貴金屬沉積半導體

A. 光催化 貴金屬過量會有什麼影響

簡單回答下。

半導體表面和金屬接觸時，載流子會重新分布，電子會從回費米能級較高的n型半導體答轉移到費米能級較低的金屬。這一過程直到兩者費米能級相等。相等的同時形成肖特基勢壘，並捕捉光生電子，防止與光生的空穴復合湮滅。

所以貴金屬沉積太多，會帶來這幾個問題：

1. 材料的穩定性收到影響，很多貴金屬（如Au）在激發光的照射下就會發生熔化和產生團聚，這就形成了大晶粒尺寸的粒子，降低材料的比表面積。這是光催化比較禁忌的。
   

2. 光生載流子的產生依賴於半導體，貴金屬覆蓋面積太大時，半導體吸收光的效率下降，而且光生空穴也難以遷移到材料表面，影響催化活性。

3. 成本提高。

祝好，以上。

B. 染料分子在光解水制氫中除了能夠提高半導體的光催化活性，還有什麼作用

作者來： 張金龍 定價：￥自 20.00 元
出版社： 華東理工大學出版社
出版日期： 2004年12月
ISBN： 7-5628-1609-3/O112
開本： 16 開
類別： 物理化學,化學工程及設備,精細化工,材料科學
頁數： 184 頁
簡介
本書作者根據近年來的研究結果並結合國內外最近的研究成果，著重介紹了集中於界面過程的多相光催化原理，分子和半導體底物中的電子激發過程，並著重闡述半導體催化劑的表面改性等。
目錄
第一章 光催化中的電子過程
第二章 TiO2光催化劑的結構、表面性能及其制備
第三章 貴金屬沉積對光催化活性的影響
第四章 復合半導體光催化劑
第五章 非金屬摻雜光催化劑
第六章 光催化過程中的過渡金屬離子
第七章 染料敏化二氧化鈦光催化
第八章 分子篩中高分散催化劑的定域結構，激發態和光催化反應活性
第九章 非均相光催化
第十章 二氧化鈦光催化膜

C. 中國的半導體公司生產的晶圓或晶元中含有金等貴金屬，想請教哪些歐洲買家會有興趣購買

上面的兄台 說得不完全正確
不可否認 高純度的單晶硅是所有晶圓的主要基材

但是內 你要知道 在鋁墊上容面 還是會含有極其少量的各類金屬 比較常見的是有比較便宜的銅

還有相當多的晶圓 在鈍化層上面長了凸塊 其中就有可能 含有比較貴重的金、鎳、鈀、鈦、銀等金屬

只不過回收的成本和你收益 是否可行 是需要考慮的問題

D. 貴金屬檢測儀器是個什麼儀器

技術參數：抄
分析范圍：1%～99.99%
測量時間：自適應
測量精度：±1000ppm～0.2%
X射線源：Mo靶的X射線光管風冷（無輻射）
分析元素：銥、金、鉑、鈀、銀、銅、鋅、鎳、鎘、銦等貴金屬常用元素和補口。
探測器：固定式半導體封氣正比計數器
高壓器：0～50Kv
分析：多通道模擬
軟體：菜單式軟體，帶硬體參數調整和數據評估及計算
鍍層測量：鍍層厚度范圍<30um
溫度：-11～46℃
電壓：100～127V或220～240V,50/60Hz
最大功率：128W
操作系統：Windows2000/Me/XP
重量：33公斤
尺寸：670*400*330mm
希望可以幫到你（北京樽祥）

E. 二氧化鈦光催化劑的改姓問題

應該是改性問題吧~~~
納米二氧化鈦的改性方法很多, 近年來,人們主要從以下兩個方面入手,提高 TiO2光催化劑的光譜
響應范圍和光催化效率。
其一是通過摻雜等手段降低 TiO2的禁帶寬度,增加其吸收波長。主要採用的方法有: 1)摻雜過渡金屬: 金屬離子摻雜可在半導體表面引入缺陷位置或改變結晶度,成為電子或空穴的陷阱而延長壽命;2)表面光敏化:將光活性化合物化學吸附或物理吸附於催化劑表面從而擴大激發波長范圍, 增加光催化反應的效率; 3)表面螯合及衍生作用: 含硫化合物、OH-和乙二胺四乙酸 (EDTA )等螯合劑能影響一些半導體的能帶位置,使導帶移向更負的位置。
其二是加入電子俘獲劑,使光生電子和空穴有效分離,降低 e-和 h+的復合速率, 主要採用的方法有: 1)貴金屬沉積: TiO2 表面沉積適量的貴金屬, 有利於光生電子和空穴的有效分離以及降低還原反應(質子的還原、溶解氧的還原)的超電壓, 大大提高了催化劑的活性, 研究最多的為 Pt的沉積, 其次Ag 、Pd和 Nb等金屬的摻雜也能降低 TiO2 的帶隙能; 2)復合半導體: 不同金屬離子的配位及電負性不同而產生過剩電荷, TiO2與半導體復合後增加半導體吸收質子或電子的能力, 從而提高催化劑的活性。在二元復合半導體中, 兩種半導體之間的能級差能使電荷有效分離; 3)電子捕獲劑: 加入O2、H2O2和過硫酸鹽等電子捕獲劑, 可以捕獲光生電子,降低 e-與 h+的復合幾率, 從而提高光催化效率。

F. 影響半導體光催化活性的因素有哪些

以納米二氧復化鈦（TiO2）光催制化劑為例，影響納米（TiO2）光催化活性的因素還是很多的，比如說：催化劑的晶型、粒子大小、表面結構、摻雜金屬離子、半導體耦合、表面貴金屬沉積、半導體光敏化、半導體與粘土交聯等。

G. 光催化沉積貴金屬是什麼原理

多相光催化原理

H. 在半導體光催化中為什麼電子會轉移到石墨烯和貴金屬

在半導體光催化中為什麼電子會轉移到石墨烯和貴金屬
在於系摩西氧化物復合後,光照反應的時候,半導體光催化劑會生成電子,這電子難道不會將石墨烯氧化物還原為還原氧化石墨西

I. 貴金屬未來發展前景有什麼優勢

——原標題：2019年全球黃金行業市場分析：央行買盤推動需求量增長 中國成為最大黃金消費地區

1、央行買盤推動上半年黃金需求上升至三年高點

根據世界黃金協會數據，2018年，全球黃金供應量為4655.1噸，同比增長1.7%，2019年上半年，黃金供應量為2323.9噸，同比增長2.1%。

從需求市場來看，2018年和2019年上半年，全球黃金需求出現較大增長，2018年全球黃金需求量為4396.8噸，同比增長4.7%，2019年上半年黃金需求量為2181.7噸，同比增長7.9%。

近期全球黃金需求增長，主要得益央行黃金買盤推動。2019年第二季度，央行買入224.4噸黃金，使得2019年上半年央行黃金買入量達到374.1噸，同比增長57.4%，較上年同比增加136.5噸，帶動全球黃金需求上升6.75個百分點。

此外，印度珠寶市場的強勁復甦以及黃金ETF持有量增長，也促進了2019年第二季度全球黃金需求的增長。

2012-2019年H1全球黃金供應量統計及增長情況

數據來源：前瞻產業研究院整理

以上數據來源請參考於前瞻產業研究院發布的《中國黃金行業市場前瞻與投資戰略規劃分析報告》，同時前瞻產業研究院還提供產業大數據、產業規劃、產業申報、產業園區規劃、產業招商引資等解決方案。