,应用LED作背光的情况特别重要。
许多LED额定的反向击穿电压值一般比较低,因此加上几伏特的反向电压就可能损坏。如果需要用超过反向击穿电压的交流电供电的话,可以用反并联一个二极管(或另一个LED)的方法进行保护。
有的LED在出厂时内部就已经集成了串连电阻。这样可以节省印刷线路板的空间,这在搭建样机或扩展印刷线路板时特别有用。然而由于串连电阻值在出厂时就已经确定,使得LED的一种主要的集成设置方法无法应用。
双色LED单元包含两个二极管,极性相反(即两个二极管是反并联的),颜色不同(典型是红色和绿色),可以显示两种颜色,或者透过调整两个二极管导通时间的比例来实现各种混合颜色。另一些LED单元里的两个或多个不同颜色的二极管是共阳极或共阴极架构,这样无须改变极性就可以产生多种颜色的光。

8. LED等是谁发明的

中村修二,

中村修二(Shuji Nakamura),1954年5月22日出生于日本伊方町,毕业于日本德岛大学,日裔美籍电子工程学家,美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院材料系教授。

中村修二于1993年在日本日亚化学工业株式会社(Nichia Corporation)就职期间,基于GaN开发了高亮度蓝色LED,从而广为人知。当时,开发一种蓝色LED被认为是不可能的,此前的20年间只有红色和绿色LED。

2014年10月7日,赤崎勇、天野浩和中村修二因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。

(8)日亚化工股价扩展阅读

中村修二教授的创新使得LED生产商能够生产三原色(红、绿和蓝)LED,从而使实现1600万色成为可能。或许最为重要的是,LED行业利用这种新技术来开始白色LED(半导体生态光源)的商业化生产。

1989年,中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED。由于在蓝光LED方面的杰出成就,中村教授获得了一系列荣誉,包括仁科纪念奖(1996),IEEE Jack A.莫顿奖,英国顶级科学奖。

富兰克林奖章(2002),2003年中村教授入选美国国家工程院(NAE)院士,2006年获得千禧技术奖。 2000年,中村教授加入加州大学圣芭芭拉分校。他获得100多项专利,并发表了200多篇论文。

9. LED未来发展趋势如何

我觉得LED最大的优点就是节能,在自然资源日益紧张的情况下,这种光源可能会有好的前景。为什么说是可能?因为就现在看来,LED目前应用成熟的地方大概只有指示灯领域和大屏的LED显示器,而最大的市场--照明市场几乎没有他说话的分,而未来能否发展,很大程度上就看他能后克服现在的缺陷,进军照明市场。
目前LED的问题概括下就是1.高成本,普通白芷灯的价格只有2元,新型的节能荧光灯管只要20元,而LED白光灯最少40元,大部分都是60~70元,成本太高 2.光源不够强且并不舒适,这个行内人士懂得,尤其是大功率的LED,完全不适合做家用照明 3.还不够节能,他的对手--新型荧光灯的功耗(一般家用)也不过12瓦附近,而LED做日光灯也在 10瓦 附近4.对环境要求高,尤其是像路灯这样的应用,高要求成本也高,维护如果太麻烦就不可能大量使用
如果解决能在以上问题,那么在照明市场上他将有能力和新型的低功耗荧光灯竞争,如果不能,那么他的市场只能留在现有的狭小空间内,当然这也是不一定的,技术发展很快,新的领域也许也会用到LED技术,据说有德国研究小组正在努力通过以LED闪烁为媒介转输信息让LED成为家庭网络一部分,理论传输速度大1000MB/S,不过相比讨论如何扩展LED的应用,个人认为目前还是应该从先提升自身性能开始做起

10. LED未来的发展前景

LED已经不断运用于户外广告行业了,据前瞻产业研究院《2016-2021年中国户外广告行业典型商业模式与创新策略分析报告》显示,LED显示屏作为21世纪户外广告媒体的新趋势,未来市场前景也是不可估量。
然而,在各大LED广告运营商竞相崛起的同时,户外广告现存的问题也逐个暴露出来,在这样的市场形式下,倒逼着LED户外广告行业必须进行革新。
从现阶段来看,激烈的竞争使得LED企业利润将低,生产能力的提高直接影响着市场的供需关系,降价行为频现。
据相关机构调研发现,大约有70%的LED户外广告企业处于亏损状态,15%的企业处于收支平衡,只有15%的企业盈利,七成以上的LED户外广告显示屏空置率高达70%—80%,使得整个LED户外广告行业处于尴尬的处境。
目前,面临大数据带来的观念上全新的变革,LED户外广告也将进入新一轮的革新潮中,假若LED户外广告无法突破现有的桎梏,即使市场再宽阔,总会有一些企业将会走向灭亡。

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