① 放大器性能的參數指標有哪些
精密功率放大器又稱高壓放大器,在很多電子實驗室都是在信號發生器額定輸出電壓和功率不能勝任驅動某個器件時,這就需要在信號發生器之後加一個精密功率放大器來提高信號發生器產生的電壓和功率,來驅動各種負載器件(壓電陶瓷、換能器、線圈、超聲波),精密功率放大器在整個測試實驗中起到了至關重要的作用,可輸出穩定的功率。下面給大家介紹:精密功率放大器技術指標、使用注意事項及選購技巧。
精密功率放大器根據指標來分類:從低頻到高頻,從中小功率到大功率,根據各類參數指標分為:寬頻放大器最大頻率DC-24MHz,高壓放大器最大輸出電壓1600Vpp,功率放大器最大功率810W。
一、精密功率放大器的特點:
可放大正弦波、方波、三角波、脈沖波、任意波,可兼容各種品牌和型號的任意波形發生器,完美匹配高低內阻信號源;
有功率放大器和功率信號源兩種,輸入信號可內置或外置;
輸出電壓高達 1600Vp-p (±800V);
輸出電流 8A ;
最大頻率(-3dB)DC~24MHz
最大輸出功率810W
二、精密功率放大器技術指標:帶寬、電壓、電流、功率、通道、增益、輸入輸出阻抗、保護
為了防止損壞功率放大器,通常要求有過電壓保護,過電流保護,過熱保護,短路保護。
三、選購技巧:
1、選擇合適功率的放大器,對於待輸入信號進行預估電壓電流、功率、頻率、波形等;
2、保證功率放大器安全接地;
3、查看說明書看廠家對應產品是否支持長時間連續工作能力
4、注意儀器的散熱
5、前端連接線的穩定可靠,防止短路發生
6、信號源輸入信號再安全范圍之內。
② TTL與非門的電壓傳輸特性曲線
原發布者:青島優學教育
TTL與非門的電壓傳輸特性和主要參數1.電壓傳輸特性曲線與非門的電壓傳輸特性曲線是指與非門的輸出電壓與輸入電壓之間的對應關系曲線,即V=f(Vi),它反映了電路的靜態特性。(1)AB段(截止區)。(2)BC段(線性區)。(3)CD段(過渡區)。(4)DE段(飽和區)。2.幾個重要參數從TTL與非門的電壓傳輸特性曲線上,我們可以定義幾個重要的電路指標。(1)輸出高電平電壓VOH——VOH的理論值為3.6V,產品規定輸出高電壓的最小值VOH(min)=2.4V,即大於2.4V的輸出電壓就可稱為輸出高電壓VOH。(2)輸出低電平電壓VOL——VOL的理論值為0.3V,產品規定輸出低電壓的最大值VOL(max)=0.4V,即小於0.4V的輸出電壓就可稱為輸出低電壓VOL。由上述規定可以看出,TTL門電路的輸出高低電壓都不是一個值,而是一個范圍。(3)關門電平電壓VOFF——是指輸出電壓下降到VOH(min)時對應的輸入電壓。顯然只要Vi<VOff,Vo就是高電壓,所以VOFF就是輸入低電壓的最大值,在產品手冊中常稱為輸入低電平電壓,用VIL(max)表示。從電壓傳輸特性曲線上看VIL(max)(VOFF)≈1.3V,產品規定VIL(max)=0.8V。(4)開門電平電壓VON——是指輸出電壓下降到VOL(max)時對應的輸入電壓。顯然只要Vi>VON,Vo就是低電壓,所以VON就是輸入高電壓的最小值,在產品手冊中常稱為輸入高電平電壓,用VIH(min)表示。從電壓傳輸特性曲線上看VIH(min)(VON)略大於1.3V,產品規定VIH(min)
③ 關於晶振的輸出
Output Voltage:Square HCMOS 15pF
輸出電壓:在輸出電容為15pF時, HCMOS電平方波
Output Levels:VoH > 90% Vs
輸出電平:高電平>90%電源電壓
VoL < 10% Vs
低電平<10%電源電壓
④ TTL與非門電路的低電平電壓范圍
TTL是 Time To Live的縮寫,該欄位指定IP包被路由器丟棄之前允許通過的最大網段數量。TTL是IPv4包頭的一個8 bit欄位。
從TTL與非門的電壓傳輸特性曲線上,我們可以定義幾個重要的電路指標。
(1)輸出高電平電壓VOH——VOH的理論值為3.6V,產品規定輸出高電壓的最小值VOH(min)=2.4V,即大於2.4V的輸出電壓就可稱為輸出高電壓VOH。
(2)輸出低電平電壓VOL——VOL的理論值為0.3V,產品規定輸出低電壓的最大值VOL(max)=0.4V,即小於0.4V的輸出電壓就可稱為輸出低電壓VOL。
由上述規定可以看出,TTL門電路的輸出高低電壓都不是一個值,而是一個范圍。
(3)關門電平電壓VOFF——是指輸出電壓下降到VOH(min)時對應的輸入電壓。顯然只要Vi<VOff,Vo就是高電壓,所以VOFF就是輸入低電壓的最大值,在產品手冊中常稱為輸入低電平電壓,用VIL(max)表示。從電壓傳輸特性曲線上看VIL(max)(VOFF)≈1.3V,產品規定VIL(max)=0.8V。
(4)開門電平電壓VON——是指輸出電壓下降到VOL(max)時對應的輸入電壓。顯然只要Vi>VON,Vo就是低電壓,所以VON就是輸入高電壓的最小值,在產品手冊中常稱為輸入高電平電壓,用VIH(min)表示。從電壓傳輸特性曲線上看VIH(min)(VON)略大於1.3V,產品規定VIH(min)=2V。
(5)閾值電壓Vth——決定電路截止和導通的分界線,也是決定輸出高、低電壓的分界線。從電壓傳輸特性曲線上看,Vth的值界於VOFF與VON之間,而VOFF與VON的實際值又差別不大,所以,近似為Vth≈VOFF≈VON。Vth是一個很重要的參數,在近似分析和估算時,常把它作為決定與非門工作狀態的關鍵值,即Vi<Vth,與非門開門,輸出低電平;Vi>Vth,與非門關門,輸出高電平。Vth又常被形象化地稱為門檻電壓。Vth的值為1.3V~1.4V。
⑤ cmos晶振是什麼
晶振輸出波形有很多種,coms是方波輸出的一種,以下是具體每種波形的區別,供參考:
(LV)TTL、(H)CMOS、(P)ECL、LVDS、(Clipped)Sine
Wave幾種波形的主要區別是什麼?
這幾種波形都是目前行業常用的波形。通常,方波輸出功率大,驅動能力強,但諧波分量豐富;正弦波輸出功率不如方波,但其諧波分量小很多。
TTL(Transistor-Transistor
Logic:)
Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。因為2.4V與5V之間有很大空閑,對改善雜訊容限沒好處,會增大系統功耗,並影響速度,所以後來出現LVTTL(Low
Voltage
TTL)。在晶振產品中,LVTTL分為3.3V、2.5V,其中以3.3V為主。
3.3V
LVTTL:
Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
2.5V
LVTTL:
Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
使用TTL電平時輸出過沖會比較嚴重。
CMOS
Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。
註:CMOS相對TTL有了更大的雜訊容限,輸入阻抗遠大於TTL輸入阻抗。對應
3.3V
LVTTL,出現了LVCMOS,可以與3.3V的LVTTL直接相互驅動。
3.3V
LVCMO
Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。
2.5V
LVCMOS
Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
CMOS使用時應注意:CMOS結構內部寄生有可控硅結構,當輸入或輸入管腳高於VCC一定值時,電流足夠大的話,可能引起閂鎖效應,導致晶元的燒毀。
HCMOS
HCMOS-全靜態設計、高速互補金屬氧化物半導體工藝,CMOS-互補金屬氧化物半導體。CMOS將被HCMOS所替代。
ECL(Emitter
Couple
Logic):
ECL電路的特點:基本門電路工作在非飽和狀態,ECL電路具有相當高的速度,平均延遲時間可達幾個毫微秒甚至亞毫微秒數量級。
ECL電路的邏輯擺幅較小(僅約
0.8V
,而
TTL
的邏輯擺幅約為
2.0V
),當電路從一種狀態過渡到另一種狀態時,對寄生電容的充放電時間將減少,這是
ECL電路具有高開關速度的重要原因。但邏輯擺幅小,對抗干擾能力不利。
ECL電路具有很高的輸入阻抗和低的輸出阻抗。
Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。
ECL電路速度快,驅動能力強,雜訊小,很容易達到幾百MHz的應用,但是功耗大,需要負電源。為簡化電源,出現了PECL(ECL結構,改用正電壓供電)和LVPECL。
PECL
(Pseudo/Positive
ECL)
Vcc=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V
LVPECL:
Vcc=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94V
ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同電平不能直接驅動。中間可用交流耦合、電阻網路或專用晶元進行轉換。以上三種均為射隨輸出結構,必須有電阻拉到一個直流偏置電壓。(如多用於時鍾的LVPECL:直流匹配時用130歐上拉,同時用82歐下拉;交流匹配時用82歐上拉,同時用130歐下拉。但兩種方式工作後直流電平都在1.95V左右。)
LVDS(Low
Voltage
Differential
Signal)
差分對輸入輸出,內部有一個恆流源3.5-4mA,在差分線上改變方向和1來表示0。通過外部的100歐匹配電阻(並在差分線上靠近接收端)轉換為±350mV的差分電平。
LVDS使用注意:可以達到600MHz以上,PCB要求較高,差分線要求嚴格等長,差最好不超過10mil(0.25mm)。100歐電阻離接收端距離不能超過500mil,最好控制在300mil以內。
LVDS的應用模式可以有四種形式可以:
單向點對點(point?to?point)。
雙向點對點(point?to?point)
能通過一對雙絞線實現雙向的半雙工通信。
多分支形式(multidrop),
即一個驅動器連接多個接收器。當有相同的數據要傳給多個負載時,可以採用這種應用形式。
多點結構(multipoint)。
此時多點匯流排支持多個驅動器,也可以採用BLVDS驅動器。它可以提供雙向的半雙工通信,但是在任一時刻,只能有一個驅動器工作。因而發送的優先權和匯流排的仲裁協議都需要依據不同的應用場合,選用不同的軟體協議和硬體方案。
Sine
Wave:
通常晶振正弦波輸出的負載阻抗為50歐姆,衡量正弦波的主要指標為功率、Vp-p值,其對應關系如下:
Vrms
=
Vp-p
/
(2)
(此處括弧改為根號)
電平Level(dBm)
=
20
Lg
(Vp-p/(
)
Z為阻抗,如50歐姆
「Z」
indicates
impedance,eg.
50Ω
電平/Level(dBm)=10LgmW
如下為常用數據列表(負載阻抗為50歐姆)
dBm
Vp-p
mW
0
0.64
1.0
3
0.91
2.0
5
1.13
3.2
7
1.41
5.0
10
2.01
10
13
2.83
20
Clipped
Sine
Wave:
削頂正弦波(Clipped
Sine
Wave)相比方波的諧波分量少很多,但驅動能力較弱,在負載10K//10PF時Vp-p為0.8Vmin。通常為SMD
7050、5032、3225使用的波形。
⑥ 哪裡能找到「公文筐測試」的實例樣題
g3(iNVOH!fbbs.chinahrd.netXEBdlt;LDeIc
g3(iNVOH!fbbs.chinahrd.netXEBdlt;LDeIc
掌握充分相關資訊的題目設計小組一般用兩至三個工作日即可完成一個重要管理職務的公文筐測驗題目設計。g3(iNVOH!fbbs.chinahrd.netXEBdlt;LDeIc
g3(iNVOH!fbbs.chinahrd.netXEBdlt;LDeIc
1、確定測評要素g3(iNVOH!fbbs.chinahrd.netXEBdlt;LDeIc
g3(iNVOH!fbbs.chinahrd.netXEBdlt;LDeIc
測評要素的確定要依據兩個方面來進行:一是通過上面提及的工作分析或勝任力特徵分析來澄清擬任崗位的要求,通常需要分析崗位的職責與任職要求,這可以通過查閱有關職位說明進行,同時還要與任職者或者其上級領導進行深入細致的訪談,以澄清擬任職位的關鍵任務指標和勝任力特徵。如果可以訪談的任職者數量比較多,還可以採用問卷的方式進行調研。g3(iNVOH!fbbs.chinahrd.netXEBdlt;LDeIc
有效的工作分析是公文筐測驗的最核心的基礎工作,工作分析的關鍵內容開展得越規范、越全面、越深入、越細致、公文筐測驗的題目設計就越容易,測評結果的信、效度也就越高。但僅有系統的工作分析還遠遠不夠,對行為特點、企業內外環境、企業文化和測評目標的分析也是測評題目設計時需要考慮的重要內容。下列因素就是公文筐測驗題目設計的主要依據:企業所在行業的特點;企業內部和外部環境狀況;企業同行文化和希望建立的新文化;測評的目標:招聘、選拔、評價和培訓需求確定等不同的測評目標對不同測評題目在整個測評中的權重有不同考慮;管理職務設置的目的和工作職責;管理職務的工和性質與工作方式;管理者工作活動的內容、各項工作活動佔全部工和活動時間的比例、各項工作活動的執行許可權和執行依據、工作活動結果的預期標准(每一管理者的工作活動都包括人際關系、信息傳遞和決策制訂三大類活動);管理者每一工作活動的主導業務流程;管理者的工作關系:管理者的直接上級和間接上級、直接下級和間接下級、管理者的同級、管理者的企業內部客戶和企業外部客戶。管理者可調遣或協調的工作資源:包括人力資源、物力資源、財力資源和信息資源。g3(iNVOH!fbbs.chinahrd.netXEBdlt;LDeIc
通過上述方法,可以確定擬任崗位的素質要求,這是要素確定的立足點;g3(iNVOH!fbbs.chinahrd.netXEBdlt;LDeIc
⑦ 集成電路有哪些直流參數 測試方法
包括 1. 開路/短路測試(輸入箝(同鉗,qian)位電壓VIK的測試)
開短路測試(又稱OPEN/SHORT 測試,O/S測試,continuity test 或contact test),主要是用於測試電子器件的連接情況,顧名思義,開短路測試就是測試開路與短路,具體點說就是測試一個電子器件應該連接的地方是否連接,如果沒有連接上就是開路,如果不應該連接的地方連接了就是短路。通常都會被放測試程序的最前面。
2.輸出高低電平(VOH/VOL)測試
VOH/VOL測試的目的是檢查器件在指定電壓下輸出電流的能力。輸入端在施加規定的電平信號下,使輸出端位邏輯高/低電平時的電壓。VCC通常位規定范圍的最小值,測試使用IFVM(加恆流測電壓)方式,對於VOH測試,在輸出端抽取規定范圍的IOH,其餘輸出端開路,同時測量該輸出端的電壓VOH。同理對於測量VOL時候,抽取IOL,測量到的電壓就為VOL。這兩個參數的測試主要時檢查器件的抗干擾能力。
3.輸入高/低(IIH/IIL)電流測試
輸入端在輸入規定的電壓值VIH/VIL時候,測量到流入輸入端的電流值IIH/IIL。目的是檢查DUT的輸入負載特性。這個參數主要時驗證器件接受邏輯值1和0的能力。
4.輸入漏電流II測試
所謂泄漏電流是指在沒有故障施加電壓的情況下,電氣中帶相互絕緣的金屬零件之間,或帶電零件與接地零件之間,通過其周圍介質或絕緣表面所形成的電流稱為泄漏電流。輸入端在輸入最大電壓VL時流入被測試器件的電流。VCC設定為規范中的最大值。和測量輸入高低電流方法一樣,只是加壓和測量的電流值不一樣。其餘輸入端加規定電平。輸出端開路。IL用於檢查器件的扇入負載的特性。泄漏電流實際上就是電氣線路或設備在沒有故障和施加電壓的作用下,流經絕緣部分的電流。因此,它是衡量電器絕緣性好壞的重要標志之一,是產品安全性能的主要指標。檢測的意義在於判斷產品耐高壓的安全性。
5.輸出短路電路IOS測試(output short circuit current test)
輸出短路電流(IOS),顧名思義,就是輸出埠處於短路狀態時的電流。
6.輸出高阻電流(IOZH/IOZL)
IOZL指的是一個低電平施加在一個處於高阻態的輸出管腳上,管腳上產生的漏電流,與之類似,IOZH指的是一個高電平施加在一個處於高阻態的輸出管腳上,管腳上產生的漏電流。
7.電源電流測試
電源電流測試包括IDD總電流測試(IDD Gross Current),IDD靜態電流測試(IDD static Current),IDDQ測試,動態IDD測試(Dynamic Current)。在輸入端施加規定的電平使輸出端為邏輯高高電平,此時流經器件電源輸入端的電流為ICCH,同理當輸出端表現為邏輯低電平時,對應為ICCL。此測量用於檢查器件的功耗。
⑧ TTL和CMOS有啥區別
CMOS器件的優點是功耗低、工作電壓范圍寬、輸入阻抗高、風機輸出系數高。TTL設備的優點是驅動能力略強,輸入信號電平幅值小於CMOS器件。
⑨ 數字集成電路測試中的直流參數測試項目包括哪些
包括 1. 開路/短路測試(輸入箝(同鉗,qian)位電壓VIK的測試)
開短路測試(又稱OPEN/SHORT 測試,O/S測試,continuity test 或contact test),主要是用於測試電子器件的連接情況,顧名思義,開短路測試就是測試開路與短路,具體點說就是測試一個電子器件應該連接的地方是否連接,如果沒有連接上就是開路,如果不應該連接的地方連接了就是短路。通常都會被放測試程序的最前面。
2.輸出高低電平(VOH/VOL)測試
VOH/VOL測試的目的是檢查器件在指定電壓下輸出電流的能力。輸入端在施加規定的電平信號下,使輸出端位邏輯高/低電平時的電壓。VCC通常位規定范圍的最小值,測試使用IFVM(加恆流測電壓)方式,對於VOH測試,在輸出端抽取規定范圍的IOH,其餘輸出端開路,同時測量該輸出端的電壓VOH。同理對於測量VOL時候,抽取IOL,測量到的電壓就為VOL。這兩個參數的測試主要時檢查器件的抗干擾能力。
3.輸入高/低(IIH/IIL)電流測試
輸入端在輸入規定的電壓值VIH/VIL時候,測量到流入輸入端的電流值IIH/IIL。目的是檢查DUT的輸入負載特性。這個參數主要時驗證器件接受邏輯值1和0的能力。
4.輸入漏電流II測試
所謂泄漏電流是指在沒有故障施加電壓的情況下,電氣中帶相互絕緣的金屬零件之間,或帶電零件與接地零件之間,通過其周圍介質或絕緣表面所形成的電流稱為泄漏電流。輸入端在輸入最大電壓VL時流入被測試器件的電流。VCC設定為規范中的最大值。和測量輸入高低電流方法一樣,只是加壓和測量的電流值不一樣。其餘輸入端加規定電平。輸出端開路。IL用於檢查器件的扇入負載的特性。泄漏電流實際上就是電氣線路或設備在沒有故障和施加電壓的作用下,流經絕緣部分的電流。因此,它是衡量電器絕緣性好壞的重要標志之一,是產品安全性能的主要指標。檢測的意義在於判斷產品耐高壓的安全性。
5.輸出短路電路IOS測試(output short circuit current test)
輸出短路電流(IOS),顧名思義,就是輸出埠處於短路狀態時的電流。
6.輸出高阻電流(IOZH/IOZL)
IOZL指的是一個低電平施加在一個處於高阻態的輸出管腳上,管腳上產生的漏電流,與之類似,IOZH指的是一個高電平施加在一個處於高阻態的輸出管腳上,管腳上產生的漏電流。
7.電源電流測試
電源電流測試包括IDD總電流測試(IDD Gross Current),IDD靜態電流測試(IDD static Current),IDDQ測試,動態IDD測試(Dynamic Current)。在輸入端施加規定的電平使輸出端為邏輯高高電平,此時流經器件電源輸入端的電流為ICCH,同理當輸出端表現為邏輯低電平時,對應為ICCL。此測量用於檢查器件的功耗。