貴金屬釕的配合物有電容嗎

1. 怎麼樣才能把高壓貼片電容裡面的銀鈀分解出來

物料的粉碎程度直接影響 銀鈀的回收率！高壓貼片電容主要用於電源濾波，電源降壓，倍壓，吸收浪涌保護IC, 基本工作原理就是充電放電，當然還有整流、振盪以及其它的作用等作用。應用於電源電路，實現旁路、去藕、濾波和儲能，

高壓貼片電容里除含貴金屬鈀外還有銀的。
處理流程如下：
1。高溫煅燒去掉決大部分的有機物，粉碎細磨至200目。
2.用硝酸浸出後廢渣做環保處理，浸出液用鹽酸沉銀。
3、過濾後，固體氯化銀還原、煅燒得白銀。濾液加硫酸沉澱鉛、鋇。靜置、過濾。濾液濃縮、趕硝、定容、黃葯沉鈀

2. 怎樣處理廢舊電容

多層陶瓷電容器（MLCC）
MLCC一般為20~30層，由鈦酸鋇、鈦酸鉛及鉛、鈦、鎂、鉍等金屬的氧化物及銀、鈀內電極漿料和端電極組成，一般金屬含量小於8%。我國貴金屬礦產資源品位低、儲量少，每年都需要耗用大量外匯進口貴金屬原料，以滿足國民經濟建設的需要。從各種貴金屬廢料中回收貴金屬日益受到人們的關注，因而從上述MLCC廢料中回收銀、鈀具有重要意義。
目前從一般電子廢料中回收銀、鈀的方法主要有高溫熔煉法和化學法。
高溫熔煉法是把含貴金屬的電子廢料加入電爐中高溫熔煉，金、銀及鉑族金屬富集在捕集金屬（如銅、鉛）中，再用傳統的方法從捕集金屬中回收貴金屬。
化學法是用酸或氰化物溶液溶解陶瓷廢料中的銀、鈀，用置換、萃取或離子交換法從溶液中富集銀、鈀。例如：用硝酸溶解-磷酸二氫納還原法；用王水溶解-陰離子交換吸附法；用硝酸溶解-N235萃取法。但是MLCC廢料不同於一般電子廢料，在國內尚未見類似的文獻報道。
1、MLCC廢料硝酸浸出
MLCC廢料部分已經高溫焙燒過，未經過焙燒的生料必須在1000℃高溫焙燒使其中的有機物揮發。鈀在560℃被氧化，至820℃後氧化鈀又分解，因此MLCC廢料中鈀呈金屬狀態。用硝酸浸出銀、鈀時反應如下：
3Pd+8HNO3=3Pd(NO3)2+2NO↑+4H2O
3Ag+4HNO3=3AgNO3+NO↑+2H2O
MO+2HNO3=M(NO3)2+H2O（M=Ba、Pb、Mg等）
2、銀的熔煉
加入碳酸鈉還原熔煉氧化銀反應如下：
2AgCl+Na2CO3=Ag2CO3+2NaCl
Ag2CO3=Ag2O+CO2↑
2Ag2O=4Ag+O2↑
3、丁基黃葯沉澱鈀
丁基黃葯是鈀的選擇性沉澱劑，用黃葯從浸出渣洗水沉鈀反應如下：
Pd(NO3)2+2ROCSSNa=(ROCSS)2Pd+2NaNO3
M(NO3)2+2ROCSSNa=(ROCSS)2M+2NaNO3（M=Ba、Pb、Mg等）
(ROCSS)2M+Pd(NO3)2=(ROCSS)2Pd+ M(NO3)2

3. 電容有哪幾種類型

1:瓷介電容（CT），廉價，容量小，主要用於低頻電路。
2：滌綸電容（CL），特點用途同上。
3：獨石電容（CC），很貴，容量小，性質穩定。一般用於高頻電路。
4：電解電容（CD），容量大，有正負極之分。主要用於電源電路，脈動電路。
5：雲母電容（CY），耐壓（250v-450v），容量小，很貴，體積大。用於通訊機重要部位。
還有鉭電容（CA），鈮電容（CN），薄膜電容等等。

4. 手機板上貼片電容有什麼貴金屬啊

手機板上貼片電容有什麼貴金屬一般手機的電容板上都是有黃金點，所以說收舊手機的都是為了提煉黃金。

5. 任務貴金屬分析方法的選擇

任務描述

貴金屬元素由於其性質的特殊性，在樣品溶解、分離富集等方面與一般元素有很大的不同之處。通過本次任務的學習，加深對貴金屬元素性質的了解，能根據礦石的特性、分析項目的要求及干擾元素的分離等情況正確選擇分離和富集方法，學會基於被測試樣中貴金屬元素含量的高低不同以及對分析結果准確度的要求不同而選用適當的分析方法，能正確填寫樣品流轉單。

任務分析

一、貴金屬在地殼中的分布、賦存狀態及其礦石的分類

貴金屬元素是指金、銀和鉑族（銠、釕、鈀、鋨、銥、鉑）共8 種元素，在元素周期表中位於第五、六周期的第Ⅷ族和第IB副族中。由於鑭系收縮使得第二過渡元素（釕、銠、鈀、銀）與第三過渡元素（鋨、銥、鉑、金）的化學性質相差很小，因此貴金屬元素的化學性質十分相近。

鉑族元按其密度不同，分為輕重兩族。釕、銠、鈀為輕族；鋨、銥、鉑為重族。

金在自然界大都以自然金形式存在，也能和銀、銅和鉑族元素形成天然合金。根據最新研究成果，金的地殼豐度值僅為1 ng/g。金礦床中伴生的有用礦產很多。在脈金礦或其他原生金礦床中，常伴生有銀、銅、鉛、鋅、銻、鉍和釔等；在砂金礦床中，常伴生有金紅石、鈦鐵礦、白鎢礦、獨居石和剛玉等礦物。此外，在有色金屬礦床中，也常常伴生金。金的邊界品位一般為1 g/t。一般自然金里的金含量大於80%，還有少量的銅、鉍、銀、鉑、銻等元素。

銀在地殼中的平均含量為1×10^-7，在自然界多以硫化物形式存在，單獨存在的輝銀礦（Ag₂S）很少遇見，而且主要伴生在銅礦、鉛鋅礦、銅鉛鋅礦等多金屬硫化物礦床和金礦床中。在開采和提煉銅、鉛、鋅、鎳和金主要組分時，可順便回收銀。一般含銀品位達到5～10 g/t即有工業價值。

鉑族元素在自然界分布量很低，鉑在地殼中的平均豐度僅為5×10^-9，鈀為5×10^-8。它們和鐵、鈷、鎳在周期表上同屬第Ⅷ族，因此也與鐵、鈷、鎳一樣，具有親硫性。鉑族元素常與鐵元素共生，它們主要富集在與超基性岩和基性岩有關的銅鎳礦床、鉻鐵礦床和砂礦床內。銅鎳礦床中所含鉑族元素以鉑、鈀為主，其次是銠、釕、鋨、銥。鉻鐵礦中所含鉑族元素以鋨、釕、銥為主。鉑族元素之間，以及它們與鐵、鈷、鎳、銅、金、銀、汞、錫、鉛等元素之間能構成金屬互化物。在自然界存在自然鉑和自然鈀。自然鉑含鉑量為84%～98%，其餘為鐵，及少量鈀、銥、鎳、銅等。自然鈀含鈀量為86.2%～100%，同時含有少量鉑、銥、銠等。自然釕很少見，我國廣東省發現的自然釕中含有91.1%～100% 的釕。鉑族元素還可以與非金屬性較強的第Ⅵ主族元素氧、硫、硒、碲及第V主族元素砷、銻、鉍等組成不同類型的化合物。目前已知的鉑族元素礦物有120多種。在一些普通金屬礦物（如黃銅礦、磁黃鐵礦、鎳黃鐵礦、黃鐵礦、鉻鐵礦等）以及普通非金屬礦物（如橄欖石、蛇紋石、透輝石等）中也可能含有微量鉑族元素。

鉑族元素的共同特性是具有優良的抗腐蝕性、穩定的熱電性、高的抗電火花蝕耗性、高溫抗氧化性能以及良好催化作用，故在工業上應用很廣泛，特別是在國防、化工、石油精煉、電子工業上不可缺少的重要原料。

二、貴金屬的分析化學性質

（一）化學性質

1.金

金具有很高的化學穩定性，即使在高溫條件下也不與氧發生化學作用，這大概就是在自然界中能夠以自然金甚至是以微小金顆粒存在的重要原因。金與單一的鹽酸、硫酸、硝酸和強鹼均不發生化學反應。金能夠溶解在鹽酸和硝酸的混合酸中，其中在王水中的溶解速率是最快的。用於分析化學中的金標准溶液通常就是以王水溶解純金來制備，但需要用鹽酸反復蒸發除去多餘的硝酸或氮氧化合物。在有氧化劑存在的鹽酸中，如 H₂O₂、KMnO₄、KClO₃、KBrO₃、KNO₃和溴水等，金也能夠很好被溶解，這主要是由於鹽酸與氧化劑相互作用產生新生態的氯氣同金發生反應所致。

2.銀

銀有較高的化學穩定性，常溫下不與氧發生化學作用，在自然界同樣能夠以元素形態存在。當與其他元素發生化學反應時，通常形成正一價的銀化合物。在某些條件下也可生成正二價化合物，例如AgO和AgF₂，但這些化合物不穩定。

金屬銀易溶於硝酸生成硝酸銀，也易溶於熱的濃硫酸生成硫酸銀，而不溶於冷的稀硫酸中。銀在鹽酸和王水中並不會很快溶解，原因在於初始反應生成的Ag^-以AgCl沉澱沉積在金屬表面而形成一層灰黑色的保護膜，阻止了銀的進一步溶解。但是如果在濃鹽酸中加入少量的硝酸，銀的溶解是比較快的。這是因為形成的 AgCl 又生成可溶性的［AgCl₂］^-配離子。這一反應對含銀的貴金屬合金材料試樣的溶解是很有用的。銀與硫接觸時，會生成黑色硫化銀；與游離鹵作用生成相應的鹵化物。銀飾品在空氣中長久放置或佩戴後失去光澤常常與其表面上硫化物及其氯化物的形成有關。在有氧存在時，銀溶解於鹼金屬氰化物而生成［Ag（CN）₂］^-配離子。銀在氧化劑參與下，如有Fe^3＋時也能溶於酸性硫脲溶液而形成復鹽。

3.鉑族金屬

鉑族金屬在常溫條件下是十分穩定的，不被空氣腐蝕，也不易與單一酸、鹼和很多活潑的非金屬元素反應。但是在確定的條件下，它們可溶於酸，並同鹼、氧和氯氣相互作用。鉑族金屬的反應活性在很大程度上依賴於它們的分散性以及同其他元素，即合金化的元素形成中間金屬化合物的能力。

就溶解能力而言，鉑族金屬粉末較海綿狀的易於溶解，而塊狀金屬的溶解是非常緩慢的。與無機酸的反應，除鈀外，鉑族金屬既不溶於鹽酸也不溶於硝酸。鈀與硝酸反應生成Pd（NO₃）₂。海綿鋨粉與濃硝酸在加熱條件下反應生成易揮發的OsO₄。鈀、海綿銠與濃硫酸反應，生成相應的PdSO₄、Rh₂（SO₄）₃。鋨與熱的濃硫酸反應生成OsO₄或OsO₂。鉑、銥、釕不與硫酸反應。王水是溶解鉑、鈀的最好溶劑。但王水不能溶解銠、銥、鋨和釕，只有當它們為高分散的粉末和加熱條件下可部分溶解。在有氧化劑存在的鹽酸溶液中（如H₂O₂、Cl₂等）於封管的壓力條件下，所有的鉑族金屬都能被很好地溶解。

通常，鹼溶液對鉑族金屬沒有腐蝕作用，但當加入氧化劑時則有較強的相互作用。如OsO₄就能夠在鹼溶液中用氯酸鹽氧化金屬鋨來獲得。在氧化劑存在條件下，粉末狀鉑族金屬與鹼高溫熔融，反應產物可溶於水（對於Os和Ru）、鹽酸、溴酸和鹽酸與硝酸的混合物中，由此可將難溶的鉑族金屬轉化為可溶性鹽類。高溫熔融時，常用的混合熔劑有：NaOH＋NaNO₃（或NaClO₃）、K₂CO₃＋KNO₃、BaO₂＋BaNO₃、NaOH＋Na₂O₂和Na₂O₂等。利用在硝酸鹽存在條件下的NaOH或KOH的熔融、利用Na₂O₂的熔融以及利用BaO₂的高溫燒結方法通常被認為是將鉑族金屬如銠、銥、鋨、釕轉化成可溶性化合物的方便途徑。

在鹼金屬氯化物存在條件下，鉑族金屬的氯化作用同樣是將其轉化成可溶性化合物的最有效途徑之一。

（二）貴金屬分析中常用的化合物和配合物

1.貴金屬的鹵化物和鹵配合物

貴金屬的鹵化物或鹵配合物是貴金屬分析中最重要的一類化合物，尤其是它們的氯化物或氯配合物。因為貴金屬分析中大多數標准溶液的制備主要來自這些物種；鉑族金屬與游離氯反應，即氯化作用，被廣泛用於分解這些金屬；更重要的是在鉑族金屬的整個分析化學中幾乎都是基於在鹵配合物水溶液中所發生的反應，包括分離和測定它們的方法。

鉑族金屬配合物種類繁多，能與其配位的除鹵素外，還有含O、S、N、P、C、As等配位基團，常見的有

NH₃、NO、NO₂、PH₃、PF₃、PCl₃、PBr₃、AsCl₃、CO、CN^-和多種含S、N、P的有機基團。貴金屬的簡單化合物在分析上的重要性遠不如其配合物。對於金或銀雖然形成某些穩定配合物，但無論其種類或數量都無法與鉑族金屬相比擬。

2.貴金屬氧化物

金、銀的氧化物在分析上並不重要。金的氧化物有Au₂O₃、Au₂O，Au₂O很不穩定，與水接觸分解為Au₂O₃和Au。用硝酸汞、乙酸鹽、酒石酸鹽等還原劑還原Au^（Ⅲ）可得到Au₂O。Au^（Ⅲ）與NaOH作用時，生成Au（OH）₃沉澱。通常，Au（OH）₃以膠體形態存在，所形成的膠粒直徑一般為80～200 nm。

向銀溶液中小心加入氨溶液時可形成白色的氫氧化銀。當以鹼作用時則有棕色的氧化銀析出。氧化銀呈鹼性，能微溶於鹼並生成［Ag（OH ）₂］^-；在300℃條件下分解為 Ag和O₂。

鉑族金屬及其化合物在空氣中灼燒可形成各種組分的氧化物。由於許多氧化物不穩定，或者穩定的溫度范圍比較窄，或者某些氧化物具有揮發性，因此在用某些分析方法測定時要十分注意。例如，一些採用重量法的測定需在保護氣氛中灼燒成金屬後稱重。Os^（Ⅷ）、Ru^（Ⅷ）的氧化物易揮發，這也是與其他貴金屬分離的最好方法。鉑族金屬對氧的親和力順序依次為：Pt＜Pd＜Ir＜Ru＜Os。鉑的親和力最差，但粉末狀的鉑能很好與氧結合。貴金屬的氧化物在溶液中多呈水合氧化物形式存在。

3.貴金屬的硫化物

形成硫化物是貴金屬元素的共性，但難易程度不同。其中IrS生成較難，而PdS、AgS較容易形成。貴金屬硫化物均不溶於水，其溶解度按下列順序依次減小：Ir₂S₃、Rh₂S₃、PtS₂、RuS₂、OsS₂、PdS、Au₂S₃、Ag₂S。在貴金屬的氯化物或氯配合物（銀為硝酸鹽）溶液中，通入H₂S氣體或加入Na₂S溶液可得到相應的硫化物沉澱。

4.貴金屬的硝酸鹽和亞硝酸鹽化合物或配合物

在貴金屬的硝酸鹽中，AgNO₃是最重要的化合物。分析中所用的銀標准溶液都是以AgNO₃為初始基準材料配製的。其他貴金屬的硝酸鹽及硝基配合物不穩定，易水解，在分析中較少應用。鉑族金屬的亞硝基配合物是一類十分重要的配合物。鉑族金屬的氯配合物與NaNO₂在加熱條件下反應，生成相應的亞硝基配合物。這些配合物很穩定，在pH 8～10的條件下煮沸也不會發生水解。利用這種性質可進行貴金屬與賤金屬的分離。

三、貴金屬礦石礦物的取樣和制樣

含有貴金屬元素的樣品在分析之前必須具備兩個條件：①樣品應是均勻的；②樣品應具有代表性。否則，無論分析方法的准確度如何高或分析人員的操作如何認真，獲得的分析結果往往是毫無意義的。此外，隨著科學技術的發展，貴金屬資源被廣泛應用於各工業部門和技術領域，由於貴金屬資源逐漸減少，供需矛盾日漸突出，其價格日趨昂貴，因此對分析結果准確性的要求比其他金屬要高。

貴金屬礦石礦物的取樣、加工是為了得到具有較好代表性和均勻性的樣品，使所測試樣品中貴金屬的含量能夠較真實地反映原礦的情況，避免取樣帶來的誤差。貴金屬在自然界中的賦存狀態很復雜，又由於貴金屬元素的含量較低，故分析試樣的取樣量必須滿足兩個因素：①分析要求的精度；②試樣的均勻程度，即取出的少量試樣中待測元素的平均含量要與整個分析試樣中的平均含量一致。實際上貴金屬元素在礦石中的分布並不均勻，往往集中在少數礦物顆粒中，要達到取出的試樣與總試樣完全一致的要求是很難做到的。因此，只能在滿足所要求的分析誤差范圍內進行取樣，增加取樣量，分析誤差可能會減小。試樣中貴金屬礦物的破碎粒度與取樣量有很大關系，粒度愈大，試樣愈不均勻，取樣量也應愈大，因此加工礦物試樣時應盡可能磨細。為了達到一定的測量精度，除滿足上述取樣量的條件外，還應滿足測定方法的靈敏度。

一般的礦樣，可按常規方法取樣、制樣。金多以自然金的形式存在於礦石礦物中，它的粒度變化較大，大的可達千克以上，而微小顆粒甚至在顯微鏡下都難以分辨。金的延展性很好，它的破碎速度比脈石的破碎速度慢，因此對未過篩的和殘留在篩縫中的樣品部分絕對不能棄之，此部分大多含有自然金。金礦石的取樣與加工一般按切喬特經驗公式進行。對於比較均勻的樣品，K取值為0.05，一般金礦石樣品，K取值為0.6～1.5。

對於較難加工的金礦石，在棒磨之前加一次盤磨碎樣並磨至0.154mm，因為棒磨機的作用是用鋼棒沖擊和擠壓岩石再磨細金粒，能滿足一般金粒較細的試樣所需的破碎粒度。含有較粗金粒的試樣，用棒磨機只能使金粒壓成片狀或帶狀，達不到破碎的目的。而盤磨機是利用搓壓的作用力使石英等硬度較大的物料搓壓金粒來達到破碎的目的。

在金礦樣的加工過程中，應注意以下幾個方面：

（1）如果礦樣量在1kg以下，碎樣時應磨至200目。一半送分析用，一半作為副樣。如果礦樣量在1 kg以上，按加工流程進行破碎，作基本分析的樣品重量不應少於500～600 g。

（2）若樣品中含有明金時，應增設80目過篩和篩上收金的過程。

（3）對於1∶20萬區域化探水系沉澱物樣品，應將原分析樣混勻後分取40g，用盤磨粉碎至200目，混勻後作為金的測定樣。

（4）在過篩和縮分過程中，任何時間都不能棄去篩上物和損失樣品。

（5）所使用的各種設備每加工完一個樣品後必須徹底清掃干凈，並認真檢查在縫隙等處有無金粒殘留。

（6）礦樣經棒磨機粉碎至200 目後，送分析之前必須再進行混勻，以防止因金的密度大在放置時間過久或運送過程中金下沉而導致樣品不均勻。

由於金在礦石中的不均勻性，要製取有代表性、供分析用的礦樣，應盡可能地增大礦石取樣量。在磨樣過程中，對分離出粗粒的金應分別處理。其他貴金屬礦樣的取樣與加工要比金礦石的容易。

為了獲得准確的分析結果，貴金屬試樣在分析之前，取樣與樣品的加工，試樣的分解將是整個分析工作中的重要環節。另一方面，由於在大多數的分析方法中，獲得的分析結果常常是通過與已知的標准物質的含量，包括標准溶液和標准樣品進行比較獲得的，因此，准確的分析結果同樣也依賴於貴金屬標准溶液的准確制備。

四、貴金屬礦樣的樣品處理技術

貴金屬礦石礦物的分解有其特殊性，是分析化學中的難題之一。因為多數貴金屬具有很強的抗酸、鹼腐蝕的特點，常用的無機溶劑和分解技術難以分解。

含銠、銥和釕等試樣，在常溫、常壓，甚至較高溫度、壓力下用王水也難以分解。

砂鉑礦多由超基性岩體中的鉻-鉑礦風化次生而成，其密度及硬度極高、化學惰性極強，在高溫、高壓條件下溶解也較慢。

鋨銥礦是以鋨和銥為主的天然合金，晶格類型的差別較大（銥為等軸晶系，鋨為六方晶系）。含鋨高時稱為銥鋨礦，呈鋼灰色至亮青銅色；含銥高時稱為鋨銥礦，呈明亮錫白色。它們的密度都很大，性脆且硬，含銥、釕高時磁性均較強，鋨高時相反。化學性質也都很穩定，於王水中長時間煮沸難以被分解。

為了分解這些難溶物料，需要引入一些特殊的技術，如焙燒預處理技術、鹼熔融技術、加壓酸消解技術等。

（一）焙燒預處理方法

貴金屬在礦石中除以自然金、自然鉑等形式存在外，還以各種金屬互化物形式存在，並常伴生在硫化銅鎳礦和其他硫化礦中。用王水分解此類礦樣時，由於硫的氧化不完全，易產生元素硫，並吸附金、鉑、鈀等，使測定結果偏低，尤其對金的吸附嚴重，故需要先進行焙燒處理，使硫氧化為SO₂而揮發。焙燒溫度的控制是很重要的，溫度過低，分解不完全；溫度過高，會燒結成塊，影響分析測定。常用的焙燒溫度為600～700℃，焙燒時間與試樣量和礦石種類有關，一般為1～2h。不同硫化礦的焙燒分解情況不同，其中黃鐵礦最易分解，其次是黃銅礦，最難分解的是方鉛礦。以下是幾種貴金屬礦石的焙燒處理方法。

（1）含砷金礦的焙燒。先將礦石置於高溫爐中，升溫至400℃恆溫2h，使大部分砷分解、揮發，繼續升溫至650℃，使硫和剩餘的少量砷完全揮發。於礦石中加入NH₄NO₃、Mg（NO₃）₂等助燃劑，可提高焙燒效率，縮短焙燒時間。如果金礦中砷的含量在0.2% 以上，且砷含量比金含量高800倍的條件下焙燒時，會生成砷和金的一種易揮發的低沸點化合物而使金損失，此時的焙燒溫度應控制在650℃以下。當金礦石中硅含量較高時，加入一定量NH₄HF₂可分解SiO₂。

（2）含銀硫化礦的焙燒。先將礦石置於高溫爐中，升溫至650℃，恆溫2h，使硫完全揮發。當礦石中硅含量較高時，即使加入NH₄HF₂，由於焙燒過程中生成難溶的硅酸銀，使測定結果嚴重偏低。為此，用酸分解焙燒試樣時，加入HF以分解硅酸銀，可獲得滿意的結果。

（3）含鉑族元素硫化礦的焙燒。與含金硫化礦的焙燒方法相同。

（4）含鋨硫化礦的焙燒。試樣進行焙燒時，易氧化為OsO₄形式揮發損失，於焙燒爐中通入氫氣，硫以H₂S形式揮發；或按10∶1∶1∶1比例將礦石、NH₄Cl、（NH₄）₂CO₃、炭粉混合後焙燒，可加速硫的氧化，對鋨起保護作用。

（二）酸分解法

貴金屬物料的酸分解法是最常用的方法，操作簡便，不需特殊設備。常用的溶劑是王水，它所產生的新生態氯具有極強的氧化能力，是溶解金礦和某些鉑族礦石的有效試劑。溶解金時可在室溫下浸泡，加熱使溶解加速。溶解鉑、鈀時，需用濃王水並加熱。此外，分解金礦的試劑很多，如HCl-H₂O₂、HCl-KClO₃、HCl-Br₂等。被硅酸鹽包裹的礦物，應在王水中加少量HF或其他氟化物分解硅酸鹽。酸分解方法不能用於含銠、銥礦石的分解，此類礦石只有在高溫、高壓的特定條件下強化溶解才能完全溶解。

（三）鹼熔法

固體試劑與試樣在高溫條件下熔融反應可達到分解的目的。最常用的是過氧化鈉熔融法，幾乎可以分解所有含貴金屬的礦石，但對粗顆粒的鋨銥礦很難分解完全，常需要用合金碎化後再鹼熔才能分解完全。本法的缺點是引入了大量無機鹽，對坩堝腐蝕嚴重，又帶入了大量鐵、鎳。使用鎳坩堝還能帶入微量貴金屬元素。此法多用於無機酸難以分解的礦石。

五、貴金屬元素的分離和富集方法

貴金屬元素在岩石礦物中的含量較低，因此，在測定前對其進行分離富集往往是必要且關鍵的一步。貴金屬元素的分離和富集有兩種方法；一種是干法分離和富集——火法試金；一種是濕法分離和富集——將樣品先轉為溶液，然後採用沉澱、吸附、離子交換、萃取、色層等方法進行分離富集貴金屬與賤金屬分離，主要有共沉澱分離法、溶劑萃取法、離子交換分離法、活性炭分離富集法、泡沫塑料富集法及液膜分離富集法等。目前應用最廣泛的是火試金法、泡沫塑料法、萃取法。具體方法詳見任務2、任務3、任務4的相關內容。

六、貴金屬元素的測定方法

（一）化學分析法

1.重量法測定金與銀

將鉛試金法得到的金、銀合粒，稱其總量。經「分金後」得到金粒，稱重。兩者重量之差為銀的重量。

為了減少金在灰吹中的損失和便於分金，在熔煉時通常加入毫克量的銀。如果試樣中含金量較高，加入的銀量必須相應增加，以達金量的3倍以上為宜。低於此數時，分金不完全，且銀不能完全溶解，影響測定結果。

在實際應用中，不同含金量可按表7-1所示的銀與金的比例加入銀，可滿意地達到分金效果。

表7-1 銀與金的比例

如合粒中含銀量低、金量高時，可稱取兩份試樣，一份不加銀，所得合粒稱重，為金銀合量。另一份加銀，分金後測金。二者重量之差為銀量。亦可先將金、銀合粒稱重，再加銀灰吹，然後進行分金，測得金量。差減法得銀量。

分金可採用熱硝酸（1∶7），此時合粒中的銀、鈀以及部分鉑溶解，而金不溶並呈一黑色的整粒留下來。如果留的下金粒帶黃色，則表示分金不完全，應當取出，補加適量銀，包在鉛片中再灰吹，然後分金。

用硝酸（1∶7）分金後，金粒中還殘留有微量銀，可再用硝酸（1∶1）加熱數分鍾除去。

2.滴定法

在貴金屬元素的滴定法中，主要利用貴金屬離子在溶液中進行的氧化還原反應、形成穩定配合物反應、生成難溶化合物沉澱或被有機試劑萃取的化合反應。被滴定的貴金屬離子本身多數是有顏色的，而且存在著復雜的化學形態和化學平衡反應，故導致滴定法的應用有一定的局限性。

金的滴定法主要依據氧化還原反應，包括碘量法、氫醌法、硫酸鈰滴定法、釩酸銨滴定法及少數催化滴定法和原子吸收-碘量法聯合的分析方法。其中碘量法和氫醌法在我國應用最普遍，它們與活性炭或泡塑吸附分離聯用，方法的選擇性較好，且可測得微量至常量的金，已成為經典的測定方法或實際生產中的例行測定規程。由於樣品的成分的復雜性，故用活性炭吸附分離-碘量法測定金時，還應針對試樣的特殊性採取相應的預處理手段。例如，含鉛、銀高的試樣，可加入5～7g硫酸鈉，煮沸使二氯化鉛轉化為硫酸鉛沉澱過濾除去，銀用鹽酸溶液（2＋98）洗滌，可避免氯化銀沉澱以銀的氯配離子形式進入溶液中而被活性炭吸附。含鐵、鉛、銅、鋅的試樣，在滴定時加入0.5～1 g氟化氫銨可掩蔽50mg鐵、鉛，3～5mL的EDTA溶液（25g/L）可掩蔽大量鉛、銅、鋅，但需立即加入碘化鉀，以避免Au^（Ⅲ）被還原為Au^（Ⅰ）。含硫高時，於馬弗爐中500℃溫度下焙燒3h後再於650～700℃恆溫1～2h，可避免金的分析結果偏低。含銻的試樣，用氫氟酸蒸發2次，可消除其對金的影響。試樣中含鉑和鈀時，會與碘化鉀形成紅色和棕色碘化物，且消耗硫代硫酸鈉，可於滴定時加入5mL硫氰酸鉀溶液（250g/L），使之形成穩定的配合物而消除干擾。用碘量法測定金的誤差源於多種因素：金標准溶液的穩定性、活性炭吸附金的酸度、水浴蒸發除氮氧化物的條件、澱粉指示劑用量、滴定前碘化鉀的加入量、分取試液和滴定液的濃度、標定量的選擇等，因此應予以注意。

關於銀的化學滴定法，應用最普遍的是硫氰酸鉀（銨）和碘化鉀沉澱滴定法，其次是硫代硫酸鈉返滴定法、硫酸亞鐵氧化還原滴定法和二硫腙萃取滴定法等。

硫氰酸鉀滴定法測定銀：將試金所得的金、銀合粒用稀硝酸溶解其中的銀，以硫酸鐵銨為指示劑，用硫氰酸鉀標准溶液滴定至淡紅色，即為終點。其主要反應式如下：

Ag^＋＋KCNS→K^＋＋AgCNS↓

Fe^3＋＋3KCNS→3K^＋＋Fe（CNS）₃

在鉑族金屬的滴定中，以莫爾鹽還原Pt^（Ⅳ），用釩酸銨返滴定法或二乙基二硫代氨基甲酸鈉滴定法的條件苛刻，選擇性差，不能用於組成復雜的試樣分析中。於pH為3～4酸性介質中，長時間煮沸的條件下，Pt^（Ⅳ）能與EDTA定量絡合，在乙酸-乙酸鈉緩沖介質中，用二甲酚橙作指示劑，乙酸鋅滴定過量的EDTA，可測定5～30mg Pd。利用這一特性，採用丁二肟分離鈀，用酸分解濾液中的丁二肟，可測定含鉑、鈀的冶金物料中的鉑。Pd^（Ⅱ）的滴定測定方法較多，常見的是利用形成難溶化合物沉澱和穩定配合物的反應。在較復雜的冶金物料中，採用選擇性試劑掩蔽鈀，二甲酚橙作指示劑，鋅（鉛）鹽滴定析出與鈀等量的EDTA測定鈀的方法較多。

（二）儀器分析法

貴金屬在地殼中的含量很低，因此各種儀器分析方法在貴金屬的測定中獲得了非常廣泛的應用。主要有可見分光光度法、原子吸收光譜法、發射光譜法、電感耦合等離子體原子發射光譜法、電感耦合等離子體質譜法等。具體的應用請參閱本項目的任務2、任務3、任務4的相關內容。

七、貴金屬礦石的分析任務及其分析方法的選擇

貴金屬礦石的分析項目主要是金、銀、銠、釕、鈀、鋨、銥、鉑含量的測定，除精礦外，一般礦石中貴金屬的含量都比較低，因此，在選擇分析方法時，靈敏度是需要重點考慮的因素。一般，銀的測定主要用原子吸收光譜法和可見分光光度法，且10 g/t以上含量的不需要預富集，可直接測定。可見分光光度法、原子吸收光譜法、電感耦合等離子體原子發射光譜法、電感耦合等離子體質譜法在金的測定上都獲得了廣泛的應用。金的測定一般都需要採取預富集手段。銠、釕、鈀、鋨、銥、鉑在礦石中含量甚微，因此對方法的靈敏度要求較高。目前，電感耦合等離子體質譜法在銠、釕、鈀、鋨、銥、鉑的測定的應用已經越來越廣泛和成熟。另外光度法、電感耦合等離子體發射光譜法也在銠、釕、鈀、鋨、銥、鉑的測定中發揮了重要作用。

技能訓練

實戰訓練

1.學生實訓時按每組5～8人分成幾個小組。

2.每個小組進行角色扮演，利用所學知識並上網查詢相關資料，完成貴金屬礦石委託樣品從樣品驗收到派發樣品檢驗單工作。

3.填寫附錄一中質量表格1、表格2。

6. 金融化合物一般具有

本書是我國第一部專門論述貴金屬化合物及配合物合成的專著。書中第1章介紹了貴金屬的主要物理化學性質和貴金屬的重要化合物及配合物；第2～9章分別詳細論述了金、銀、鈀、鉑、銠、銥、鋨、釕化合物及配合物的合成方法；第10、11章專門論述了貴金屬配合物葯物、貴金屬乙醯丙酮配合物的合成方法。書中共收錄貴金屬化合物及配合物941個，是迄今為止收集最為齊全的。全書內容豐富、系統，具有理論緊密聯系實際、突出實用性的特點。本書可供從事貴金屬高新材料、葯物、精細化學品的開發與研製人員，貴金屬分離提純、精煉及分析的研究人員和生產技術人員，高等院校和中等專業學校金屬材料專業、化學化工專業、制葯專業的師生參

7. 鎳是稀貴金屬嗎

鎳不是是稀貴金屬，稀貴金屬是稀有金屬和貴金屬的統稱。

鎳在地核中含鎳最高，是天然的鎳鐵合金。鎳近似銀白色、硬而有延展性並具有鐵磁性的金屬元素，它能夠高度磨光和抗腐蝕，屬於親鐵元素。

稀有金屬通常指在自然界中含量較少或分布稀散的金屬。

貴金屬主要是指：金、銀和鉑族金屬（鉑、鈀、銠、釕、銥、鋨）。

中國鎳礦分布就大區來看，主要分布在西北、西南和東北，其保有儲量佔全國總儲量的比例分別為76.8%、12.1%、4.9%。

中國鎳資源儲量巨大，僅次於加拿大薩德伯里鎳礦，居世界第二，亞洲第一。

(7)貴金屬釕的配合物有電容嗎擴展閱讀

金屬鎳幾乎沒有急性毒性，一般的鎳鹽毒性也較低，但羰基鎳卻能產生很強的毒性。

羰基鎳以蒸氣形式迅速由呼吸道吸收，也能由皮膚少量吸收，前者是作業環境中毒物侵入人體的主要途徑。

羰基鎳在濃度為3.5μg/m3時就會使人感到有如燈煙的臭味，低濃度時人有不適感覺。

吸收羰基鎳後可引起急性中毒，10分鍾左右就會出現初期症狀，如：頭暈、頭疼、步態不穩，有時惡心、嘔吐、胸悶。

後期症狀是在接觸12至36小時後再次出現惡心、嘔吐、高燒、呼吸困難、胸部疼痛等。

人的鎳中毒特有症狀是皮膚炎、呼吸器官障礙及呼吸道癌。

8. 在LCD的數據線加10PF電容有什麼作用

電容的作用
作為無源元件之一的電容，其作用不外乎以下幾種：
1、應用於電源電路，實現旁路、去藕、濾波和儲能的作用。下面分類詳述之：
1.旁路
旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩壓器的輸出均勻化，降低負載需求。 就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，並向器件進行放電。 為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和雜訊。地彈是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。
2.去藕
去藕，又稱解藕。 從電路來說， 總是可以區分為驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大， 驅動電路要把電容充電、放電， 才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候， 電流比較大， 這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流，由於電路中的電感，電阻（特別是晶元管腳上的電感，會產生反彈），這種電流相對於正常情況來說實際上就是一種雜訊，會影響前級的正常工作，這就是所謂的「耦合」。
去藕電容就是起到一個「電池」的作用，滿足驅動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。將旁路電容和去藕電容結合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關雜訊提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據電路中分布參數、以及驅動電流的變化大小來確定。
旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質區別。
3.濾波
從理論上（即假設電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高後反而阻抗會增大。有時會看到有一個電容量較大電解電容並聯了一個小電容，這時大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過，電容越大高頻越容易通過。具體用在濾波中，大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。
曾有網友形象地將濾波電容比作「水塘」。由於電容的兩端電壓不會突變，由此可知，信號頻率越高則衰減越大，可很形象的說電容像個水塘，不會因幾滴水的加入或蒸發而引起水量的變化。它把電壓的變動轉化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過程。
4.儲能
儲能型電容器通過整流器收集電荷，並將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。 電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF 之間的鋁電解電容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是較為常用的。根據不同的電源要求，器件有時會採用串聯、並聯或其組合的形式， 對於功率級超過10KW 的電源，通常採用體積較大的罐形螺旋端子電容器。
2、應用於信號電路，主要完成耦合、振盪/同步及時間常數的作用：
1.耦合
舉個例子來講，晶體管放大器發射極有一個自給偏壓電阻，它同時又使信號產生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信號耦合， 這個電阻就是產生了耦合的元件，如果在這個電阻兩端並聯一個電容， 由於適當容量的電容器對交流信號較小的阻抗，這樣就減小了電阻產生的耦合效應，故稱此電容為去耦電容。
2.振盪/同步
包括RC、LC 振盪器及晶體的負載電容都屬於這一范疇。
3.時間常數
這就是常見的 R、C 串聯構成的積分電路。當輸入信號電壓加在輸入端時，電容（C）上的電壓逐漸上升。而其充電電流則隨著電壓的上升而減小。電流通過電阻（R）、電容（C）的特性通過下面的公式描述：
i = （V / R）e - （t / CR）
話說電容之二：電容的選擇
通常，應該如何為我們的電路選擇一顆合適的電容呢？筆者認為，應基於以下幾點考慮：
1、靜電容量；
2、額定耐壓；
3、容值誤差；
4、直流偏壓下的電容變化量；
5、雜訊等級；
6、電容的類型；
7、電容的規格。
那麼，是否有捷徑可尋呢？其實，電容作為器件的外圍元件，幾乎每個器件的 Datasheet 或者 Solutions，都比較明確地指明了外圍元件的選擇參數，也就是說，據此可以獲得基本的器件選擇要求，然後再進一步完善細化之。其實選用電容時不僅僅是只看容量和封裝，具體要看產品所使用環境，特殊的電路必須用特殊的電容。
下面是 chip capacitor 根據電介質的介電常數分類， 介電常數直接影響電路的穩定性。
?NP0 or CH （K < 150）： 電氣性能最穩定，基本上不隨溫度﹑電壓與時間的改變而改變，適用於對穩定性要求高的高頻電路。鑒於K 值較小，所以在0402、0603、0805 封裝下很難有大容量的電容。如 0603 一般最大的 10nF以下。
?X7R or YB （2000 < K < 4000）： 電氣性能較穩定，在溫度﹑電壓與時間改變時性能的變化並不顯著（ΔC < ±10%）。適用於隔直、偶合、旁路與對容量穩定性要求不太高的全頻鑒電路。
?Y5V or YF（K > 15000）： 容量穩定性較 X7R 差（ΔC < +20% ～ -80%），容量﹑損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感，但由於其K 值較大，所以適用於一些容值要求較高的場合。
話說電容之三：電容的分類
電容的分類方式及種類很多，基於電容的材料特性，其可分為以下幾大類：
1.鋁電解電容
電容容量范圍為0.1μF ～ 22000μF，高脈動電流、長壽命、大容量的不二之選，廣泛應用於電源濾波、解藕等場合。
2.薄膜電容
電容容量范圍為0.1pF ～ 10μF，具有較小公差、較高容量穩定性及極低的壓電效應，因此是X、Y 安全電容、EMI/EMC 的首選。
3.鉭電容
電容容量范圍為2.2μF ～ 560μF，低等效串聯電阻（ESR）、低等效串聯電感（ESL）。脈動吸收、瞬態響應及雜訊抑制都優於鋁電解電容，是高穩定電源的理想選擇。
? 陶瓷電容
電容容量范圍為0.5pF ～ 100μF，獨特的材料和薄膜技術的結晶，迎合了當今「更輕、更薄、更節能」的設計理念。
? 超級電容
電容容量范圍為0.022F ～ 70F，極高的容值，因此又稱做「金電容」或者「法拉電容」。主要特點是：超高容值、良好的充/放電特性，適合於電能存儲和電源備份。缺點是耐壓較低，工作溫度范圍較窄。
話說電容之四：多層陶瓷電容（MLCC）
對於電容而言，小型化和高容量是永恆不變的發展趨勢。其中，要數多層陶瓷電容（MLCC）的發展最快。
多層陶瓷電容在便攜產品中廣泛應用極為廣泛，但近年來數字產品的技術進步對其提出了新要求。例如，手機要求更高的傳輸速率和更高的性能；基帶處理器要求高速度、低電壓；LCD 模塊要求低厚度（0.5mm）、大容量電容。 而汽車環境的苛刻性對多層陶瓷電容更有特殊的要求：首先是耐高溫，放置於其中的多層陶瓷電容必須能滿足150℃ 的工作溫度；其次是在電池電路上需要短路失效保護設計。
也就是說，小型化、高速度和高性能、耐高溫條件、高可靠性已成為陶瓷電容的關鍵特性。
陶瓷電容的容量隨直流偏置電壓的變化而變化。直流偏置電壓降低了介電常數， 因此需要從材料方面，降低介電常數對電壓的依賴，優化直流偏置電壓特性。
應用中較為常見的是 X7R（X5R）類多層陶瓷電容， 它的容量主要集中在1000pF 以上，該類電容器主要性能指標是等效串聯電阻（ESR），在高波紋電流的電源去耦、濾波及低頻信號耦合電路的低功耗表現比較突出。另一類多層陶瓷電容是 C0G 類，它的容量多在 1000pF 以下， 該類電容器主要性能指標是損耗角正切值 tgδ（DF）。傳統的貴金屬電極（NME）的 C0G產品 DF 值范圍是 （2.0 ～ 8.0） × 10-4，而技術創新型賤金屬電極（BME）的C0G 產品 DF 值范圍為 （1.0 ～ 2.5） × 10-4， 約是前者的 31 ～ 50%。 該類產品在載有 T/R 模塊電路的 GSM、CDMA、無繩電話、藍牙、GPS 系統中低功耗特性較為顯著。較多用於各種高頻電路，如振盪/同步器、定時器電路等。話說電容之五：鉭電容替代電解電容的誤區
通常的看法是鉭電容性能比鋁電容好，因為鉭電容的介質為陽極氧化後生成的五氧化二鉭，它的介電能力（通常用ε 表示）比鋁電容的三氧化二鋁介質要高。因此在同樣容量的情況下，鉭電容的體積能比鋁電容做得更小。（電解電容的電容量取決於介質的介電能力和體積，在容量一定的情況下，介電能力越高，體積就可以做得越小，反之，體積就需要做得越大）再加上鉭的性質比較穩定，所以通常認為鉭電容性能比鋁電容好。
但這種憑陽極判斷電容性能的方法已經過時了，目前決定電解電容性能的關鍵並不在於陽極，而在於電解質，也就是陰極。因為不同的陰極和不同的陽極可以組合成不同種類的電解電容，其性能也大不相同。採用同一種陽極的電容由於電解質的不同，性能可以差距很大，總之陽極對於電容性能的影響遠遠小於陰極。還有一種看法是認為鉭電容比鋁電容性能好，主要是由於鉭加上二氧化錳陰極助威後才有明顯好於鋁電解液電容的表現。如果把鋁電解液電容的陰極更換為二氧化錳， 那麼它的性能其實也能提升不少。
可以肯定，ESR 是衡量一個電容特性的主要參數之一。 但是，選擇電容，應避免 ESR 越低越好，品質越高越好等誤區。衡量一個產品，一定要全方位、多角度的去考慮，切不可把電容的作用有意無意的誇大。
---以上引用了部分網友的經驗總結。
普通電解電容的結構是陽極和陰極和電解質，陽極是鈍化鋁，陰極是純鋁，所以關鍵是在陽極和電解質。陽極的好壞關系著耐壓電介系數等問題。一般來說，鉭電解電容的ESR 要比同等容量同等耐壓的鋁電解電容小很多，高頻性能更好。如果那個電容是用在濾波器電路（比如中心為50Hz 的帶通濾波器）的話，要注意容量變化後對濾波器性能（通帶…）的影響。
話說電容之六：旁路電容的應用問題
嵌入式設計中，要求 MCU 從耗電量很大的處理密集型工作模式進入耗電量很少的空閑/休眠模式。這些轉換很容易引起線路損耗的急劇增加，增加的速率很高，達到 20A/ms 甚至更快。
通常採用旁路電容來解決穩壓器無法適應系統中高速器件引起的負載變化，以確保電源輸出的穩定性及良好的瞬態響應。旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩壓器的輸出均勻化，降低負載需求。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，並向器件進行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和雜訊。地彈是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。應該明白，大容量和小容量的旁路電容都可能是必需的，有的甚至是多個陶瓷電容和鉭電容。這樣的組合能夠解決上述負載電流或許為階梯變化所帶來的問題，而且還能提供足夠的去耦以抑制電壓和電流毛刺。在負載變化非常劇烈的情況下，則需要三個或更多不同容量的電容，以保證在穩壓器穩壓前提供足夠的電流。快速的瞬態過程由高頻小容量電容來抑制，中速的瞬態過程由低頻大容量來抑制，剩下則交給穩壓器完成了。
還應記住一點，穩壓器也要求電容盡量靠近電壓輸出端。
話說電容之七：電容的等效串聯電阻ESR
普遍的觀點是：一個等效串聯電阻（ESR）很小的相對較大容量的外部電容能很好地吸收快速轉換時的峰值（紋波）電流。但是，有時這樣的選擇容易引起穩壓器（特別是線性穩壓器 LDO）的不穩定，所以必須合理選擇小容量和大容量電容的容值。永遠記住，穩壓器就是一個放大器，放大器可能出現的各種情況它都會出現。
由於 DC/DC 轉換器的響應速度相對較慢，輸出去耦電容在負載階躍的初始階段起主導的作用，因此需要額外大容量的電容來減緩相對於 DC/DC 轉換器的快速轉換，同時用高頻電容減緩相對於大電容的快速變換。通常，大容量電容的等效串聯電阻應該選擇為合適的值，以便使輸出電壓的峰值和毛刺在器件的Dasheet 規定之內。
高頻轉換中，小容量電容在 0.01μF 到0.1μF 量級就能很好滿足要求。表貼陶瓷電容或者多層陶瓷電容（MLCC）具有更小的 ESR。另外，在這些容值下，它們的體積和 BOM 成本都比較合理。如果局部低頻去耦不充分，則從低頻向高頻轉換時將引起輸入電壓降低。電壓下降過程可能持續數毫秒，時間長短主要取決於穩壓器調節增益和提供較大負載電流的時間。
用 ESR 大的電容並聯比用 ESR 恰好那麼低的單個電容當然更具成本效益。然而，這需要你在 EDAPCB/PCBjishu/「 target=」_blank「 class=」infotextkey「>PCB 面積、器件數目與成本之間尋求折衷。
話說電容之八：電解電容的電參數
這里的電解電容器主要指鋁電解電容器，其基本的電參數包括下列五點：
1.電容值
電解電容器的容值，取決於在交流電壓下工作時所呈現的阻抗。因此容值，也就是交流電容值，隨著工作頻率、電壓以及測量方法的變化而變化。在標准JISC 5102 規定：鋁電解電容的電容量的測量條件是在頻率為 120Hz，最大交流電壓為 0.5Vrms，DC bias 電壓為1.5 ～ 2.0V 的條件下進行。可以斷言，鋁電解電容器的容量隨頻率的增加而減小。
2.損耗角正切值 Tan δ
在電容器的等效電路中，串聯等效電阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Tan δ， 這里的 ESR 是在 120Hz 下計算獲得的值。顯然，Tan δ 隨著測量頻率的增加而變大，隨測量溫度的下降而增大。
3.阻抗 Z
在特定的頻率下，阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗（Z）。它與電容等效電路中的電容值、電感值密切相關，且與 ESR 也有關系。
Z = √ [ESR2 + （XL - XC）2 ]
式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC
XL = ωL = 2πfL
電容的容抗（XC）在低頻率范圍內隨著頻率的增加逐步減小，頻率繼續增加達到中頻范圍時電抗（XL）降至 ESR 的值。當頻率達到高頻范圍時感抗（XL）變為主導，所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。
4.漏電流
電容器的介質對直流電流具有很大的阻礙作用。然而，由於鋁氧化膜介質上浸有電解液，在施加電壓時，重新形成的以及修復氧化膜的時候會產生一種很小的稱之為漏電流的電流。通常，漏電流會隨著溫度和電壓的升高而增大。
5.紋波電流和紋波電壓
在一些資料中將此二者稱做」漣波電流「和」漣波電壓「，其實就是 ripplecurrent，ripple voltage。 含義即為電容器所能耐受紋波電流/電壓值。 它們和ESR 之間的關系密切，可以用下面的式子表示：
Urms = Irms × R
式中，Vrms 表示紋波電壓
Irms 表示紋波電流
R 表示電容的 ESR
由上可見，當紋波電流增大的時候，即使在 ESR 保持不變的情況下，漣波電壓也會成倍提高。換言之，當紋波電壓增大時，紋波電流也隨之增大，這也是要求電容具備更低 ESR 值的原因。疊加入紋波電流後，由於電容內部的等效串連電阻（ESR）引起發熱，從而影響到電容器的使用壽命。一般的，紋波電流與頻率成正比，因此低頻時紋波電流也比較低。
話說電容之九：電容器參數的基本公式
1.容量（法拉）
英制： C = （ 0.224 × K ? A） / TD
公制： C = （ 0.0884 × K ? A） / TD
2.電容器中存儲的能量
E = ? CV2
3.電容器的線性充電量
I = C （dV/dt）
4.電容的總阻抗（歐姆）
Z = √ [ RS2 + （XC – XL）2 ]
5.容性電抗（歐姆）
XC = 1/（2πfC）
6.相位角 Ф
理想電容器：超前當前電壓 90?
理想電感器：滯後當前電壓 90?
理想電阻器：與當前電壓的相位相同
7.耗散系數 （%）
D.F. = tan δ （損耗角）
= ESR / XC
= （2πfC）（ESR）
8.品質因素
Q = cotan δ = 1/ DF
9.等效串聯電阻ESR（歐姆）
ESR = （DF） XC = DF/ 2πfC
10.功率消耗
Power Loss = （2πfCV2） （DF）
11.功率因數
PF = sin δ （loss angle） – cos Ф （相位角）
12.均方根
rms = 0.707 × Vp
13.千伏安KVA （千瓦）
KVA = 2πfCV2 × 10-3
14.電容器的溫度系數
T.C. = [ （Ct – C25） / C25 （Tt – 25） ] × 106
15.容量損耗（%）
CD = [ （C1 – C2） / C1 ] × 100
16.陶瓷電容的可靠性
L0 / Lt = （Vt / V0） X （Tt / T0）Y
17.串聯時的容值
n 個電容串聯：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn
兩個電容串聯：CT = C1 ? C2 / （C1 + C2）
18.並聯時的容值
CT = C1 + C2 + … + Cn
19.重復次數（Againg Rate）
A.R. = % ΔC / decade of time
上述公式中的符號說明如下：
K = 介電常數
A = 面積
TD = 絕緣層厚度
V = 電壓
t = 時間
RS = 串聯電阻
f = 頻率
L = 電感感性系數
δ = 損耗角
Ф = 相位角
L0 = 使用壽命
Lt = 試驗壽命
Vt = 測試電壓
V0 = 工作電壓
Tt = 測試溫度
T0 = 工作溫度
X , Y = 電壓與溫度的效應指數。
話說電容之十：電源輸入端的X,Y 安全電容
在交流電源輸入端，一般需要增加三個電容來抑制EMI 傳導干擾。
交流電源的輸入一般可分為三根線：火線（L）/零線（N）/地線（G）。在火線和地線之間及在零線和地線之間並接的電容，一般稱之為Y 電容。這兩個Y電容連接的位置比較關鍵，必須需要符合相關安全標准，以防引起電子設備漏電或機殼帶電，容易危及人身安全及生命，所以它們都屬於安全電容，要求電容值不能偏大，而耐壓必須較高。一般地，工作在亞熱帶的機器，要求對地漏電電流不能超過0.7mA；工作在溫帶機器，要求對地漏電電流不能超過0.35mA。因此，Y 電容的總容量一般都不能超過4700pF。
根據IEC 60384-14，電容器分為X電容及Y電容，
1. X電容是指跨於L-N之間的電容器，
2. Y電容是指跨於L-G/N-G之間的電容器。
（L=Line, N=Neutral, G=Ground）
X電容底下又分為X1, X2, X3，主要差別在於：
1. X1耐高壓大於2.5 kV, 小於等於4 kV,
2. X2耐高壓小於等於2.5 kV,
3. X3耐高壓小於等於1.2 kV
Y電容底下又分為Y1, Y2, Y3，Y4, 主要差別在於：
1. Y1耐高壓大於8 kV,
2. Y2耐高壓大於5 kV,
3. Y3耐高壓 n/a
4. Y4耐高壓大於2.5 kV
X,Y電容都是安規電容，火線零線間的是X電容，火線與地間的是Y電容。
它們用在電源濾波器里，起到電源濾波作用，分別對共模，差模工擾起濾波作用。
安規電容是指用於這樣的場合，即電容器失效後，不會導致電擊，不危及人身安全。 安規電容安全等級 應用中允許的峰值脈沖電壓 過電壓等級（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV —— 安規電容安全等級 絕緣類型 額定電壓范圍 Y1 雙重絕緣或加強絕緣 ≥ 250V Y2 基本絕緣或附加絕緣 ≥150V ≤250V Y3 基本絕緣或附加絕緣 ≥150V ≤250V Y4 基本絕緣或附加絕緣 <150V Y電容的電容量必須受到限制，從而達到控制在額定頻率及額定電壓作用下，流過它的漏電流的大小和對系統EMC性能影響的目的。GJB151規定Y電容的容量應不大於0.1uF。Y電容除符合相應的電網電壓耐壓外，還要求這種電容器在電氣和機械性能方面有足夠的安全餘量，避免在極端惡劣環境條件下出現擊穿短路現象，Y電容的耐壓性能對保護人身安全具有重要意義
在濾波電路上有X電容，就是跨接L-N線；Y電容就是N-G線。
在安規標准上有按脈沖電壓分X1,X2,X3電容；按絕緣等級來分Y1,Y2,Y3來分。
（這些都不是按什麼材質來分的，以後多學習。）
至於安規標准各個國家有一些差別，但額定電壓無非就是250和400。
各大廠家做的安規電容就是要滿足這個安規標準的需求，一個安規電容可以滿足Y電容的要求，也有可以做成滿足X電容要求。所以就有的安規電容上標X1Y1,X1Y2…
火線與0線之間接個電容就是是X,而火線與地線之間接個電容像個Y。
由於火線與0線直接電容，受電壓峰值的影響，避免短路，比較注重的參數就是耐壓等級，在電容值上沒有定限制值。
火線與地線直接電容要涉及到漏電安全的問題，因此它注重的參數就是絕緣等級

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10. 什麼么是法拉第電籠

繼雙電層電容器後，又發展了贗電容器。贗電容，也稱法拉第准電容，是在電極表面或體相中的二維或准二維空間上，電活性物質進行欠電位沉積，發生高度可逆的化學吸附，脫附或氧化，還原反應，產生和電極充電電位有關的電容。贗電容不僅在電極表面，而且可在整個電極內部產生，因而可獲得比雙電層電容更高的電容量和能量密度。在相同電極面積的情況下，贗電容可以是雙電層電容量的10～100倍。目前贗電容電極材料主要為一些金屬氧化物和導電聚合物。目前對金屬氧化物電極電化學電容器所用電極材料的研究，主要是一些過渡金屬氧化物， 如a—MnO2『nH20、a—V205•nH20、a—RuO2•nH20、IrO2、Ni0 、H3PM ol2040『nH20、W 03、Pb02、Co304、SrRuO3等，另外還有發展金屬的氮化物y-M~N作電極材料。金屬氧化物基電容器目前研究最為成功的電極材料主要是氧化釕， 由於貴金屬的資源有限，價格過高將限制對它的使用，對於金屬氧化物電容器的研究主要在於降低材料的成本，尋找較廉價的材料。