CVD技术贵金属制备

① CVD法制备碳纳米管的生长机理

主要是VLS机理
即碳源气体分解产生自由基，以碳原子的形式溶解在催化剂颗回粒中，再析出产答生碳纳米管。
对于没有金属催化剂的体系，也有自由基直接生长机理，即开口生长机理。
lz，这么专业的问题你还指望着等其他人回答不？

② 如何采用pvd或cvd方法制备纳米级多层和多相复合膜

纳米（英语：nanometre）是长度单位，国际单位制符号为nm。原称毫微米，就是10-9米（10亿分之一回米），即10-6毫米答（1000000分之一毫米）。如同厘米、分米和米一样，是长度的度量单位。相当于4倍原子大小，比单个细菌的长度还要小。国际通用名称为nanometer，简写nm，字首nano在希腊文中的原意是“侏儒”的意思。

③ PVD和CVD分别是什么

PVD(Physical Vapor Deposition)---物理气相沉积：指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。

CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。

PVD技术出现于，制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。最初在高速钢刀具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视，人们在开发高性能、高可靠性涂层设备的同时，也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研究。

与CVD工艺相比，PVD工艺处理温度低，在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响；薄膜内部应力状态为压应力，更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层；PVD工艺对环境无不利影响，符合现代绿色制造的发展方向。

当前PVD涂层技术已普遍应用于硬质合金立铣刀、钻头、阶梯钻、油孔钻、铰刀、丝锥、可转位铣刀片、车刀片、异形刀具、焊接刀具等的涂层处理。

(3)CVD技术贵金属制备扩展阅读

CVD例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。

这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。

其技术特征在于：

⑴高熔点物质能够在低温下合成；

⑵析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；

⑶不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。

④ CVD法制备碳纳米管的生长机理是什么 分为哪两个阶段

主要是VLS机理
即碳抄源气体分解产生袭自由基，以碳原子的形式溶解在催化剂颗粒中，再析出产生碳纳米管。
对于没有金属催化剂的体系，也有自由基直接生长机理，即开口生长机理。
lz，这么专业的问题你还指望着等其他人回答不？

⑤ CVD技术是什么

• CVD技术是原料气或蒸汽通过气相反应沉积出固态物质，因此把CVD技术用于无机合成和材料制备时具有以下特点：

• •（1）沉积反应如在气固界面上发生则沉积物将按照原有固态基底（又称衬底）的形状包覆一层薄膜。

• •（2）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而改变从而获得梯度沉积物或得到混合镀层。

• •（3）采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。

• •（4）在CVD技术中也可以沉积生成晶体或细粉状物质，或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底表面上，这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末，甚至是纳米尺度的微粒称为纳米超细粉末。

• •（5）CVD工艺是在较低压力和温度下进行的，不仅用来增密炭基材料，还可增强材料断裂强度和抗震性能是在较低压力和温度下进行的。



• •CVD技术根据反应类型或者压力可分为低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)、亚常压CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、快热CVD(RTCVD)、金属有机物CVD(MOCVD)

⑥ 昆明贵金属研究所的院所简介

贵研所长期承担国家重大科技攻关项目、省部级自然科学基金项目、军工配套科研任务及国家自然科学基金课题等重大项目课题，是我国贵金属领域内国家任务的主要承担者。2003年经国家科技部认定为“国家863计划成果产业化基地”，2008年经云南省科技厅审定列入“云南省贵金属材料重点实验室”培育计划，2010年“多品种、小批量军用贵金属新材料科研生产基地”得到国防科工局立项同意，2011年“稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室”获科技部批准，拥有2个省级技术创新人才团队：“贵金属催化技术省创新团队”、“稀贵金属低维新材料省创新团队”。
贵研所早在上个世纪六十年代初即开始招收硕士研究生，1981年国家恢复研究生制度以后，经批准先后建立了“有色金属冶金”、“材料学”、“工业催化”3个硕士点和“材料科学与工程”一级学科博士学位点。2002年11月经全国博士后管委会批准设立博士后科研工作站，并于2005年开始招收博士后科研人员。从80年代至今，我所已培养统招硕士研究生百余人，多年来为研发一线培养了一支基础扎实、素质较高的研究人员队伍，为贵金属事业的发展奠定了坚实的基础。 新材料研究室
研发领域：稀贵金属复合材料、航天新材料及特种涂层材料。主要研发方向试制产品：
（1）贵金属电接触复合材料；
（2）贵金属弥散强化复合材料；
（3）航天发动机喷管新材料；
（4）航天发动机连接材料与技术；
（5）贵金属功能涂层材料；
（6）稀贵金属CVD、PVD成型技术研究。 二、粉体材料研究室
研究领域：有色金属、贵金属粉体材料和粉末冶金材料。主要产品有：
（1）表面喷涂用特种合金粉末；
（2）新型银基、铜基电工合金；
（3）现代粉末冶金技术和设备；
（4）多功能、多用途高纯超细氧化铝、氧化锆等粉体材料。 三、化学材料与药物研究室
主要从事贵金属药物和化合物的研究、开发和生产。研发领域和方向：
（1）贵金属药物
A．新型亲脂性铂类抗癌药物的设计和合成；
B．能抵抗顺铂耐药性的铂类抗癌药物的设计和合成；
C．机体NO的清除剂—Ru配合物的研究。
（2）贵金属有机配合物
A．新型的MOCVD贵金属前驱体的设计和合成；
B．新型的载体催化剂贵金属前驱体的设计和合成；
C．由于均相催化反应的铂族有机配合物的合成技术研究。
（3）贵金属纳米材料
A．金纳米的制备技术研究；
B．金纳米的应用研究。 四、冶金研究室
研究领域：稀贵金属和有色金属冶金。
稀贵金属提取冶金覆盖了从矿物及二次资源中提取贵金属，包括冶炼富集、贵贱金属分离，贵金属相互分离，贵金属精练。主要技术方向如下：
●贵金属资源提取冶金研究；
●贵金属资源综合利用研究；
●贵金属冶金过程的物理化学研究；
●二次资源再生回收利用技术；
●铜、铅、锡、镍阳极泥回收贵金属工艺；
●汽车尾气废催化剂回收贵金属工艺；
●石油重整催化剂提取贵金属工艺；
●高砷铅阳极泥处理工艺；
●感光胶片废料和废水中银回收技术；
●玻纤工业用废漏板坩埚，硝酸工业用废触媒网及其它废贵金属器皿和材料的回收工艺 ；
●贵金属分离提纯新技术 。
●有色金属冶金技术：
●红土镍矿冶金研究；
●钒钛铁精矿综合利用；
●粉末冶金研究。 昆明贵金属研究所设有专利业务部门，进行专利的申请、审查、撤消、复审等业务，对专利申请权、专利权、专利侵权、专利实施等法律纠纷提出处理建议和措施。现有包括专利代理、依托昆明贵金属研究所图书馆馆藏文献和DIALOG国际联机检索终端的专利文献服务等专利工作服务支撑体系，有专利代理人2名。
昆明贵金属研究所还建立了DIALOG国际联机检索终端，可进行世界专利和多国专利等专利检索、进行社会与自然科学文献情报信息服务，为科技、商业情报提供检索服务。业务员具有国家一级检索查新资格，为从事科研、生产、管理的广大科技工作者提供良好的文献检索和查新服务。

⑦ 请问CVD（化学气相沉积）的原理及应用

化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。
原理
化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上阐述化学反应并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：
（1）形成挥发性物质 ；
（2）把上述物质转移至沉积区域 ；
（3）在固体上产生化学反应并产生固态物质 。
最基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。 [1]

特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。
3）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
4）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。
5）可以控制涂层的密度和涂层纯度。
6）绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动，以改善其结构。
8）可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。

⑧ 在CVD法制备石墨烯时，最后为什么需要快速冷却如果没有会如何

快速降温可形成单层石墨（石墨烯），降温速度慢的话纵向形成石墨。就不是石墨烯了。

⑨ 气相沉积分为那几类方法CVD法包括那几个过程PVD法有哪些方法,它们各自的原理是咋样的

这个问题越来越难了，哈哈，还是 我回答，不知道你到底要做什么产品，问看真有回答你的，你这样问，说了这个行业广，没有办法回答，手打没有办法，可以复制点给你。CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。
CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。 其技术特征在于：（1）高熔点物质能够在低温下合成；（2）析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；（3）不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。 例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低温度发展。 CVD工艺大体分为二种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物进行气相反应；另一种是使加热基体表面的原料气体发生热分解。 CVD的装置由气化部分、载气精练部分、反应部分和排除气体处理部分所构成。目前，正在开发批量生产的新装置。 CVD是在含有原料气体、通过反应产生的副生气体、载气等多成分系气相中进行的，因而，当被覆涂层时，在加热基体与流体的边界上形成扩散层，该层的存在，对于涂层的致密度有很大影响。图2所示是这种扩散层的示意图。这样，由许多化学分子形成的扩散层虽然存在，但其析出过程是复杂的。粉体合成时，核的生成与成长的控制是工艺的重点。 作为新的CVD技术，有以下几种： （1）采用流动层的CVD； （2）流体床； （3）热解射流； （4）等离子体CVD； （5）真空CVD，等。 应用流动层的CVD如图3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），应用等离子体的CVD同样也有可能在低温下析出，而且这种可能性正在进一步扩大

⑩ CVD（化学气相沉积）的原理及应用是什么

CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。
CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。 其技术特征在于：（1）高熔点物质能够在低温下合成；（2）析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；（3）不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。 例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低温度发展。 CVD工艺大体分为二种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物进行气相反应；另一种是使加热基体表面的原料气体发生热分解。 CVD的装置由气化部分、载气精练部分、反应部分和排除气体处理部分所构成。目前，正在开发批量生产的新装置。 CVD是在含有原料气体、通过反应产生的副生气体、载气等多成分系气相中进行的，因而，当被覆涂层时，在加热基体与流体的边界上形成扩散层，该层的存在，对于涂层的致密度有很大影响。图2所示是这种扩散层的示意图。这样，由许多化学分子形成的扩散层虽然存在，但其析出过程是复杂的。粉体合成时，核的生成与成长的控制是工艺的重点。 作为新的CVD技术，有以下几种： （1）采用流动层的CVD； （2）流体床； （3）热解射流； （4）等离子体CVD； （5）真空CVD，等。 应用流动层的CVD如图3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），应用等离子体的CVD同样也有可能在低温下析出，而且这种可能性正在进一步扩大