贴片电阻贵金属

㈠ 电阻有几种 好像还有电感电阻。又有什么不同

一般可分为以下几种：有定值电阻、可变电阻和特种电阻。按材料和性质分类：1、实芯碳质电阻2、绕线电阻3、薄膜电阻：细分为碳膜电阻、金属膜电阻、氧化金属膜电阻、合成膜电阻（漆膜电阻）4、水泥电阻5、金属玻璃轴电阻：包括贴片电阻等6、敏感电阻：主要包括热敏电阻、压敏电阻、湿敏电阻、光敏电阻、气敏电阻、磁敏电阻和力敏电阻等。

㈡ 电阻的分类

电阻分类
按阻值特性
固定电阻、可调电阻、特种电阻(敏感电阻) . 不能调节的，我们称之为定值电阻或固定电阻，而可以调节的，我们称之为可调电阻。常见的可调电阻是滑动变阻器,例如收音机音量调节的装置是个圆形的滑动变阻器，主要应用于电压分配的，我们称之为电位器.
按制造材料
碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻，无感电阻，薄膜电阻等。 薄膜电阻 用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下： 碳膜电阻器 碳膜电阻
碳膜电阻（碳薄膜电阻），常用符号RT作为标志；为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差虽然较金属皮膜电阻高，但由于价钱便宜。碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上，是目前电子，电器，设备，资讯产品之最基本零组件。 金属膜电阻器 金属膜电阻(metal film resistor)，常用符号RJ作为标志；其同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂，只是将炭膜换成金属膜（如镍铬），并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值，并且于瓷棒两端镀上贵金属。虽然它较碳膜电阻器贵，但低杂音，稳定，受温度影响小，精确度高成了它的优 金属膜电阻
势。因此被广泛应用于高级音响器材，电脑，仪表，国防及太空设备等方面。 金属氧化膜电阻器 某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作，使用一般的电阻会未能保持其安定性。在这种情况下可使用金属氧化膜电阻（金属氧 化物薄膜电阻器） ，它是利用高温燃烧技术于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜（用锡和锡的化合物喷制成溶液，经喷雾送入500~500℃的恒温炉，涂覆在旋转的陶瓷基体上而形成的。材料也可以氧化锌等），并在金属氧化薄膜车上螺旋纹做出不同阻值，然后于外层喷涂不燃性涂料。其性能与金属膜电阻器类似，但电阻值范围窄。它能够在高温下仍保持其安定性，其典型的特点是金属氧化膜与陶瓷基体结合的更牢，电阻皮膜负载之电力亦较高。耐酸碱能力强，抗盐雾，因而适用于在恶劣的环境下工作。它还兼备低杂音，稳定，高频特性好的优点。常用符号RY作为标志。 合成膜电阻 金属氧化膜电阻
将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。 由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压，高阻， 小型电阻器。 绕线电阻 用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。 绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。 方形线绕电阻 方形线绕电阻
方形线绕电阻（钢丝缠绕电阻）又俗称为水泥电组，采用镍，铬，铁等电阻较大的合金电阻线绕在无碱性耐热瓷件上，外面加上耐热，耐湿，无腐蚀之材料保护而成，再把绕线电阻体放入瓷器框内，用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。而不燃性涂装线绕电阻的差别只是外层涂装改由矽利康树脂或不燃性涂料。它们的优点是阻值精确，低杂音，有良好散热及可以承受甚大的功率消耗，大多使用于放大器功率级部份。缺点是阻值不大，成本较高，亦因存在电感不适宜在高频的电路中使用。 实芯碳质电阻 碳质电阻
用碳质颗粒状导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。并在制造时植入导线。电阻值的大小是根据碳粉的比例及碳棒的粗细长短而定。 特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。 金属玻璃铀电阻 将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。 耐潮湿，高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。 贴片电阻SMT 贴片电阻
贴片电阻（片式电阻）是金属玻璃铀电阻的一种形式，它的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，特点是体积小，精度高，稳定性和高频性能好，适用于高精密电子产品的基板中。而贴片排阻则是将多个相同阻值的贴片电阻制作成一颗贴片电阻，目的是可有效地限制元件数量，减少制造成本和缩小电路板的面积。 无感电阻 无感电阻常用于做负载，用于吸收产品使用过程中产生的不需要的电量,或起到缓冲，制动的作用，此类电阻常称为JEPSUN制动电阻或捷比信负载电阻。
按安装方式
插件电阻、贴片电阻。 贴片电阻
按功能分
负载电阻，采样电阻，分流电阻，保护电阻等。

㈢ 电阻的种类 及作用

电阻分压 限流 ....碳膜 金属膜等

㈣ 贴片电阻含金吗

贴片电阻并不含金的，并不需要镀金。贴片式电阻一般由以下材料制作而成：
基材是氧化铝，电阻材料是氧化钌
1.基板（陶瓷基板）
2.电阻浆（R膏）
3.背导材料
4.正导材料及侧导材料（Ag浆）
5.一次保护玻璃G16.二次保护玻璃G27.Mark标记材料。

㈤ 474J 400V电容

橘红色的，电容上标着474J 400V的电容一般都是聚丙烯膜（无感）电容器（CBB13）是无感结构，用聚丙烯薄膜作为电介质和铝箔为电极绕制而成，导线采用镀锡铜包钢线，使用环氧树脂包封。474J400V的·电容在北京海淀区中发电子大厦批发价格都在一元以下。

㈥ 炭条电阻是什么材质

按制造材料

碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻，无感电阻，薄膜电阻等.
薄膜电阻
用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下：
碳膜电阻器
碳膜电阻（碳薄膜电阻）为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差虽然较金属皮膜电阻高，但由于价钱便宜。碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上，是目前电子，电器，设备，资讯产品之最基本零组件。
金属膜电阻器
金属膜电阻（金属拍摄电阻）同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂，只是将炭膜换成金属膜（如镍铬） ，并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值，并且于瓷棒两端镀上贵金属。虽然它较碳膜电阻器贵，但低杂音，稳定，受温度影响小，精确度高成了它的优势。因此被广泛应用于高级音响器材，电脑，仪表，国防及太空设备等方面。
金属氧化膜电阻器
某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作，使用一般的电阻会未能保持其安定性。在这种情况下可使用金属氧化膜电阻（金属氧
化物薄膜电阻器） ，它是利用高温燃烧技术于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜（用锡和锡的化合物喷制成溶液，经喷雾送入500~500℃的恒温炉，涂覆在旋转的陶瓷基体上而形成的。材料也可以氧化锌等） ，并在金属氧化薄膜车上螺旋纹做出不同阻值，然后于外层喷涂不燃性涂料。其性能与金属膜电阻器类似，但电阻值范围窄。它能够在高温下仍保持其安定性，其典型的特点是金属氧化膜与陶瓷基体结合的更牢，电阻皮膜负载之电力亦较高。耐酸碱能力强，抗盐雾，因而适用于在恶劣的环境下工作。它还兼备低杂音，稳定，高频特性好的优点。
合成膜电阻
将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。
由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。
绕线电阻
用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。
绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。 方形线绕电阻
方形线绕电阻（钢丝缠绕电阻）又俗称为水泥电组，采用镍，铬，铁等电阻较大的合金电阻线绕在无碱性耐热瓷件上，外面加上耐热，耐湿，无腐蚀之材料保护而成，再把绕线电阻体放入瓷器框内，用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。而不燃性涂装线绕电阻的差别只是外层涂装改由矽利康树脂或不燃性涂料。它们的优点是阻值精确，低杂音，有良好散热及可以承受甚大的功率消耗，大多使用于放大器功率级部份。缺点是阻值不大，成本较高，亦因存在电感不适宜在高频的电路中使用。
实芯碳质电阻
用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。 并在制造时植入导线。电阻值的大小是根据碳粉的比例及碳棒的粗细长短而定。
特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。
金属玻璃铀电阻
将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。
耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。
贴片电阻SMT
贴片电阻（片式电阻）是金属玻璃铀电阻的一种形式，它的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，特点是体积小，精度高，稳定性和高频性能好，适用于高精密电子产品的基板中。而贴片排阻则是将多个相同阻值的贴片电阻制作成一颗贴片电阻，目的是可有效地限制元件数量，减少制造成本和缩小电路板的面积。
无感电阻
无感电阻常用于做负载,用于吸收产品使用过程中产生的不需要的电量,或起到缓冲,制动的作用,此类电阻常称为JEPSUN制动电阻或捷比信负载电阻。
插件电阻、贴片电阻。
负载电阻，采样电阻，分流电阻，保护电阻等。

㈦ 电阻的用途是什么如何进行分类

主要用于控制和调节电路中的电流和电压，或用作消耗电能的负载。
A.按阻值特性：固定电阻、可调电阻、特种电阻(敏感电阻) 。
不能调节的,我们称之为定值电阻或固定电阻,而可以调节的,我们称之为可调电阻.常见的可调电阻是滑动变阻器,例如收音机音量调节的装置是个圆形的滑动变阻器,主要应用于电压分配的,我们称之为电位器.
B.按制造材料碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻，无感电阻，薄膜电阻等.
薄膜电阻
用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下：
1 碳膜电阻器
碳膜电阻（碳薄膜电阻）为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差虽然较金属皮膜电阻高，但由于价钱便宜。碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上，是目前电子，电器，设备，资讯产品之最基本零组件。
2 金属膜电阻器。
金属膜电阻（金属拍摄电阻）同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂，只是将炭膜换成金属膜（如镍铬） ，并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值，并且于瓷棒两端度上贵金属。虽然它较碳膜电阻器贵，但低杂音，稳定，受温度影响小，精确度高成了它的优 势。因此被广泛应用于高级音响器材，电脑，仪表，国防及太空设备等方面。
3 金属氧化膜电阻器
某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作，使用一般的电阻会未能保持其安定性。在这种情况下可使用金属氧化膜电阻（金属氧
化物薄膜电阻器） ，它是利用高温燃烧技术于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜（用锡和锡的化合物喷制成溶液，经喷雾送入500~500℃的恒温炉，涂覆在旋转的陶瓷基体上而形成的。材料也可以氧化锌等） ，并在金属氧化薄膜车上螺旋纹做出不同阻值，然后于外层喷涂不燃性涂料。其性能与金属膜电阻器类似，但电阻值范围窄。它能够在高温下仍保持其安定性，其典型的特点是金属氧化膜与陶瓷基体结合的更牢，电阻皮膜负载之电力亦较高。耐酸碱能力强，抗盐雾，因而适用于在恶劣的环境下工作。它还兼备低杂音，稳定，高频特性好的优点。
4 合成膜电阻 将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。
由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。
绕线电阻
用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。
绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。
方形线绕电阻
方形线绕电阻（钢丝缠绕电阻）又俗称为水泥电组，采用镍，铬，铁等电阻较大的合金电阻线绕在无碱性耐热瓷件上，外面加上耐热，耐湿，无腐蚀之材料保护而成，再把绕线电阻体放入瓷器框内，用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。而不燃性涂装线绕电阻的差别只是外层涂装改由矽利康树脂或不燃性涂料。它们的优点是阻值精确，低杂音，有良好散热及可以承受甚大的功率消耗，大多使用于放大器功率级部份。缺点是阻值不大，成本较高，亦因存在电感不适宜在高频的电路中使用。
实芯碳质电阻
用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。 并在制造时植入导线。电阻值的大小是根据碳粉的比例及碳棒的粗细长短而定。
特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。
金属玻璃铀电阻
将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。
耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。
贴片电阻SMT
贴片电阻（片式电阻）是金属玻璃铀电阻的一种形式，它的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，特点是体积小，精度高，稳定性和高频性能好，适用于高精密电子产品的基板中。而贴片排阻则是将多个相同阻值的贴片电阻制作成一颗贴片电阻，目的是可有效地限制元件数量，减少制造成本和缩小电路板的面积。
无感电阻
无感电阻常用于做负载,用于吸收产品使用过程中产生的不需要的电量,或起到缓冲,制动的作用,此类电阻常称为JEPSUN制动电阻或捷比信负载电阻。
C.按安装方式插件电阻、贴片电阻

D.按功能分负载电阻，采样电阻，分流电阻，保护电阻等

㈧ 贴片二极管的选择

想必是给充电用的吧!最好选用肖特基二极管。
肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。

1．肖特基二极管原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而削弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度W0变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。

综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫做肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率 。

2．肖特基二极管的结构
肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，如图4-45所示。

肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式，见图4-46。

采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式。

3．肖特基二极管的检测
肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

（1）性能比较

肖特基二极管现超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。

（2）检测方法

下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括：①识别电极；②检查管子的单向导电性；③测正向导压降VF；④测量反向击穿电压VBR。被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，外形如图4所示，将管脚按照从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量。

测试结论：

第一，根据①②、③④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。

第二，因①②、③②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。

第三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的最大允许值VFM(0.55V)。

另外使用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的最高反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。表明留有较高的安全系数。

4.常用的肖特基二极管主要参数
常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。

系统分类: 模拟技术
用户分类: 电子基础
标签: 肖特基 二极管
来源: 整理

㈨ 硬件失效的主要机理

硬件失效的主要原因是什么

你是否长时间纠缠于线路板的失效分析？你是否花费大量精力在样板调试过程中？你是否怀疑过自己的原本正确的设计？也许许多硬件工程师都有过类似的心理对话。有数据显示，78%的硬件失效原因是由于不良的焊接和错误的物料贴片造成的。

导致工程师花费大量时间和精力在样板调试和分析中，耽误了项目进度。如果一时间找不出不良原因，工程师会怀疑自己的原本正确的设计，致使自己误入不正确的思维方向。

在真正做硬件调试的时候，工程师往往会考虑很多高深的潜在诱因，但都不愿意去怀疑焊接是否足够可靠，但是往往“最安全的地方，就是最危险的地方”。

工程师们会习惯性的认为焊接这样简单的事情不会造成许多貌似复杂的问题，一旦这样的问题发生了，他们也会习惯性的去考虑软件的健壮性，硬件电路的设计的合理性。比如：

1案例一

由于DDR高速信号部分某一信号的虚焊，系统作普通小数据量传输时看似都工作正常，然而在做大数据量的burst操作时，比如高清电影播放，操作系统载入，就会常常报错。而往往被误以为是软件原因，软件工程师长时间查看代码无果。

2案例二

由于焊接时时间和温度控制不当，导致LCD和USB这样的连接器内部的塑料结构部分因为高温而融化变形，导致某一信号意外断开，从而LCD无显示，USB无通讯，被误以为是软件驱动问题。

3案例三

在CPU电源旁，密集的分布着大量去偶电容，由于焊接过程中多余的焊锡导致某一电容短路，结果导致硬件工程师花费大量时间去逐个排查短路原因。

4案例四

高速信号接口连接器，由于某一信号虚焊，导致系统可以工作在较低的总线频率，一旦提升总线速度，系统立即报错。这样问题的原因基本很难被定位。

5案例五

由于电感部分的焊接不良，导致LED的PWM调光功能失效，工程师花大量时间确认是否是软件或者硬件的问题。

焊接，看似简单，但是也是有许多的工作细节和步骤拼凑而成，而这些环节彼此间也是环环相扣的，任何一个环节的错误都会导致最终的问题。所以，在硬件调试过程中，建议工程师们先观察你的样机的焊接质量。

物料是否正确？

脚位是否正确？

是否有连锡，空焊，虚焊的情况？

锡膏过炉后是否饱满，反光？

PCB板是否有焦黄情况？

连接器的结构部分是否在高温下熔化？

芯片位置是否与丝印对应？

检查完以上“浅显”项目后，再把精力放到那些“高深”的问题上！

㈩ ss310二极管可以用什么型号代替

可以用SS315，SS320，SS510型号代替。

SS310属于肖特基二极管，肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

(10)贴片电阻贵金属扩展阅读：

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。

像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。

UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。

即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。

因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。

近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和
200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。